一种基于电荷保持的MOSFET低损驱动电路

本文提出一种基于电荷保持的MOSFET低损驱动电路,对电路的工作原理、性能特性进行分析,并建立仿真模型。该驱动电路由变压器原边H桥、驱动变压器T及副边次级驱动电路构成;原边H桥由四个MOSFET组成,副边次级驱动电路由两个MOSFET及一双向开关管组成。通过理论计算与仿真分析可知该驱动电路具有驱动效率高、既能驱动单管也能驱动双管、驱动电路的开关部分能实现软开关等优点。     

基于MOSFET适用于母线开关的浪涌抑制电路

依据MOSFET功率开关管可工作于线性区,其寄生电容参数值会影响MOSFET开关特性的固有属性,提出一种基于MOSFET适用于航空航天母线开关的浪涌抑制电路。通过MOSFET外围稍加电阻电容器件等同于改变MOSFET的寄生电容,使其开关特性曲线改变。当母线开关接通时,由于电源输入端滤波电容的影响,将出现浪涌,此时使MOSFET开关管工作于线性区,通过MOSFET的恒流作用,达到为后端容性负载充电,从而起到抑制浪涌的作用。通过原理分析、电路仿真及实验验证,表明该电路能够作为母线开关同时有效起到浪涌抑制作用。     

基于电机励磁控制的斩波器吸收电路参数选取

某船用直流电机的励磁控制系统因吸收电路中的吸收电阻发热导致MOSFET管烧毁。基于励磁控制系统主电路的吸收环节,即一种采用调频板给予电路中MOSFET管PWM信号的带整流桥的降压电路拓扑结构,在确定电路中滤波电容与励磁绕组阻抗值大小的前提下,从吸收电阻耗能、降低MOSFET管开通峰值电流、交流端输出幅值电压3个方面考虑,对该吸收电路环节中电阻、电容参数的选择进行了仿真实验研究和最优选取。结果表明适当增大吸收电容和吸收电阻参数值可以有效地抑制开关管开通峰值电流,而且前者会增加吸收电阻的耗能功率,后者可以减小开关管开通时流过吸收电阻的冲击电流。从而得出结论,正确选择吸收电阻、电容参数值可以满足该励磁控制电路的稳定性和可靠性。     

基于光耦HCPL4504和专用芯片UCC27321/2的游艇电机驱动电路设计

随着对无刷直流电动机(BLDCM)的深入研究,其在游艇电机中得到了应用。游艇电机逆变器选用功率MOSFET作为功率开关管。由于驱动电路的优劣直接影响MOSFET的开关特性、逆变器的效率,以及电机的可靠性,所以驱动电路的合理设计显得尤为重要。而且由于游艇电机转速的变化要求驱动电路工作频率相应变化,常规的隔离变压器驱动电路不适合在这种场合下工作。为此,本文中基于光耦HCPL4504和专用驱动芯片UCC27321/2构成了一种新颖的驱动电路,其外围器件少、电路简单可靠、成本低,非常适合多个并联MOSFET的驱动。实验结果验证了设计的合理性与可行性。     

反作用飞轮的可靠性研究

为了提高反作用飞轮工作的可靠度,并对飞轮的设计提出改进措施,本文进行了可靠性方面的研究。从飞轮的机械主体结构和驱动电路两方面对反作用飞轮的可靠性进行预计并找出反作用飞轮的可靠性薄弱环节。接着根据飞轮运行情况的分析建立故障树和故障模式,得到一些提高可靠性的措施。最后针对影响反作用飞轮可靠性比较大的驱动电路中的MOSFET驱动桥电路进行了具体分析,通过Simulink仿真和Multisim电路仿真,提出给驱动桥添加死区模块和冗余MOSFET管两个改进方法,并针对并联MOSFET管遇到的实际参数不匹配问题给出解决措施。     

高频感应加热电源功率器件MOSFET驱动电路

针对多管并联的MOSFET驱动这一难题,通过分析MOSFET开关过程,得出了MOSFET开关转换对驱动电路的要求,以及驱动电流和驱动功率的计算方法,最后采用脉冲变压器法设计了高频感应加热电源功率器件的驱动电路,并给出了电路的设计参数及实验波形.     

多管并联SiC MOSFET驱动电路串扰抑制方法

为解决大功率高频串联谐振逆变器中多管并联碳化硅(SiC)金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)驱动电路存在的串扰问题,分析了驱动电路串扰问题产生的机理和常用驱动串扰抑制方法,优化了驱动电路结构和器件参数,设计了一种具有串扰抑制作用的多管并联SiC MOSFET驱动电路。搭建了一台SiC MOSFET高频H桥串联谐振逆变电源样机,对驱动电路进行了相关测试,验证了所设计的驱动电路可有效抑制串扰。     

新型双功率MOSFET管谐振驱动电路

提出一种新型双功率MOSFET管互补谐振驱动电路,对电路的工作原理、性能特性和关键电路参数设计进行分析,并建立仿真和样机实验。该驱动电路由1个变压器和6个半导体器件组成,类似反激变换器的电路结构,并且以谐振方式工作。理论分析表明,该电路具有拓扑结构和控制简单、驱动损耗低、驱动速度快、驱动电路中的开关管实现了部分软开关等优点。仿真和实验结果验证了理论分析。     

桥式电路中不同封装SiC MOSFET串扰问题分析及低栅极关断阻抗的驱动电路

由于SiC MOSFET开关速度较快,使得桥式电路中串扰问题更加严重,这样不仅限制了SiC MOSFET开关速度的提升,也会降低电力电子装置的可靠性。针对SiC MOSFET的非开尔文结构封装和开尔文结构封装的串扰问题分别进行分析,栅漏极结电容的充放电电流和共源寄生电感电压均会引起处于关断状态开关管的栅源极电压变化。提出一种用于抑制串扰问题的驱动电路,该驱动电路具有栅极关断阻抗低、结构简单、易于控制的特点。分析该驱动电路的工作原理,提供主要参数的计算方法。最后通过实验测试了两种结构封装SiC MOSFET的串扰问题,并且对提出的驱动电路进行了实验,验证了其正确性以及对串扰问题的抑制效果。     

一种新颖的MOSFET驱动电路

列出了几种常用的功率MOSFET驱动电路,在说明其共同不足的同时,详细分析了电荷泵电路的工作原理,阐明了其在MOSFET驱动电路中的应用。实验结果表明,电荷泵电路非常适合MOSFET的驱动电路。     

海信MST7机芯“电源+逆变器板”维修(下)

三、逆变器板工作原理1.逆变器基本电路逆变器电路的振荡和控制电路N806采用KA7500C,互补全桥电路双MOSFET开关管N804、N805采用A04616,与升压变压器T802配合,输出750V交流高压,经连接器XP803、XP807为背光灯管供电。(1)KA7500C简介KA7500C是专用的液晶产品背光控制检测电路,其内部电路框图如图3所示(见下页)。内部设有:振荡电路、     

基于MOSFET管的电压型逆变器电流质量的改进研究

针对基于MOSFET管的电压型逆变电路 ,从MOSFET管的特性和逆变电路两方面深入详细地探讨了它们对电压型逆变器电流质量的影响 ;同时深入分析了在带负载情况下 ,MOS FET管和逆变电路的耦合作用对电路的综合影响。并就此提出改进方案 ,仿真结果和实验结果表明 ,改进效果非常明显。     

SiC MOSFET驱动电路设计与实验分析北大核心

为使SiC MOSFET在应用中安全可靠的工作,通过对SiC MOSFET开关特性的分析,设计了一种SiC MOSFET驱动电路。该电路具有结构简单、实用性强、速度快、输出功率大等特点。另外,在高功率、高频等特殊环境下工作,为了提高SiC MOSFET的可靠性,还对器件过载保护电路进行研究。通过Pspice软件仿真实验,发现过载保护电路可以有效地保护器件不受损坏。最后,搭建双脉冲实验平台,验证驱动电路的基本功能并测试采用不同栅极电阻时对SiC MOSFET开关特性的影响。实验结果表明:该电路具有良好的驱动能力。     

创维液晶彩电P26TQM逆变器板维修(上)

创维液晶彩电P26TQM电源板将电源电路与逆变器电路合二为一,其中电源电路主集成电路采用STR-W6556,为主电路板和逆变器电路提供+5V、+24V和+16V电源。创维液晶彩电P26TQM电源和逆变器二合一板,逆变器振荡与控制芯片采用OZ9939,半桥转全桥输出电路采用OZ9982,与4只MOSFET开关管和升压变压器配合,产生交流高频电压,为4只背光灯管供电。一、逆变器板工作原理1.逆变器基本电路创维P26TQM彩电逆变器电路图如图1和图2所示(见下页)。     

SiC MOSFET驱动电路设计与实验分析

为使SiC MOSFET在应用中安全可靠的工作,通过对SiC MOSFET开关特性的分析,设计了一种SiC MOSFET驱动电路。该电路具有结构简单、实用性强、速度快、输出功率大等特点。另外,在高功率、高频等特殊环境下工作,为了提高SiC MOSFET的可靠性,还对器件过载保护电路进行研究。通过Pspice软件仿真实验,发现过载保护电路可以有效地保护器件不受损坏。最后,搭建双脉冲实验平台,验证驱动电路的基本功能并测试采用不同栅极电阻时对SiC MOSFET开关特性的影响。实验结果表明:该电路具有良好的驱动能力。     

一种适用于高频Buck变换器的新型电流源驱动

针对同步整流Buck变换器,提出一种新型MOSFET电流源驱动电路(current source driver,CSD).该CSD能够用不同驱动电流驱动Buck变换器中两只MOSFET,从而实现最优化设计.对于控制管,最优化设计为开关损耗和驱动电路损耗之间的平衡;对于同步整流管,最优化设计为驱动损耗与体二极管损耗之间的平衡.还提出基于磁集成技术的改进型CSD,以减少磁芯数目和磁芯损耗.详细分析该CSD电路工作原理,讨论最优化设计,并给出实验结果.     

基于MOSFET的限流式固态断路器及其过电压抑制

针对低压交流场合,对基于功率MOSFET的限流式固态断路器关断过程中的开关管两端电压、主电路中电流变化规律进行详细的理论分析,并提出一种过电压抑制电路,在分析其工作原理的基础上,给出电路参数选择的理论依据。最后,研制一台额定输入电压为220V、限流值为150A的基于MOSFET并联的固态断路器,并进行实验验证。对研发应用在低压交流场合的限流式固态断路器起到较好的理论指导作用。     

多管并联SiC MOSFET驱动电路设计

分析了SiC MOSFET驱动电路的基本要求,并对驱动电路的结构、驱动电压的选取和可靠性设计等进行了重点研究,设计出一款简单实用的驱动电路,解决了多管并联的SiC MOSFET。驱动这一难题。另外,搭建了双脉冲实验电路对驱动电路进行了相关测试,分析确定了最佳门极电阻的参数和缓冲吸收电路。最后,将所设计驱动电路应用于50 kW/800 kHz的多管并联感应加热电源,进一步验证了所设计驱动电路适用于高频、大功率场合,具备一定的工业应用价值。     

基于SiC二极管的CCM Boost PFC电路设计与损耗分析

功率因数校正(Power Factor Correction,PFC)电路是25W以上照明电器的重要组成部分。通过对连续导通(CCM)模式Boost PFC电路二极管关断过程中功率MOSFET和二极管工作过程进行分析,结合Si C二极管反向恢复特性,研究连续导通模式下采用Si C二极管的Boost PFC电路工作特性和损耗特性。样机与实验验证了在220V输入电压和320W输出功率时,采用Si C二极管连续模式下Boost PFC电路在效率和THD方面有着更优的性能,对于中大功率的LED照明驱动器有很好的应用前景。     

大功率SiC MOSFET驱动电路设计

在实际工程应用的基础上,针对50k W/1MHz的高频感应加热大功率SiC MOSFET电路要求及SiC MOSFET开关特性进行开发研究。通过对SiC MOSFET的开通过程特性进行详细研究,得出使其可靠、安全驱动的要求,在现有已经成熟应用的Si MOSFET驱动电路基础上对其进行改进,研究适合工作在兆赫范围内的SiC MOSFET驱动电路。并采用双脉冲实验验证所设计驱动电路的基本特性及确定最佳门极电阻参数。