| 单层二硫化钼的力学性能及缺陷工程研究进展 |
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| 引用本文： | 涂莉萍,李明林,万亚玲,王卫东.单层二硫化钼的力学性能及缺陷工程研究进展[J].机械制造与自动化,2018(2):48-53. |
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| 作者姓名： | 涂莉萍 李明林 万亚玲 王卫东 |
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| 作者单位： | 福州大学机械工程及自动化学院;福建省高端装备制造协同创新中心;西安电子科技大学机电工程学院 |
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| 摘 要： | 单层二硫化钼(SLMoS_2)是类似石墨烯的准二维蜂窝晶格层状纳米材料。相较于半导体性石墨烯在制备上的复杂性,具有直接带隙半导体特性的SLMoS_2被认为更具优势,是取代传统硅半导体的新一代候选材料之一。介绍了SLMoS_2优异的物理化学特性及其力学性能的近期研究进展、SLMoS_2在制备和表征过程中存在的固有缺陷类型和晶界,以及近年来基于理论和实验方法所揭示的缺陷和晶界对其物理化学性能的影响,并对其缺陷工程的若干研究领域提出了展望。
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| 关 键 词： | 二维纳米材料 二硫化钼 缺陷工程 力学性能 |
Progress in Mechanical Properties and Defect Engineering of Single Layer Molybdenum Disulfide |
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