| 络合剂对蓝宝石晶片化学机械抛光的影响 |
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| 引用本文： | 熊伟,白林山,储向峰,董永平,陈均,毕磊,叶明富.络合剂对蓝宝石晶片化学机械抛光的影响[J].机械科学与技术(西安),2014(7):1027-1030. |
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| 作者姓名： | 熊伟 白林山 储向峰 董永平 陈均 毕磊 叶明富 |
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| 作者单位： | 安徽工业大学化学化工学院; |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金项目(50975002);安徽工业大学创新团队项目(TD201204);教育部高校留学回国人员科研项目资助 |
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| 摘 要： | 利用自制的抛光液对蓝宝石晶片进行化学机械抛光,研究化学机械抛光过程中抛光压力、抛光液pH值、SiO2浓度、络合剂种类及其浓度等参数对抛光速率的影响,采用MicroNano D-5A扫描探针显微镜观察抛光前后蓝宝石晶片的表面形貌。结果表明:在抛光条件为压力7psi、转速为50 r/min、抛光液流量为60 mL/min,抛光液组成为pH值12、SiO2浓度5%、络合剂Ⅰ及其浓度为1.25%时,得到最大抛光速率为35.30 nm/min,蓝宝石晶片表面质量较好,表面粗糙度Ra达到0.1 nm。
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| 关 键 词： | 蓝宝石 化学机械抛光 抛光速率 络合剂 |
Effect of Chelating Agent on Chemical Mechanical Polishing Quality of Sapphire |
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