| 基于吸收系数修正的硅片激光弯曲模拟与实验 |
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| 引用本文： | 王续跃,胡亚峰,许卫星,吴东江.基于吸收系数修正的硅片激光弯曲模拟与实验[J].光学精密工程,2008,16(10). |
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| 作者姓名： | 王续跃 胡亚峰 许卫星 吴东江 |
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| 作者单位： | 大连理工大学,精密与特种加工教育部重点实验室,辽宁,大连,116024 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，国家高技术研究发展计划(863计划)，辽宁省自然科学基金 |
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| 摘 要： | 考虑热吸收系数随温度变化的因素，以硅为对象进行了激光弯曲模拟和实验。借助APDL语言编写了激光弯曲成形的仿真程序，对单脉冲作用过程进行模拟，以得到单点脉冲周期内的温度分布；采用NiCr／NiSi合金薄膜热电偶对单脉冲作用过程中的温度分布进行测量，对比上述的温度模拟与测量结果，修正硅材料的激光综合吸收系数为0．82。采用有限元分析软件实现了硅片的脉冲激光弯曲成形的仿真和模拟，并对硅片多次连续扫描的弯曲模拟与弯曲实验进行对比，误差仅为0．1°，验证了仿真程序的有效性，为硅片的激光弯曲成形提供了理论与实验依据。
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| 关 键 词： | 激光弯曲 吸收系数 脉冲激光 硅片 |
Modification of silicon absorbing coefficient in laser bending experiment |
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| WANG Xu-yue,HU Ya-feng,XU Wei-xing,WU Dong-jiang.Modification of silicon absorbing coefficient in laser bending experiment[J].Optics and Precision Engineering,2008,16(10). |
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| Authors: | WANG Xu-yue HU Ya-feng XU Wei-xing WU Dong-jiang |
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