浅谈半导体涂胶显影设备生产的洁净度控制

在半导体生产过程中,若生产设备存在杂质污染物会改变或破坏半导体的特性,因此,必须对杂质污染物进行严格控制。基于半导体制造厂对半导体涂胶显影设备中的污染颗粒要求,对半导体涂胶显影设备的零部件清洁过程、装配过程、调试过程、包装过程等环节污染颗粒管控进行介绍,对半导体涂胶显影设备中污染颗粒超标的常见问题进行分析,并提出污染颗粒的把控方法,以期为相关人员提供参考。     

全自动涂胶设备及涂胶工艺的研究

涂胶作为光刻工艺的重要环节,为了保证涂胶工艺质量,提高涂胶设备的自动化程度,减少中间污染环节,开发了一种全自动涂胶设备,通过对涂胶腔体和机械手等关键部件的改进,更好地满足了用户生产线要求;并通过对涂胶工艺中影响膜厚均匀性的重要因素进行研究、实验和分析,得出了适合用户生产线的工艺配方。     

TEL开始接受浸液式工艺涂胶显影设备（CLEAN TRACK^TM LITHIUS^TMi＋）的批量订货

TEL集团日前宣布，将于2006年元月开始接受浸液式工艺涂胶显影设备CLEAN TRACKL ITHIUSi＋的批量订货。     

方形基片喷雾涂胶工艺的优化

通过实验优化了方形基片喷雾涂胶工艺.以AZ6130光刻胶作为研究对象,实验过程中在改变胶液体积流量和氮气压力条件下,采用二流体喷头对方形基片进行喷涂,使用显微镜和粗糙度轮廓仪观察并测量其表面形貌.实验结果表明:在不改变其他实验条件下,氮气压力为0.03 MPa时,随着胶液体积流量从0.6 mL/min增加至2.2 mL/min,胶膜厚度从5.3 μm增加至19.0 μm,膜厚均匀性从3.5％增加至22.6％;胶液体积流量为1.0 mL/min时,随着氮气压力从0.01 MPa增加至0.09 MPa,胶膜厚度从6.5 μm降低至4.7 μm,膜厚均匀性从3.6％增加至15.6％.通过对实验基片的观察、测量与分析,得到方形基片制备过程中最优喷涂工艺为胶液体积流量1.0 mL/min,氮气压力0.03 MPa.     

AZ4620光刻胶的喷雾式涂胶工艺

对于一些MEMS应用,需要在形貌起伏很大的晶圆表面均匀地涂布光刻胶。喷雾式涂胶工艺满足了这些要求。研究了几种稀释的AZ4620光刻胶溶液的雾化喷涂性能,在沈阳芯源微电子设备有限公司KS-M200-1SP喷雾式涂胶机上进行了雾化喷涂试验,分别对裸片及深孔不同尺寸的晶圆进行喷雾式涂胶实验;特别研究了决定喷涂薄膜膜厚和均匀性...     

基于ITO玻璃基板的涂胶工艺研究

光刻胶涂布的厚度和均匀性直接影响细微光刻电路图形的精度,对电子产品的集成度和合格率有着极为重要的影响.基于ITO玻璃基板涂胶工艺实验,研究了影响涂胶厚度和涂胶均匀性的各种因素,包括光刻胶黏度、涂胶辊表面结构、胶辊压入量和涂胶速度等.针对几种常见的典型涂胶缺陷进行了研究分析,并制定了相应的解决对策.     

芯片涂胶的塑封器件超声检测工艺研究

基于超声检测原理,提出一套针对芯片涂胶的塑封器件超声检测工艺,防止将涂覆胶误判为分层缺陷,并通过理论分析与试验结果进行检测工艺适用性的验证,为利用超声检测手段检测和评价芯片涂胶的塑封器件内部界面分层提供判定准则。     

远红外烘烤高温印铁油墨工艺

本文从理论和实践的结合上介绍了一项用红外烘烤高温印铁油墨膜的新工艺。概括地阐述了高温印铁油墨对红外存在着强烈的吸收峰值,红外烘烤高温印铁油墨能提高其彩色度,大幅度地节约电能。文中还附有该炉的设计原理和主要技术指标。     

RRC工艺涂胶胶厚均匀性优化研究

为降低涂胶工序的生产成本,减少光刻胶的用量,需要在涂胶工艺上不断改进和提高。从原来传统的涂胶工艺到RRC(Reduced Resist Consumption)工艺,能够使光刻胶的用量减少,而随着光刻胶用量的减少,圆片上胶厚的均匀性也在发生剧烈的变化。同时光刻涂胶工序最重要的工艺要求就是胶厚和均匀性,它直接影响着后续曝光工艺的稳定性。在RRC工艺下,通过对喷胶转速、排风、喷胶速率等涂胶参数进行多次试验,最终找出影响胶厚均匀性的参数及其调整方法,来达到工艺要求的胶厚及均匀性,保障工艺生产的稳定性。     

间歇悬浮式厚胶显影工艺研究

介绍了一种间歇悬浮式厚胶显影工艺,采用该种显影工艺,对使用SU-8光刻胶进行涂胶,胶层厚度大于30μm的晶片进行显影。显影后的晶片进行电镀工艺,经过对显影后晶片上图形的观察和对电镀凸点的分析,证明该种显影工艺具有很好的效果。     

孤立接触孔掩模显影工艺优化

掩模(Mask)生产过程中,孤立接触孔经过显影之后的量测值(ADI)会比设计值偏大,往往会超出线条容差值(CD Tolerance)的范围,影响掩模生产质量;主要总结了工艺生产线影响显影结果的因素,然后通过几组对比试验讨论各个参数对显影结果的影响;最后通过实验验证了通过优化各个参数值,使孤立接触孔显影之后的量测值(ADI)能够满足实际生产质量要求,可以将线条偏差值控制在CD Tolerance范围以内。     

密封微电子器件真空烘烤工艺研究

重点讨论气密封装微电子器件真空烘烤工艺,首先介绍了影响气密封装微电子器件内部气氛的主要因素,这些因素形成的原因以及对气密封装微电子器件的危害。影响气密封装微电子器件可靠性及稳定性的内部因素主要是水汽。分析消除气密封装微电子器件内部水汽及污染物的原理及方法,并详细分析如何通过选择温度、真空度、氮气、烘烤时间以及循环次数等工艺参数,在封装之前对气密封装微电子器件(在-55~125℃范围内释气)进行真空烘烤循环工艺处理,来消除器件内部的水汽及表面吸附的污染物。     

显影计算尺的设计和应用

本文介绍了标准显影计算尺这一卓越的摄影研究成果，这是一件不可多得的暗室发明。阐述了多用标准显影计算尺的制作、使用及其有关Ｄ－７６、Ｄ７６１：１、Ｄ－２３等常用显影液的知识，可供摄影工作者使用之参考。     

远紫外无显影光刻的催化剂及工艺探讨

我们研制成了一种新型催化剂,它是由普通小分子有机化合物(如甲基紫等)和CMPS树脂。一起溶解在一定的溶剂中配制而成。用此催化剂做了远紫外曝光的各种腐蚀特性的实验,获得了满意的结果。     

远紫外无显影光刻催化剂及工艺探讨

研制成了一种新型催化剂,它由普通小分子有机化合物(如甲基紫等)和CMPS树脂,一起溶解在一定的溶剂中配制而成.用此催化剂做了远紫外曝光的各种腐蚀特性实验,获得了满意的结果.     

大幅面光刻胶板的显影工艺与终点控制技术

为了均匀显影大幅面激光全息光刻胶板,获得最佳衍射效果,使用自动喷淋显影工艺技术.文章讨论了显影方法及工艺对显影槽深均匀性的影响,包括激光的曝光能量,显影药液的浓度、温度、时间及胶板入液先后时间.通过多种显影方法比较,自动喷淋显影可以克服人工显影操作引起的时间、平稳性误差导致大幅面全息光刻胶母版显影不均匀、光栅槽型、终点控制和重复性差等缺陷,获得最佳显影效果.     

涂胶返腐法无机介质表面平坦化工艺研究

研究了涂胶返腐法无机介质表面平坦化的工艺理论及方法。首先通过求解一阶偏微分方程的定解问题，得到了用函数表示的平坦化表面与平坦剂表面，无机介质表面及腐蚀速度间的解析关系，并据此对实现平坦化的条件进行了全面分析；研究了以光刻胶作为平坦剂的最佳工艺条件，引入了平坦度（Ｄｏｐ）的概念，测量了工艺结果，介绍了计算平坦剂形貌的Ｗｉｌｓｏｎ经验模型及实现完全平坦ＰＢＭ法；在Ｔｅｇａｌ９０３ｅ设备上采用ＣＨＦappe     

物理显影工艺对集成电路照相掩模的改善

菲利浦研究实验室研制成一种新的物理显影版(PD—Platte),从而获得较高的溶解度及较好的边缘清晰度,此外,重复性也有重大的改进。原则上,物理显影工艺完成了这目的,因为在物理显影工艺中运用了高吸附作用的光敏化合作用,在只有1.6微米厚层中分散。曝光后形成的潜象通过物理显影工艺在两个处理阶段中作金属