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微波GaAs 功率芯片AuSn 共晶焊接微观组织结构研究
引用本文:吴娜,胡永芳,严伟,李孝轩.微波GaAs 功率芯片AuSn 共晶焊接微观组织结构研究[J].电子机械工程,2016,32(4):50-53.
作者姓名:吴娜  胡永芳  严伟  李孝轩
作者单位:南京电子技术研究所,江苏南京,210039
摘    要:文中采用Au80Sn20共晶焊料对GaAs功率芯片与MoCu基板进行焊接,分析了焊接温度、摩擦次数等工艺参数对共晶焊接的影响,给出了GaAs芯片共晶焊的工艺参数控制要求,通过扫描电镜及能谱仪分析接头的显微组织、元素分布,通过X射线检测仪测定接头的孔洞率,研究GaAs芯片背面和MoCu基板表面的镀层与焊料之间的相互作用以及焊缝的凝固过程.GaAs芯片背面的Au层部分溶解在AuSn焊料中,MoCu基板表面的Au层完全溶解在AuSn焊料中,焊缝与Ni层结合,焊缝由靠近两侧母材的ξ-Au5Sn金属间化合物层和中间的Au-Sn共晶组织组成.

关 键 词:AuSn  GaAs  镀层  共晶焊接  微观组织

Microstructure Characterization Analysis of Eutectic Brazed Micro-wave GaAs Power Chip Using AuSn Filler Metal
WU N,HU Yong-fang,YAN Wei and LI Xiao-xuan.Microstructure Characterization Analysis of Eutectic Brazed Micro-wave GaAs Power Chip Using AuSn Filler Metal[J].Electro-Mechanical Engineering,2016,32(4):50-53.
Authors:WU N  HU Yong-fang  YAN Wei and LI Xiao-xuan
Affiliation:Nanjing Research Institute of Electronics Technology,Nanjing Research Institute of Electronics Technology,Nanjing Research Institute of Electronics Technology and Nanjing Research Institute of Electronics Technology
Abstract:
Keywords:AuSn  GaAs  plating layer  eutectic brazing  microstructure
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