| Kink效应对低温CMOS读出电路的影响 |
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| 引用本文： | 刘文永 冯琪 丁瑞军. Kink效应对低温CMOS读出电路的影响[J]. 激光与红外, 2007, 37(B09): 990-992 |
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| 作者姓名： | 刘文永 冯琪 丁瑞军 |
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| 作者单位： | [1]中国科学院上海技术物理研究所,上海200083 [2]中国科学院研究生院,北京100039 |
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| 摘 要： | 在深低温下（T〈50K），CMOS器件会出现Kink效应，即Ⅰ-Ⅴ特性曲线会发生扭曲。当漏源电压较大时（Vds〉4V），漏电流突然加大，电流曲线偏离正常的平方关系。本文通过实验表明，Kink效应对CMOS读出电路中的一些电路结构产生较严重的影响，Kink效应会导致源跟随器输出产生严重的非线性；对于共源放大器和两级运放，Kink效应会使其增益产生非线性。最后，针对影响低温读出电路性能的Kink效应进行分析和研究，提出在低温CMOS读出集成电路设计中如何解决这些问题的方案。
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| 关 键 词： | Kink效应 CMOS读出电路 低温 非线性 宏模型 |
| 文章编号： | 1001-5078（2007）增刊-0990-03 |
| 修稿时间： | 2007-06-19 |
Impact of Kink Effect on CMOS Readout Circuits for Cryogenic Operation |
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| LIU Wen-yong, FENG Qi, DING Rui-jun. Impact of Kink Effect on CMOS Readout Circuits for Cryogenic Operation[J]. Laser & Infrared, 2007, 37(B09): 990-992 |
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| Authors: | LIU Wen-yong FENG Qi DING Rui-jun |
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| Affiliation: | 1. Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200083, China ; 2. Graduate School of the Chinese Academy of Sciences, Beijing 100039, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Kink effect CMOS readout circuits low temperature nonlinearity macro model |
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