| 硬脆材料的化学机械抛光机理研究 |
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| 引用本文： | 武昌壕,郭冰,姚光,赵清亮.硬脆材料的化学机械抛光机理研究[J].机械设计与制造,2014(2). |
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| 作者姓名： | 武昌壕 郭冰 姚光 赵清亮 |
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| 作者单位： | 哈尔滨工业大学机电工程学院; |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(51075093) |
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| 摘 要： | 化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing,简称CMP)技术是目前唯一可提供全局平面化的超精密表面加工技术,加工后无表面和亚表面损伤。该技术广泛应用于光学元件、微机电系统、集成电路芯片等表面的处理,可达到纳米级的表面粗糙度和微米级的面形精度。目前的研究主要集中在化学机械抛光工艺上,抛光机理尚未形成统一的学说。针对硬脆材料(Si、SiC)的CMP技术进行综述,介绍了CMP技术的发展现状,并对加工过程中存在的材料去除机理做了可能性解释,最后对CMP技术的发展和研究重点做了预测和建议。
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| 关 键 词： | 化学机械抛光 去除机理 影响因素 表面质量 |
The Chemical Mechanical Polishing Technique Research of the Hard and Brittle Materials |
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