| 基于Zn2SiO4:Mn的成像器件紫外增强薄膜制备及表征 |
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| 引用本文： | 倪争技,刘猛,张大伟,黄元申,庄松林. 基于Zn2SiO4:Mn的成像器件紫外增强薄膜制备及表征[J]. 光学精密工程, 2009, 17(9) |
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| 作者姓名： | 倪争技 刘猛 张大伟 黄元申 庄松林 |
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| 作者单位： | 上海理工大学,上海市现代光学系统重点实验室,上海,200093;上海理工大学,上海市现代光学系统重点实验室,上海,200093;上海理工大学,上海市现代光学系统重点实验室,上海,200093;上海理工大学,上海市现代光学系统重点实验室,上海,200093;上海理工大学,上海市现代光学系统重点实验室,上海,200093 |
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| 基金项目： | 国家科技部支撑计划资助项目，上海市科委资助项目 |
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| 摘 要： | 在CCD、CMOS等硅基光电成像器件的光敏面镀下变频薄膜将紫外波段的光变为可见波段的光,可实现CCD、CMOS等硅基光电成像器件的紫外响应.考虑Zn2SiO4∶Mn粒子直径小,稳定性好,荧光量子效率高等优点,本文用"旋涂法"在石英基底上生成Zn2SiO4∶Mn紫外增强薄膜,并对其透射光谱、吸收光谱、激发光谱与发射光谱等光学性质进行分析.实验测得薄膜在300 nm以下透过率极低并具有很强的吸收,在300 nm以上透过率很高且吸收很弱;激发峰在260 nm,发射峰在525 nm,可以实现将紫外光转化为可见光.分析了Zn2SiO4∶Mn薄膜的均匀性、厚度、稳定性等物理性质对其变频性能的影响.实验结果表明,利用Zn2SiO4∶Mn薄膜可以有效增强CCD等光电器件的紫外响应,实现光电器件的紫外探测.
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| 关 键 词： | 成像器件 紫外响应 Zn2SiO4∶Mn薄膜 |
Preparation and analysis of UV-enhanced Zn_2SiO_4:Mn films for image sensors |
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| NI Zheng-ji,LIU Meng,ZHANG Da-wei,HUANG Yuan-shen,ZHUANG Song-lin. Preparation and analysis of UV-enhanced Zn_2SiO_4:Mn films for image sensors[J]. Optics and Precision Engineering, 2009, 17(9) |
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| Authors: | NI Zheng-ji LIU Meng ZHANG Da-wei HUANG Yuan-shen ZHUANG Song-lin |
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| Affiliation: | NI Zheng-ji,LIU Meng,ZHANG Da-wei,HUANG Yuan-shen,ZHUANG Song-lin(Shanghai Key Laboratory of Modern Optics System,University of Shanghai for Science and Technology,Shanghai 200093,China) |
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