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| 薄膜型锑化铟磁阻元件的研制 | |
| 引用本文： | 于成民,安银姬.薄膜型锑化铟磁阻元件的研制[J].仪表技术与传感器,1991(2):17-19. |
| 作者姓名： | 于成民 安银姬 |
| 作者单位： | 机电部沈阳仪器仪表工艺研究所，机电部沈阳仪器仪表工艺研究所，机电部沈阳仪器仪表工艺研究所 高级工程师 |
| 摘 要： | 本文用相平衡理论和半导体材料内电流分布状态的理论模型分析了半导体磁阻元件制造工艺和结构设计中的问题。提出了锑化铟磁阻元件的结构设计原则和三温度源蒸镀锑和铟薄膜及制备高灵敏度锑化铟薄膜的热处理工艺条件。试制出了R_B/R_0≥1.75的磁阻元件。主要技术指标达到了目前国际同类产品水平。 |
| 关 键 词： | 薄膜 锑化铟 磁阻元件 半导体 |
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