| InAs/GaSb二类超晶格红外探测材料的ICP刻蚀 |
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| 作者姓名： | 陈永远 邓军 史衍丽 苗霈 杨利鹏 |
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| 作者单位： | 1.北京工业大学 北京市光电子技术实验室,北京 100124; |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(U1037602) |
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| 摘 要： | 分别采用 Cl2/Ar和SiCl4/Ar作为刻蚀气体对InAs/GaSb二类超晶格红外探测材料进行ICP（Inductively Couple Plasma）刻蚀。结果表明，两种刻蚀气体的刻蚀深度与刻蚀时间都呈线性关系；在2 mTorr气压下，RF功率为50 W，SiCl4流量为3 sccm，Ar为9 sccm时，刻蚀速率为100 nm/min，且与材料的掺杂浓度无关。实验还表明，SiCl4/Ar作为刻蚀气体时，Ar流量在很大范围内对刻蚀速率没用明显影响，但Ar的流量越大，刻蚀的均匀性越好；用Cl2/Ar作为刻蚀气体时，刻蚀速率也是100 nm/min，但Ar流量对刻蚀速率有影响:当Ar流量小于3 sccm时，刻蚀速率随Ar流量的减小而明显降低。
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| 关 键 词： | ICP刻蚀 InAs/GaSb 二类超晶格 SiCl4/Ar Cl2/Ar |
| 收稿时间： | 2012-06-12 |
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