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大功率及高转换效率2.1μm GaInSb/AlGaAsSb量子阱激光器
作者姓名:宋玉志  宋甲坤  张祖银  李康文  徐云  宋国峰  陈良惠
作者单位:1.中国科学院半导体研究所 纳米光电子实验室,北京 100083
基金项目:国家重点基础研究发展计划(2011CBA00608,2012CB619203);国家科技重大专项计划项目(2011ZX01015-001);国家自然科学基金(61036010,61177070,U1431231);北京市自然科学基金(4112058)
摘    要:报道了激射波长为2.1 m 的GaInSb/AlGaAsSb双量子阱激光器。通过优化外延结构设计和欧姆接触,无镀膜的宽条激光器达到了9.8%的峰值功率转换效率,这比原来的值提高了1.5倍,室温下得到了615 mW的连续激射功率输出和1.5 W的脉冲激射功率输出。这些激光器的阈值电流密度低至126 A/cm2,斜率效率高达0.3 W/A。通过测试不同腔长的激光器,测得内损耗和内量子效率分别为6 cm-1和75.5%,均比原有器件有很大提升。激光器在连续工作3 000 h后,功率没有明显下降。

关 键 词:GaInSb/AlGaAsSb   激光器   功率转换效率
收稿时间:2015-09-05
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