等离子平板显示选址芯片设计

采用标准CMOS工艺设计出PDP(Plasma Display Panel)选址芯片，重点设计出一种高压结构-HV—CMOS(High Voltage CMOS)结构，采用单阱非外延工艺以降低生产难度和成本，实现了高低压之间的兼容。同时采用TSLIPREM-4对该结构进行工艺模拟、并用MEDICl分析其电流-电压和击穿等特性，说明该结构可以满足设计要求。     

PDP选址驱动芯片HV-CMOS器件的研究

文章提出了一种适合PDP选址驱动芯片的HV-NDMOS（High Voltage N-channel Lateral Double-diffused MOSFET）工艺结构，并通过二维MEDIC^[1]软件对该结构进行模拟，论证了其独特的优越性-防穿通。同时提出了HV-PMOS（High Voltage P-channel MOSFET）的厚栅氧刻蚀方法-多晶硅栅自对准刻蚀。     

PDP扫描驱动芯片中高压VDMOS器件的设计

PDP扫描驱动芯片完成高低压转换和功率输出,要求器件耐压170v.本文基于BCD工艺,提出了高压器件VDMOS的结构,采用了不附加工艺的场板和场限环两种终端结构提高器件耐压,并利用器件模拟软件MEDICI进行了仿真验证,得到了优化的器件结构参数.     

PDP显示驱动芯片的高速高低压接口电路的设计

从分析影响PDP显示驱动芯片中高低压接口电路的工作速度的几个方面出发,提出一个改进了的高速高低压接口电路,从电路结构上改善了驱动芯片的频率特性,进而为等离子显示的高分辨率大屏幕化提供了有利条件。通过Hspice模拟验证了改进结构的速度性能比传统结构提高了5％～10％。     

一种1024级灰度大电容负载的LCD驱动芯片设计

设计了一种基于动态扫描原理的液晶显示(LCD)驱动芯片。该芯片为高压CMOS数模混合集成电路并支持输出频率可选功能。芯片输入数据频率为13.5MHz,输出1 024级256列模拟电压信号直接驱动LCD,输出电压幅度可达12V以上。负载为200pF时,最大摆幅上升/下降时间小于5μs。芯片采用新加坡特许半导体(Chartered)0.35μm、18V高压工艺设计,并进行了仔细的版图设计以减小匹配误差,仿真结果显示电路性能完全满足设计指标要求。     

浙大研制成功PDP显示扫描驱动IC芯片

日前，浙江大学信息学院微电子与光电子研究所成功研制出数字电视等离子平板显示器（Plasma Display Panel，简称PDP）扫描驱动电路的IC芯片，打破了我国在该类芯片一直依赖进口的局面。随着该芯片的成功研制，一条拥有完全自主知识产权的2．5um 170V高压BCD工艺生产线也在项目合作单位杭州士兰集成电路有限公司问世。[第一段]     

薄栅氧高压CMOS器件研制

研制了与 0 .5μm标准 CMOS工艺完全兼容的薄栅氧高压 CMOS器件 .提出了具体的工艺制作流程 -在标准工艺的基础上添加两次光刻和四次离子注入工程 ,并成功进行了流片试验 .测试结果显示 ,高压 NMOS耐压达到98V,高压 PMOS耐压达到 - 6 6 V .此结构的高压 CMOS器件适用于耐压要求小于 6 0 V的驱动电路 .     

薄栅氧高压CMOS器件研制

研制了与0.5μm标准CMOS工艺完全兼容的薄栅氧高压CMOS器件.提出了具体的工艺制作流程-在标准工艺的基础上添加两次光刻和四次离子注入工程,并成功进行了流片试验.测试结果显示,高压NMOS耐压达到98V,高压PMOS耐压达到-66V.此结构的高压CMOS器件适用于耐压要求小于60V的驱动电路.     

等离子显示器扫描驱动芯片的设计

分析了PDP扫描驱动芯片的结构和工作原理,介绍了芯片的系统设计、电路仿真、器件模拟和全定制版图设计,设计的芯片具有较好的功能和驱动特性。该芯片的数字电路部分采用0.6μm双多晶硅双金属线标准CMOS工艺实现。对样片进行了测试,结果表明,电路功能达到设计要求,可同时驱动16路高压输出电路,最高工作频率达到60 MHz。     

平板显示器件通用驱动电路IP核的设计

介绍了一种全新的平板显示器件通用驱动电路IP核的总体设计。采用自顶向下的设计方法将其划分为几个主要模块，并分别介绍各个模块的功能，用VHDL语言对其进行描述，并用FPGA实现。通过仿真验证，该IP核具有良好的移植性，规模可调，可用于多数不同种类和不同规模的平板显示器件。     

平板显示器驱动芯片高低电压转换电路

LCD、PDP、VFD等各类平板显示器已越来越受到人们关注与喜爱,但大多数平板显示器需要专用的功率驱动芯片来驱动其发光显示,各类专用功率驱动芯片又离不开高低电压转换电路,高低电压转换电路性能的好坏直接影响到驱动芯片的稳定性和功耗等。通过比较平板显示器驱动芯片的几种典型高低压转换电路,设计出一种带有电流源的CMOS型高低压转换电路,它具有最佳的性能指标,该电路不但可以为平板显示器驱动芯片使用,还可以作为其他各类驱动芯片的高低压转换模块使用,最后给出一种具体的平板显示驱动芯片高压CMOS器件结构。     

PDP扫描驱动电路中高压功率MOSFET的设计

提出了一种适合于PDP扫描驱动电路的高压功率LDPMOS和VDNMOS功率器件结构,此结构可用BCD工艺实现,其耐压高、高低压兼容性好、易集成.MEDICI模拟结果表明击穿电压可达200V.     

高低压兼容单片CMOS驱动器的设计

采用标准n阱硅栅等平面CMOS工艺,将耐压大于200V、吸收电流大于200mA的高压功率VMOS器件与工作在5V电源电压的CMOS控制电路兼容在同一个硅芯片上。分析了电路设计及工艺措施,证明这种技术可以低成本地制作各种低高压兼容电路。     

交流彩色PDP的驱动集成电路

主要介绍ＡＣ彩色ＰＤＰ驱动技术的发展，为增大面积和提高亮度而采用存储式脉冲驱动，为适应需要高压驱动而设计的介质分离和结分离耐高压工艺，选择两各寻址的扫描集成块。并着重介绍富士通公司开发的全色交流区动系统－－寻址周期分离系统（ＡＤＳ－Ｓｕｂｆｉｅｌｄ）子场驱动法。     

彩色AC-PDP寻址驱动芯片的研究

本文主要分析寻址驱动芯片μ PD16327的电路功能,并用MEDICI软件对其高压管进行耐压仿真,实验结果证明耐压符合要求.     

一种PDP扫描驱动芯片的HV-PMOS的研究和实现

对一种适用于106.68cm PDP扫描驱动IC的HV-PMOS器件进行了分析研究。通过使用TCAD软件对HV-PMOS进行了综合仿真,得到了器件性能最优时的结构参数及工艺参数。HV-PMOS器件及整体扫描驱动IC在杭州士兰集成电路公司完成流片。PCM(Process control module)片上的HV-PMOS击穿电压达到了185V,阈值为6.5V。整体扫描驱动芯片的击穿电压达到了180V,满足了设计要求。