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| 金掺杂氧化铪薄膜的电阻转变性能研究 | |
| 作者单位： | ;1.西北工业大学材料学院 |
| 摘 要： | 采用射频磁控溅射法在ITO基底上制备了Hf O2和Hf O2:Au薄膜,并对Cu/Hf O2/ITO和Cu/Hf O2:Au/ITO三明治结构进行了电阻转变性能测试。结果表明:两者均展现出可逆双极电阻转变性能,但Cu/Hf O2:Au/ITO器件的SET电压较小,电压分布更加集中并且性能更稳定。通过对器件双对数I-V曲线拟合分析,发现其电阻转变机制为空间电荷限制电流效应。金的掺入增加了薄膜中的缺陷,提高了基于氧空位的导电通道的均一性,从而优化了器件的电阻转变性能。 |
| 关 键 词： | 金掺杂 氧化铪薄膜 电阻转变 |
Investigation of Resistive Switching Performance in Au-doped HfO2 Thin Film |
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