| 退火工艺对薄膜型铂电阻热阻特性的影响探究 |
| |
| 引用本文： | 王金鹏,周晨飞,梁军生,王大志,任同群.退火工艺对薄膜型铂电阻热阻特性的影响探究[J].机电工程技术,2019,48(8). |
| |
| 作者姓名： | 王金鹏 周晨飞 梁军生 王大志 任同群 |
| |
| 作者单位： | 大连理工大学辽宁省微纳米技术及系统重点实验室,辽宁大连,116024;大连理工大学辽宁省微纳米技术及系统重点实验室,辽宁大连 116024;大连理工大学精密与特种加工技术教育部重点实验室,辽宁大连 116024;大连理工大学精密与特种加工技术教育部重点实验室,辽宁大连,116024 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金;国家自然科学基金 |
| |
| 摘 要： | 合理的退火工艺可有效改善薄膜铂电阻的热阻参数。为了探究退火工艺对于薄膜铂电阻热阻特性的影响,探究了陶瓷基底上由磁控溅射工艺制备出的宽度为60μm,高度为300 nm的铂热电阻,在经过不同的退火工艺处理后,其灵敏度、线性度的变化规律。结果表明:在500～600℃之间,退火温度越高,灵敏度越大,线性度越好;当退火温度大于500℃,保温时间的延长会使灵敏度降低,线性度变差;基底粗糙度的增大更易于获得灵敏度大的铂薄膜。所探究出的退火工艺可有效改善薄膜型铂电阻传感器的热阻特性,具有很好的参考价值。
|
| 关 键 词： | 薄膜铂热电阻 退火工艺 内部应力 灵敏度 线性度 |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ |
|
