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| PVT法制备4英寸碳化硅单晶研究 | |
| 引用本文： | 郭俊敏,郝建民.PVT法制备4英寸碳化硅单晶研究[J].现代仪器,2014(1). |
| 作者姓名： | 郭俊敏 郝建民 |
| 作者单位： | 中国电子科技集团公司第46研究所; |
| 摘 要： | 本文报道了采用PVT法,通过单晶横向延展技术,成功制备出了4英寸碳化硅单晶,结合计算机模拟计算,重点分析了籽晶石墨托几何结构对单晶尺寸延展的影响,结果表明圆台结构的籽晶石墨托更有利于单晶生长初期的迅速横向延展,进而实现大尺寸碳化硅单晶的生长,该理论分析结果与试验结果完全吻合。 |
| 关 键 词： | 4英寸 碳化硅 横向延展 计算机模拟 |
The research of 4 Inch Silicon Carbide Single Crystal by Physical vapor Transport |
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