一种改进的基于110GHz在片S参数测试的HEMT器件寄生电阻提取方法

提出了一种改进的高电子迁移率晶体管寄生电阻提取方法,该方法利用了特殊偏置点 （V_gs > V_th, V_ds = 0 V）的等效电路模型, 推导了寄生电阻的表达式,采用半分析法对寄生电阻进行了优化。1 ~110 GHz S参数实测结果和仿真的S参数一致,证明该方法是有效的。     

一种改进的用于SiGe HBT的焊盘模型参数提取技术

提出了一种适用于Si基器件的焊盘寄生参数的提取方法,并将此方法提取的焊盘寄生参数结果与用近似法提取的焊盘寄生参数结果的精度作了比较。比较结果表明,文中提出的线性拟合法精度较高。焊盘寄生参数提取并剥离后,对AMS 0.35μm BiCMOS工艺加工的SiGe HBT的小信号等效电路进行参数提取,其中,外部电阻用基极"过驱动电流"法提取,本征参数用分析法提取,将参数提取结果代入模型进行仿真,仿真得到的S参数在整个测试频率范围内均与测试结果吻合良好。     

一种基于BSIM-CMG的FinFET变容管模型

提出了一种适用于FinFET变容管的建模方法.在BSIM-CMG的基础上,模型采用衬底模型和外围寄生模型来表征变容管的射频寄生效应.提出了具体的参数提取方法,将测试的S参数导入到安捷伦IC-CAP建模软件提取参数,测试结构引入高频寄生采用(open+ short)去嵌方法进行去嵌.通过调节模型参数拟合测试曲线得到FinFET变容管模型.该模型可精确表述FinFET变容管全工作区域特性,解决传统MOS变容管模型无法准确描述三维FinFET器件变容特性的问题.模型和模型参数提取方法采用20个硅鳍、16个栅指、158 nm栅长、578 nm栅宽的FinFET变容管进行建模验证,模型仿真和测试所得C-V,R-V和S参数特性吻合良好.     

一个适用于RFIC设计的RF MOSFET源漏电阻可缩放模型

提出了一个可用于0.18 μm CMOS工艺RF-MOSFET的源漏电阻的可缩放模型.采用了一种直接基于S参数测量的方法来准确提取端口的寄生电阻,该模型充分考虑了各种版图尺寸,如沟道长度,沟道宽度和栅极指头数目等参数的可缩放性.此后,该模型通过不同尺寸的共源连接RF MOSFET的测量和仿真的直流、小信号S参数特性比对,曲线达到了较好的吻合,表明我们的模型是精确而且有效的.     

肖特基二极管毫米波等效电路模型参数提取方法

提出了一种肖特基二极管的毫米波等效电路模型参数提取方法。该方法利用开路测试结构确定焊盘电容,并结合短路测试结构确定馈线电感;基于直流I-V特性曲线和小信号S参数分别提取了寄生电阻并进行了对比分析;给出了本征元件随偏置电压的变化曲线。在频率高达40 GHz的范围内,截止和导通状态下S参数的模拟与测试数据吻合良好,验证了提取方法的有效性。     

GaN HEMT开关器件小信号模型

GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)开关器件模型的研究对提高电路性能和缩短研发周期有着重要的意义.为了开发更加精确的电路模型,基于AlGaN/GaN HEMT开关器件的物理结构得到其等效电路模型.利用不同的方法提取开关器件的寄生电容、寄生电感以及寄生电阻.对于栅极附加有千欧姆量级偏置电阻的开关器件提出了一种新的本征参数提取方法.最后通过引入误差因子来评估该模型的准确性和应用在单刀双掷(SPDT)开关电路中检验模型的正确性.结果表明,误差因子E11 =E22＜2.96％,E12 =E21 ＜1.27％,开关电路拟合S参数与实测S参数结果基本吻合.所设计的小信号模型对未来GaN基电路设计提供了一定的理论指导.     

基于电磁仿真和测试的表面贴装器件建模

为了建立表面贴装器件的计算机辅助设计等效电路模型,必须考虑到寄生效应和测试夹具带来的影响,因此必须对测试夹具进行去嵌。以表贴电阻为例介绍了基于数值分析法和测量法去除夹具效应和提取电阻等效电路模型的方法。所提取的等效电路模型能够在高达10 GHz的频率范围内表征器件。     

RF CMOS工艺片上MOM电容的宽频带建模与验证

提出了一种新的基于RF CMOS技术的金属-氧化物-金属(MOM)电容宽频带建模方法。为了提高模型精度、扩展有效频带,模型在构造时加入了测试焊盘和输入/输出互连线的等效电路。测试结构是基于自身物理结构进行架构的,充分考虑了其在高频时引入的各种寄生效应。互连线模型考虑了高频时的趋肤效应。通过解析提取的方法,在低频时提取测试结构引入的容性和阻性寄生参数。采用物理公式计算互连线的等效电感和电阻以及高频下互连线产生的趋肤效应参数初值。对于模型拓扑结构和参数提取方法,采用40 nm RF CMOS工艺上设计所得连带测试结构MOM电容数据进行验证。在0.25～110 GHz的频率范围内,可得测试和仿真的S参数精确吻合。     

110 GHz铟磷异质结双极晶体管小信号模型参数提取方法

介绍了一种可以用于频率高达110GHz的InP基HBT小信号模型模型参数提取方法, 并且在所提出的模型中考虑了基极馈线的趋肤效应.该方法将直接提取和优化技术相结合, 将本征参数描述为寄生电阻的系列函数进行后续优化.实验结果表明在2～110GHz频率范围内S参数吻合很好.     

110 GHz铟磷异质结双极晶体管小信号模型参数提取方法（英文）

介绍了一种可以用于频率高达110GHz的InP基HBT小信号模型模型参数提取方法,并且在所提出的模型中考虑了基极馈线的趋肤效应.该方法将直接提取和优化技术相结合,将本征参数描述为寄生电阻的系列函数进行后续优化.实验结果表明在2～110GHz频率范围内S参数吻合很好.     

High speed performance of 1.5 mu m compressive-strained multiquantum-well gain-coupled distributed-feedback lasers

1.5 mu m compressive-strained multiquantum-well gain-coupled distributed-feedback lasers have been fabricated on semi-insulating InP substrates with very low parasitic capacitance for studying the laser dynamic characteristics. A maximum 3 dB bandwidth of 12.8 GHz under small signal modulation, a 20 dB down chirping width of 0.33 nm under modulation, a 20 dB down chirping width of 0.33 nm under 5 Gbit/s NRZ pseudorandom modulation, and a low chirping short pulse of 20 ps under gain switching are obtained.<>     

IC封装中互连线信号完整性的研究

随着电子芯片向着高密度、高频率和小体积化方向发展,IC封装的结构尺寸及其互连线系统在信号完整性、损耗等多方面影响着整个电路系统的可靠性。因此,对IC封装及其互连线电特性的分析显得尤为重要。文章以四列直插芯片封装外壳模型为设计实例,利用AnsoftQ3D软件提取了该封装模型的寄生电阻、电容和电感（RCL）,并结合Mult...     

New signal readout method for ultrahigh-sensitivity CMOS image sensor

We propose a new signal readout method that uses a charge-transfer circuit. Its application is to an ultrahigh-sensitivity CMOS image sensor on which an avalanche-mode photoconductive film is overlaid. The charge-transfer circuit makes it possible to obtain high signal-to-noise ratio features by transferring signal charges accumulated in each photodiode to a parasitic capacitance that is small compared with the photodiode capacitance. A 138 /spl times/ 138 passive-pixel prototype sensor that had the charge-transfer circuit in each column was fabricated and tested. The prototype's column-to-column fixed-pattern noise and random noise were, respectively, 56.7 and 58.4 dB below the saturation signal level, which demonstrated its potential as a signal readout circuit for a next-generation ultrahigh-sensitivity CMOS image sensor.     

倒装焊器件返修工艺

在焊接过程中,返修工作始终是其必不可少的一个组成部分.根据多年来SMT生产实践经验,针对目前倒装焊器件的种类,简单介绍了FC器件焊接故障定位的三种方式及加热焊接设备再流焊炉、返修台、热风枪的选用原则,详细介绍了倒装焊器件重新加热、拆植焊、拆焊、特殊返修四种返修工艺方法,可供有关人员参考.     

基于高开关频率精确模型的峰值电流型BUCK电源的补偿设计

针对工作在高开关频率的连续导电模式的峰值电流型BUCK电压源,建立了包含功率管导通电阻和寄生参数的精确小信号模型,设计一个新颖的电压环路的补偿模块,优化了瞬态响应。补偿模块仅增加一个极点,消除输出电容寄生电阻引入的零点。在此补偿模块基础上,分析了输出电压Vo对参考电压Vref的传递函数的频率响应,和补偿模块直流增益之间的关系,得出了补偿模块的最佳增益,使得输出电压对参考电压Vref的瞬态响应既快速又没有过冲和振荡,并且在Spice电路仿真中得到验证。     

Active IMPATT Diode Parameters Obtained by Computer Reduction of Experimental Data

This paper describes a method of determining the junction parameters of an IMPATT device from basic microwave measurements through the use of a computer program. The technique, which evaluates the parasitic without the use of substituted impedances, and the computer program are described. Typical small and large signal results obtained on Ge and Si IMPATT devices are presented.     

新型GaAs HEMT器件寄生电容的优化提取方法

针对优化提取参数的复杂度问题,提出了一种新的GaAs HEMT器件寄生电容的优化提取方法.提取寄生电容时,设置合适的优化范围,进行优化提参.采用三次参数优化,确保优化精度和模型准确性,避免了循环优化,提高了参数提取效率和参数优化效率.该方法不依赖器件的具体结构,减少了对器件结构假设所带来的误差.对17元件小信号等效电路...     

使用差分方法消除微机电滤波器的穿通以及对由此引入的陷波现象的分析

This paper presents and analyzes a notch observed in MEMS(micro electric mechanical system) filter characterization using the difference method.The difference method takes advantage of the cancellation of parasitic feed-through,which could potentially obscure the relatively small motional signal and lead to failure in characterization of the MEMS components.In this paper,typical clamped-clamped beam MEMS filters are fabricated and characterized with the difference method.Using the difference method a better performance is obtained but a notch is induced as a potential problem.Analysis is performed and reveals the mismatch of the two differential excitation signals in measurement circuit contributes to the notch.The relevant circuit design rule is also proposed to avoid the notch in the difference method.     

多层多参数多项加权分数阶傅里叶变换复合调制通信信号设计方法

为提高卫星通信信号的安全性能,该文提出一种多层多参数多项加权分数阶傅里叶变换(MWFRFT)复合调制通信信号设计方法。该方法针对传统多项加权分数阶傅里叶变换单层结构的被扫描威胁,将MWFRFT扩展至不同加权系数的多层结构,降低了系统的被扫描概率。同时,多层多参数MWFRFT(MPMWFRFT)系统通过对控制参数集的优化设计,解决了多层结构下的通信信号调制特征模拟。针对复杂电磁环境场景中的目标寄生信号和窄带信号干扰,引入扩频机制,设计了3层多项加权分数阶傅里叶变换和直接序列扩频复合调制系统(TLMWFRFT-DSSS)。仿真结果表明,该方法在保证较好通信性能的前提下,实现了多层通信信号的调制特征模拟,显著提高了系统的抗扫描性能。     

Determination of AlGaAs/GaAs HEMT parasitic resistances

An improved technique has been developed to measure source and drain parasitic resistances of AlGaAs/GaAs HEMTs. Similar to the measurement technique typically used for MESFETs, a positive d.c. gate crowding current is applied. Because of the structure of the HEMT, this gate current must be kept very small in order to prevent significant leakage into the AlGaAs layer, which would result in current paths not present in normal operation of the device. The small d.c. gate current necessary to limit the current in this leakage path did not yield a usable signal-to-noise ratio of the measured gate-source, gate-drain and drain-source voltages needed to calculate the parasitic resistances. To overcome this problem, modulation of the drain current with a low-frequency a.c. signal coupled with lock-in techniques to measure the desired voltages was implemented. The resulting improvement in signal-to-noise ratio has made the gate crowding technique suitable for measuring the parasitic resistances of AlGaAs/GaAs HEMTs.