| 808nm和980nm半导体激光迭阵波长耦合技术 |
| |
| 引用本文： | 顾媛媛,冯广智,单肖楠,邓鑫李,尹红贺,刘云,秦莉,王立军.808nm和980nm半导体激光迭阵波长耦合技术[J].光学精密工程,2009,17(1). |
| |
| 作者姓名： | 顾媛媛 冯广智 单肖楠 邓鑫李 尹红贺 刘云 秦莉 王立军 |
| |
| 作者单位： | 1. 中国科学院,长春光学精密机械与物理研究所,吉林,长春,130033;中国科学院,研究生院,北京,100039
2. 中国科学院,长春光学精密机械与物理研究所,吉林,长春,130033 |
| |
| 基金项目： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所三期创新工程资助项目，吉林省科技厅省长基金，吉林省与中国科学院院地合作资助项目，中国科学院装备预先研究项目，科技部国际合作资金资助项目 |
| |
| 摘 要： | 为提高半导体激光器输出光功率,可将多个半导体激光器输出光束耦合成一束激光直接输出或者由光纤耦合输出,以提高半导体激光源的亮度及光束质量.本文采用波长耦合技术进行激光合束,将两种不同波长的半导体激光束通过非相干技术经波长耦合器件耦合输出以实现大功率高效率输出.介绍了非相干耦合技术中波长耦合原理及关键技术,根据波长需要设计了耦合器件,并自行设计光学系统对光束进行扩束聚焦.实验将808 nm和980 nm两半导体激光迭阵光束通过上述技术进行合束, 最终实现了更高功率输出,耦合效率达70%,光斑大小为3 mm×3 mm,可满足将半导体激光器直接应用于熔覆、焊接等场合的要求.
|
| 关 键 词： | 激光技术 半导体激光器 非相干耦合 波长耦合 |
808 nm and 980 nm high power laser diode stack with wavelength coupling |
| |
| GU Yuan-yuan,FENG Guang-zhi,SHAN Xiao-nan,DENG Xin-li,YIN Hong-he,LIU Yun,QIN Li,WANG Li-jun.808 nm and 980 nm high power laser diode stack with wavelength coupling[J].Optics and Precision Engineering,2009,17(1). |
| |
| Authors: | GU Yuan-yuan FENG Guang-zhi SHAN Xiao-nan DENG Xin-li YIN Hong-he LIU Yun QIN Li WANG Li-jun |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
|
