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| 高迁移率IWO薄膜特性及其在薄膜硅/晶体硅异质结太阳电池中的应用研究 | |
| 作者姓名： | 沈磊磊 孟凡英 石建华 刘正新 |
| 作者单位： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所新能源技术中心;中国科学院大学 |
| 摘 要： | 采用反应等离子沉积(RPD)技术在玻璃衬底上制备掺W的In_2O_3(IWO)薄膜,实验发现氧偏压对薄膜特性影响较大。研究氧偏压对IWO薄膜光电特性的影响,低温条件下制备的薄膜结晶性较好,IWO迁移率达到60.0cm~2/(V·s)。经过退火处理后,IWO的迁移率达到120.0 cm~2/(V·s)以上。基于X射线衍射(XRD)和变温霍尔效应测试分析,高迁移率主要归因于良好的结晶性以及较低的晶界势垒。最后将优化的IWO薄膜应用到薄膜硅/晶体硅异质结(SHJ)太阳电池中,高迁移率有助于提高电池的短路电流和填充因子,获得高达22.3%的光电转换效率。 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |