| 集电极偏置电流对硅npn晶体管γ辐照效应的影响 |
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| 作者姓名： | 程兴华 王健安 龚敏 石瑞英 蒲林 刘伦才 郭丰 杨晨 |
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| 作者单位： | 四川大学物理科学与技术学院 微电子学系,成都 610064;模拟集成电路国家重点实验室,重庆 400060;四川大学物理科学与技术学院 微电子学系,成都 610064;微电子技术四川省重点实验室,成都 610064;四川大学物理科学与技术学院 微电子学系,成都 610064;微电子技术四川省重点实验室,成都 610064;模拟集成电路国家重点实验室,重庆 400060;模拟集成电路国家重点实验室,重庆 400060;四川大学物理科学与技术学院 微电子学系,成都 610064;四川大学物理科学与技术学院 微电子学系,成都 610064 |
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| 摘 要： | 对硅npn双极晶体管(C2060)室温下不同集电极偏置电流条件下γ辐照的总剂量效应进行了研究.结果表明,npn晶体管的辐照损伤程度随着辐照总剂量的增加而增加;尤其是实验中发现:在相同的辐照总剂量下随着辐照时集电极偏置电流的增加,晶体管的辐照损伤程度却在减轻.空间电荷模型的观点并不能很好地解释辐照损伤与辐照集电极偏置电流的关系.文章对空间电荷模型进行了修正,认为除氧化物俘获电荷和界面俘获电荷外,还会在外基区Si-SiO2界面附近形成电中性的电偶极子.利用修正后的理论可以很好地解释所有的实验结果.
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| 关 键 词： | 集电极偏置电流 总剂量效应 电偶极子 空间电荷模型 |
| 文章编号： | 0253-4177（2007）08-1248-04 |
| 修稿时间： | 2007-04-11 |
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