光有源集成器件与光模块技术新进展

光通信有源器件及其技术正在向高速率、模块化、集成化、多功能、灵活性、低成本方向发展。光集成器件和光模块已成光通信的热点技术，最近几年取得重大进展。     

有源器件光集成的热点技术分析

1前言光集成器件由于其综合成本低、体积小巧、易于大规模装配生产、工作速率高、性能稳定等等优点,早在20世纪70年代就引起了世人的关注和研究。在随后的三十多年里,随着光波导制作技术以及各种精细加工技术的迅速发展,光     

我国光纤通信用光器件产业的现状和发展

概述了我国光纤通信用光有源器件和光无源器件的现状和发展方向.     

光纤通信有源器件的发展现状

光纤通信技术的飞速发展使其成为当今信息社会的重要支柱。其发展的基石是有源和无源半导体光电子器件。综述了几种主要的有源光电子器件的研究现状及其发展趋势,包括高速调制DFB激光器及其集成芯片、EDFA泵浦源用980 nm半导体高功率激光器、化合物半导体光电探测器、硅基长波长光电探测器等。     

光有源器件中的光集成技术演变

从光集成技术在光有源器件中的应用与发展的角度出发,结合硅光平台、平面光回路、光子集成回路以及光电子集成回路等基本的光集成技术平台,分析了光有源器件中的光集成技术的演变趋势,并给出了对未来光集成技术发展的展望。     

混合无源元件与有源器件的光子模块

Digital Optics公司(位于新喀里多尼亚岛的Charlotte),是一家生产数字式传输系统所应用的特殊芯片的制造商。该公司开发了一种被命名为光子芯片(Photonic Chips)的产品。该产品是集成微光学子部件(IMOS,integrated micro-optical sub-assemblies)。这种混合集成模块在晶圆片规模上,包含有无源元件和有源器件;制造过程中使用     

光通信有源器件发展水平与趋势

本文综述了光通信有源器件的发展水平与趋势。     

光纤通信中一些新型光器件的研究与发展现状

本文介绍了光纤通信中使用的光开关及其阵列、组合型光无源器件、光纤光栅、光纤激光器、光纤放大器、全光波长变换器、MEMS器件、光电集成器件等的近期研发现状,并展望了光器件未来的发展趋势.     

光纤通信中一些新型光器件的研究与发展现状

本文介绍了光纤通信中使用的光开关及其阵列、组合型光无源器件、光纤光栅、光纤激光器、光纤放大器、全光波长变换器、MEMS器件、光电集成器件等的近期研发现状,并展望了光器件未来的发展趋势.     

硅基集成光电子器件的新进展

综述了硅基微纳激光器、调制器、探测器及光传输控制器件的最新研究进展.重点阐述了表面等离子体、量子阱、光子晶体及纳米光栅等新型结构在提高器件综合性能和降低器件尺寸方面的重大作用.同时,还展示了用标准互补金属氧化物半导体(CMOS)技术,实现硅基光子器件和电子器件在同一基片上微纳集成的巨大前景.     

硅光子器件及其集成技术的研究

主要探讨了偏振分集光路、可调光衰减器、波导耦合型锗光电探测器等硅光器件的研究进展,分析了其结构及技术参数,随后探讨了VOA-PD单片集成技术以及VMUX单片集成技术两种硅基单片集成技术,指出硅光子器件的性能指标已经能满足现代光纤通信系统的要求。     

倾斜腔结构对量子点光有源器件性能的影响

Quantum-dot laser diodes （QD-LDs） with a Fabry-Perot cavity and quantum-dot semiconductor optical amplifiers （QD-SOAs） with 7° tilted cavity were fabricated. The infuence of a tilted cavity on optoelectronic active devices was also investigated. For the QD-LD, high performance was observed at room temperature. The threshold current was below 30 mA and the slope efficiency was 0.36 W/A. In contrast, the threshold current of the QDSOA approached 1000 mA, which indicated that low facet reflectivity was obtained due to the tilted cavity design. A much more inverted carrier population was found in the QD-SOA active region at high operating current, thus offering a large optical gain and preserving the advantages of quantum dots in optical amplification and processing applications. Due to the inhomogeneity and excited state transition of quantum dots, the full width at half maximum of the electroluminescence spectrum of the QD-SOA was 81.6 nm at the injection current of 120 mA, which was ideal for broad bandwidth application in a wavelength division multiplexing system. In addition, there was more than one lasing peak in the lasing spectra of both devices and the separation of these peak positions was 6-8 nm, which is approximately equal to the homogeneous broadening of quantum dots.     

单纤三向器件平面光波导芯片结构优化设计

文章对采用平面光波导技术的单纤三向器件(Triplexer)芯片结构的参数进行了优化设计,对单元结构的光谱响应进行了模拟计算,通过数值模拟分析了结构的工艺容差性.结果表明,采用双模耦合器和M-z干涉仪结构可以得到工艺容差性高、光谱响应优良的适用的Triplexer器件.     

10 G-EPON光电器件的研制

文章首先对万兆以太网无源光网络(10 G-EPON)的网络拓扑结构、波段的分配和功率预算作了介绍,接着以非对称10 G-EPON 光网络单元(ONU)端单纤双向器件(BOSA)为例,对器件研制的关键技术进行了简要探讨,最后介绍了对样机进行的全面测试,并对测试结果做了分析.     

打造光器件的“中国芯”

中国芯一直是光通信产品领域民族企业自主研发创新能力的代名词。拥有中国芯也成为民族企业具备国际竞争力的一个重要标志,重视自主研发的WTD(武汉电信器件有限公司)在三十年成立之际,深刻诠释了中国芯的真正内涵。走进WTD,感受最深的是WTD特色研发实力——从芯片、器件到高速率光收发模块,WTD掌握了光     

波分PON离真正商用还有多远

国内PON的商用化探讨研究和部署起步于2005年。随着国家宽带战略和三网融合政策的支持,PON作为最合适的技术选择已经得到了业界的公认,然而有关PON的技术路线却一直在进行着激烈的博弈。从目前来看,PON技术沿着两个方向发展。一个是单波长更高传输速率,如10G-EPON和XG-PON。     

单电子器件制备技术的新进展

介绍了近年内,以不同材料类型和结构形式为器件有源区的单电子晶体管在制备技术方面所取得的一些新进展。     

有源矩阵FED器件用的单块集成多晶硅FEA与TFT

本文给出了制作在有源矩阵场发射显示（AMFED）器件绝缘基底上的集成多晶硅场发射阵列（p-SiFEA）与薄膜晶体管（TFT）。这里的TFT设计即使在高漏电压下也具有低断路电流。集成P—SiTFT主动地控制着P-SiFEA的电子发射,从而导致了对于发射稳定性及15伏以下低压场发射的极大改进。本技术有在玻璃基底之AMFED上应用的潜力。     

三网融合中PON技术的设计

1前言 电信网、互联网、广播电视网三网的融合,可实现三网互联互通、资源共享,为用户提供语音、数据和广播电视等多种服务。这些融合服务要求通信网络向数字化、宽带化、综合化、智能化方向发展。在近两年中,PON技术获得快速发展,已成为通信网络领域的热点技术。