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| 高k栅介质InGaAs MOSFET结构的设计与仿真 | |
| 作者姓名： | 朱述炎 叶 青 汪礼胜 徐静平 |
| 作者单位： | 华中科技大学光学与电子信息学院;武汉理工大学理学院物理科学与技术系; |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(61176100) |
| 摘 要： | 利用半导体仿真工具Silvaco TCAD,研究了高k栅介质InGaAs MOSFET的三种结构:缓冲层结构、侧墙结构和基本结构。通过对三种结构MOSFET的阈值电压、亚阈值摆幅以及漏源电流进行比较分析,得出缓冲层结构InGaAs MOSFET具有最佳的电学特性,侧墙结构的MOSFET次之。进一步分析发现,当缓冲层结构InGaAs MOSFET的沟道厚度大于80nm时,可获得稳定的电性能。 |
| 关 键 词： | MOSFET InGaAs 高k栅介质 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |