|
|||||
|
|
| MoS_2/p-Si异质结的制备及其光电性质研究 | |
| 作者单位： | ;1.长春理工大学理学院 |
| 摘 要： | 文章通过化学气相沉积(CVD)法制备大面积的高质量双层MoS_2二维材料,光致发光测试表明材料具有较好的发光特性。在此基础上,利用湿法转移技术将双层MoS_2二维材料转移至p-Si衬底上,实现高性能MoS_2/p-Si异质结的构筑。MoS_2/p-Si异质结表现出明显的光响应特性,这得益于内建电场促进了光生电子-空穴对的有效分离。本工作为发展高质量的多功能器件提供了新的技术思路。 |
| 关 键 词： | 二硫化钼 异质结构 光电性能 |
Preparation and Optoelectronic Properties of MoS_2/p-Si Heterojunction |
|
| Abstract: | |
| Keywords: | |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |