纳米灯

<正>德国马普学会固态研究所的科学家们最近开发出了一种新光源,通过将光源发光和晶体管控制亮度这两种功能集成在一个分子上,制成了纳米灯。分子不仅能打开和关闭灯,而且能在几毫伏的范围内调节明暗,它在这方面的功能类似于发光晶体管。电场中分子位置的微小变化决定了是否产生光,这使     

基于单根TaON纳米带的光晶体管与紫外到近红外响应

用Ta₂O₅ 纳米带模板转化法控制合成TaON纳米带, 典型的纳米带长约0.5 cm, 横截面积40 nm×200 nm~ 400 nm×5600 nm。在SiO₂/Si基片上加工出TaON单根纳米带的场效应晶体管; 该晶体管的电子迁移率和开关比分别为9.53×10 ^-4cm ²/(V·s)和3.4, 在254~850 nm范围内显示良好的光响应。在405 nm (42 mW/cm ²)的光照下, 外加5.0 V的偏压时, 光响应为249 mA/W, 光开关比为11。因此, 该器件具有良好的光探测性, TaON纳米带可作为光电子器件的候选材料。另外, 实验还控制合成出Ta₂O₅@TaON纳米带, 并加工成单根纳米带的场效应晶体管, 虽然相同光照条件下的光响应弱于TaON 纳米带, 但仍算是一种好的光电材料。     

一种微流控阵列光开关芯片

介绍一种微流控阵列光开关芯片,通过对光开关中微流体位置的控制,来控制光路中的光束的透射及全反射,以此实现光的"开"和"关"的动作.讨论光开关的耦合损耗等参数.该器件具有结构简单、功耗低、能实现集成化和微型化制作等特点.     

光诱导电子转移理论及其在分子开关上的应用进展

电子的激发使分子内给体和受体之间发生电子转移（ＥＴ），从而生成不同于初始状态的电荷分离态（ＣＴ）。两种态如果具有一些可测光物理性能的差别，就可以用于作为分子开关（ＭｏｌｅｃｕｌａｒＳｗｉｔｃｈｅｓ）。这种分子开关表现出非常优异的开关性能。本文对有机分子开关和分子内电子转移的基本理论作了较为全面的描述，并阐述了这一电子转移的理论在分子开关上的应用。     

光开关转换时间测试仪的研制

作为自动交换光网络中的核心器件,光开关将在未来全光网中发挥着重要作用,并成为未来光联网的关键技术。准确测量光开关的转换时间为其应用在不同领域提供了参考。     

具有高散射能力的聚合物导光材料

将一种作为散射体的聚合物均匀分布于另一种透明聚合物基质材料中，两者之间形成的微相分离产生过量的光散射，从而制备出具有光散射导光特性的光材料，考察了光散射体的分子量，含量及两种聚合物之间的相容性对导光材料光散射能力的影响。     

光开关转换时间测试仪的研制

作为自动交换光网络中的核心器件，光开关将在未来全光网中发挥着重要作用，并成为未来光联网的关键技术准确测量光开关的转换时间为其应用在不同领域提供了参考。     

一种用于通信C波段的光轨节点无源集成芯片

光轨是一种新型光通信网络结构,具有交换粒度小、带宽利用率高等优点。本文提出一种应用于通信C波段的新型光轨节点无源集成芯片,支撑1 545 nm、1 550 nm和1 555 nm三个C波段波长的通信。该新型光轨节点无源集成芯片是一种基于SOI纳米波导材料的片上微器件系统,核心器件由基于微环谐振器的解复用器和基于马赫-泽德尔干涉仪的环加强型热光光开关构成。通过理论计算和软件仿真,分别分析了解复用器和光开关的光学和通信性能,结果显示微环解复用器3个波长信道的串扰分别为22.5 dB、16.9 dB和16.3 dB;光开关的消光比分别为16.6 dB、19.7 dB和21.5 dB;插入损耗分别为0.86 dB、0.85 dB和0.68 dB,功耗约为51 mW。     

光散射材料可使显示图象最佳化

美国纽约州阿斯特拉公司研制出一种丙烯光散射材料，可有效地将光从较弱光源引导至显示表面。这种称作Clarex DR—Ⅲ的材料是一种聚甲基丙烯酸酯（PMMA）加添加剂制成的，两边有特殊的无光光洁度。     

奥玻研发生态玻璃能让植物快速生长

据邯郸晚报,不依靠化肥、农药,仅靠一种特殊的玻璃就让植物快速生长?近日,记者在奥玻集团科研与产品体验中心,见到了这种填补国内空白的LED转光生态玻璃。LED转光生态玻璃,由我市奥玻集团与天津理工大学合作研发,这种玻璃利用转光材料,将光线中的紫外光转换成植物光合作用最敏感的660纳米波长的红光与蓝光。     

基于光声技术的火灾气体探测系统设计

近年来，针对标识性气体的探测成为火灾探测技术中发展最活跃的领域之一。将可检测极低浓度的某一气体的光声检测技术应用于极早期火灾气体产物的检测是一个新的尝试，将可能实现高灵敏度、高可靠性的火灾探测。但常规光声气体检测设备结构复杂、价格昂贵，必须恰当的重新设计才能应用到火灾探测系统中。分析了该技术在火灾探测中应用的关键问题,并提出了一种利用光声腔和光源间的“自由吸收路径”进行测量的光声气体探测系统，避免了对光源的窄带滤波要求，实现了在线式的气体检测。起始状态下，光声腔密封有纯CO气体，吸收光源中4.6 μm的辐射，产生一定强度的初始光声信号；当火灾气体产物流经吸收路径时，其中的CO气体吸收使到达光声腔的光辐射在4.6 μm波长上发生衰减，导致光声信号减弱，这个信号的变化量就反映了吸收路径中的CO气体浓度。     

石墨烯晶体管开关频率提高1000倍

美国科学家使用世界上最纤薄的材料——石墨烯研制出一种晶体管,新晶体管拥有创纪录的开关性能,将开关频率提高了1000多倍,这使得其可以广泛应用于未来的电子设备和计算机中,使其功能更强,性能更优异。     

液冷放映机液流不畅问题的判断和解决方法

放映机液冷系统是给放映机光引擎和激光光源散热的关键部分,它直接关系到机器是否能正常运行,如果液冷循环不畅或堵塞,则会导致放映中灭灯(或关闭光源)保护,要是它被堵塞伤到了光引擎电路(或激光光源单元)而停映那就损失大了,所以液冷系统畅通无阻对放映机很重要。     

无源光网络中突发光功率计校准方法的研究

介绍了一种利用连续光功率计和示波器进行突发光功率计校准的方法,设计制作了稳定度为±0.01dB/15 min的脉冲光源,通过将脉冲功率的直接测量转换为平均功率的间接测量,实现了突发光功率量值的有效溯源。给出了不确定度评定方法,在0.1 dB分辨力条件下测量不确定度达到0.2dB(k=2)。该方法和装置被广泛用于无源光网络突发光功率计的校准,保证了实际工程中突发光功率测量的准确性。     

X光照引起的Cu2p3／2光电子峰位移及酞菁铜分子内的电荷转移

用光电子谱研究了X光辐照下酞菁酮分子内的电荷转移情况。通过改变X光源的功率，发现高功率下Cu2p3/2的光电子峰相对于低功率下的Cu2p3/2峰有0.11eV的位移。由此推断在X光辐照下，有负电荷从铜原子转移到分子的其他部分。这一现象有助于解释金属酞菁在光照下分子内的电荷转移机理及光导现象。     

氦光泵磁敏传感器抽真空及精确充气系统的研究

氦磁敏传感器是氦光泵磁力仪的核心部件。其中氦光源的制作工艺直接影响整机的性能。为此建立一套抽真空及精确充气的设备。其中,抽真空部分主要由机械泵、涡轮分子泵和离子泵组成。通过高精度微漏阀和薄膜压力计实现精确充气。所制氦光源可利用高压发生器及高频振荡器来激励,并测试了其光谱。利用该设备成功研制出高性能的氦光源。该设备的成功研制为其他磁力仪的相关核心部件的研制提供了经验。     

新型光开光的研究及其在光网络中的应用

针对DWDM光网络的核心器件以及影响光网络性能的主要因素之一的光开关，概述了共目前的各种技术，尤其分析了目前比较成熟，性能比较良好的热光开关和微机械光开关的原理和性能，并对其在光网络中的应用进行了分析。     

大功率晶体管发热的原因及防止方法

晶体管具有功率放大作用 ,然而并非晶体管本身能够产生能量 ,实质是通过晶体管把电源的能量转换成输出信号能量。在转换过程中 ,晶体管还要消耗电源的一部分能量。大功率晶体管在功率放大时 ,集电结上总是加有较高的反向电压 ,同时集电极电流也较大。集电结上的电压和通过的集电流决定着集电结上的耗损功率的大小。晶体管内部耗损的这部分能量要转换成热能 ,使晶体管发热。如果晶体管耗损的功率比较小 ,热量能及时散发掉 ,晶体管就能正常工作 ;如果晶体管耗损的功率比较大 ,热量不能及时散发掉 ,晶体管的温度就会逐渐升高 ,当温度超过晶体管…     

MEMS光开关应用于机群系统光互连网络

建立了千兆位传输结构的高性能光互连网络 ,以提高计算机机群系统的网络性能 .利用MEMS 4× 4光开关和具有硬件路由功能的光互连网络PCI总线接口卡构成光互连链路 .光信号传输速率达 1Gbits/s以上 .基于MEMS的全光无堵塞光开关减少了光 电转换 ,开关方式与光信号的波长、速率和数据格式无关 .利用这种网络结构 ,可以最大限度地减少网络延迟和网络通信开销 ,提升了机群系统的总体性能 .利用MEMS 8× 8光开关设计了星型环型混合拓扑的光互连网络 .采用了具有硬件路由功能的光互连网络接口卡 ,并以Ethernet为控制网络实现了对MEMS光开光的动态配置 .分析并测试了光互连网络的通信性能 :峰值数据传输率可达 1Gbits/s ;数据量在 3Mbytes以上时 ,网络整体性能明显提高     

美科学家研制出“病毒晶体管”

脑病毒和手机病毒令人头痛，生物意义上的病毒却可能用来制造新型晶体管，使芯片功能更加强大。美国科学家已经用烟草花叶病毒制造出了开关速度非常快的“病毒晶体管”。晶体管的开关速度直接关系到芯片处理信息的速度。如果能将“病毒晶体管”大量集成制造成芯片，可望大大提升电子设备的性能。例如，数码相机显示一张照片原本需要若干毫秒，使用新芯片后所需时间可缩短到微秒级别。