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DOI
责任编辑
分类号
杂志ISSN号
Oxide Resistive Memory with Functionalized Graphene as Built‐in Selector Element
Authors:
Yuchao Yang
Jihang Lee
Seunghyun Lee
Che‐Hung Liu
Zhaohui Zhong
Wei Lu
Affiliation:
Department of Electrical Engineering, and Computer Science, University of Michigan, Ann Arbor, Michigan
Abstract:
Keywords:
resistive memory
RRAM
sneak path
graphene
threshold switching
trap‐limited conduction
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