| 一种采用铜牺牲层去除负性光刻胶残胶的工艺方法 |
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| 引用本文： | 丁飞,杨志峰,张帅,邹赫麟.一种采用铜牺牲层去除负性光刻胶残胶的工艺方法[J].机电工程技术,2021,50(7):101-104. |
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| 作者姓名： | 丁飞 杨志峰 张帅 邹赫麟 |
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| 作者单位： | 大连理工大学辽宁省微纳米技术及系统重点实验室,辽宁大连 116024 |
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| 摘 要： | 提出一种采用铜薄膜作牺牲层去除负性光刻胶残胶的方法,利用铜薄膜在湿法腐蚀过程中的侧蚀现象,将基底的平均残胶量从13.4个/mm2减小到0.2个/mm2.分别测试了金、铬和铜薄膜湿法腐蚀的侧蚀,实验表明铜最适合作牺牲层材料.测试了不同厚度铜薄膜的侧蚀速率,实验表明在腐蚀初期,厚度越薄侧蚀速率越快,但侧蚀的不均匀性越严重,当铜薄膜厚度为200 nm时,去除残胶效果最好.
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| 关 键 词： | 残胶 铜薄膜 牺牲层 湿法腐蚀 金属侧蚀 |
Process Method for Removing Negative Photoresist Residue by Using Copper Sacrificial Layer |
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| Ding Fei,Yang Zhifeng,Zhang Shuai,Zou Helin.Process Method for Removing Negative Photoresist Residue by Using Copper Sacrificial Layer[J].Mechanical & Electrical Engineering Technology,2021,50(7):101-104. |
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| Authors: | Ding Fei Yang Zhifeng Zhang Shuai Zou Helin |
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