V60100C：Trench MOS肖特基势垒整流器

Vishay Intertechnology推出一款新型Trench MOS肖特基势垒整流器V60100C。     

Vishay发布采用SlimSMA封装的新款45V TMBSTM Trench MOS势垒肖特基整流器

日前,Vishay Intertechnology,Inc.(NYSE)宣布,推出具有高电流密度的新款45 V TMBSTrench MOS势垒肖特基整流器——VSSAF3L45和VSSAF5L45。整流器采用高度0.95 mm的表面贴装SlimSMATMDO-221AC封装,正向电流为3 A和5 A。新的VSSAF3L45和VSSAF5L45在3 A下具有0.37 V的极低正向压降,可在低压高频DC/DC转换器、续流二极管,以及智能手机充电器等空间受限应用的极性保护中减少功率损耗,并提高效率。     

Vishay发布12个采用不同封装的45V TMBS TrenchMOS势垒肖特基整流器

日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出12款采用3种功率封装、具有10～40A额定电流范围的新型45V器件--V（B,F）T1045BP、V（B,F）T2045BP、V（B,F）T3045BP和V（B,F）T4045BP,     

Vishay推出4款新型600V PFC高频整流器

日前,Vishay推出4款新型600V FRED Pt超高速整流器,这些器件具有超快、超稳定的反向恢复时间及低正向压降,可减少高效PFC及SMPS应用中的开关损失。     

Vishay推出用于通信电源的170V TMBS@整流器

VishayIntertechnology，Inc．宣布，推出9款采用功率TO—220AB、TO-263AB和TO-3PW封装的170V器件，丰富和扩大了TMBS TrenchMOS势垒肖特基整流器系列。这些器件定位于通信电源应用，电流等级从10～80A，在30A下的典型正向压降为0．65V。     

3 A/40 V新型肖特基势垒二极管的设计与研制

为提高传统肖特基二极管的击穿电压,减小了器件的漏电流,提高芯片利用率,文中设计研制了适合于裸片封装的新型肖特基势垒二极管(SBD)。利用Silvaco Tcad软件模拟,在器件之间采用PN结隔离,器件周围设计了离子注入形成的保护环,实现了在浓度和厚度分别为7.5×1012 cm-3和5 μm的外延层上,制作出了反向击穿电压45 V和正向导通压降0.45 V的3 A/45 V肖特基二极管,实验和仿真结果基本吻合。此外,还开发了改进SBD结构、提高其电特性的工艺流程。     

Vishay推出新型30V TrenchFET功率MOSFET

日前,Vishay Intertechnology,Inc．推出新型第三代TrenchFET功率MOSFET系列的首款器件。新型TrenchFET第三代Si7192DP是一款采用PowerPAK SO-8封装的N沟道器件,在4．5V栅极驱动电压下具有2．25毫欧的最大导通电阻。导通电阻与栅极电荷乘积是DC-DC转换器应用中MOSFET的关键优值系数（FOM）,Si7192DP器件的FOM值为98——创造了任何采用SO-8封装的VDS=30V、VGS=20V器件的新的业界纪录。     

Vishay推出新型30V TrenchFET功率MOSFET系列

日前,Vishay Intertechnology,Inc．推出新型第三代TrenchFET功率MOSFET系列的首款器件。新型TrenchFET第三代Si7192DP是一款采用PowerPAK SO-8封装的N沟道器件,在4．5V栅极驱动电压下具有2．25毫欧的最大导通电阻。导通电阻与栅极电荷乘积是DC-DC转换器应用中MOSFET的关键优值系数（FOM）,Si7192DP器件的FOM值为98——创造了任何采用SO-8封装的VDS=30V、VGS=20V器件的新的业界纪录。     

IR推出新型12V、100A有源ORing参考设计

国际整流器公司（简称IR）近日推出一款针对＋12V、100A有源应用的参考设计IRAC5001。与市面上采用TO－220元件的其他方案相比，IR新推的IRAC5001解决方案进一步将所需场效应管的数量减少了50％。此外，凭借IR DirectFET封装MOSFET优异的双面冷却功能，整个解决方案的体积也减少了60％以上。     

Vishay推出新型20V P通道TrenchFET功率MOSFET

日前,Vishay推出新型20V p通道TrenchFET功率MOSFET-Vishay Siliconix Si8445DB,该器件采用MICRO FOOT芯片级封装,具有业界最小占位面积以及1.2V时业界最低的导通电阻。     

Vishay Siliconix推出新型500V N沟道功率MOSFET

日前,Vishay Intertechnology,Inc．宣布,推出三款新型500V、12A的N沟道功率MOSFET——SiHP12N50C—E3、SiHF12N50C～E3和SiHB12N50C—E3,该MOSFET在10V栅极驱动下的最大导通电阻达到超低的0．555Ω,栅极电荷减小为48nC,采用TO-220、TO-220FULLPAK和D2PAK（TO-263）封装。     

Vishay推出用于汽车和其他领域的新款45V和50V TMBS整流器

正日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出7个新的45 V和50 V器件,扩充其TMBS誖Trench MOS势垒肖特基整流器。这些高电流密度的整流器适合汽车和商业应用,具有3~8 A的电流等级和低正向压降,采用薄外形表面贴装DO-221BC(SMPA)封装。今天推出的整流器在3 A下的正向压降低至0.37 V,外形高度只有0.95 mm,在低压高频DC/DC转换器、开关电源、续流二极管和极性保护中可减少功率损耗并提高效率。3个45 V器件通过AEC-Q101认证,可用于汽车应用;而4个50 V整流器     

Vishay推出用于汽车和其他领域的新款45V和50VTMBS整流器

日前,Vishay Intertechnology,Inc．宣布,推出7个新的45V和50V器件,扩充其TMBS@TrenchMOS势垒肖特基整流器。这些高电流密度的整流器适合汽车和商业应用,具有3～8A的电流等级和低正向压降。采用薄外形表面贴装DO-221BC（SMPA）封装。     

Vishay推出高功率密度、高系统效率的新款FRED Pt整流器

正日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出27个采用小尺寸、低高度SMPC(TO-277A)eSMP系列封装的新型4 A~10 A FRED Pt Hyperfast和Ultrafast快恢复整流器。这些通过AEC-Q101认证的整流器具有极快和软恢复特性,以及低泄漏电流和低正向压降,可减少汽车和电信应用里的开关损耗和过耗散。这款Vishay Semiconductors FRED Pt整流器的反向电压为100V、200V     

具有极低正向压降（0．375V）的肖特基势垒整流器 用于开关模式电源、电源适配器等产品

这五款基于Trench MOS技术的肖特基势垒整流器可在开关模式电源中作为整流电路或OR—ing二极管，或可替代同步整流解决方案。     

Vishay推出新型IHLP@超薄、高电流电感器

目前,Vishay宣布推出采用2020封装尺寸的新型IHLP（r）超薄、高电流电感器。这款小型IHLP-2020BZ-01具有5.18mm×5.49mm的占位面积、2．0mm的超薄厚度、较高的最大频率,以及0.1μH-10μH的标准电感值。新型电感器可在未硬饱和的情况下处理高暂态电流峰值,采用符合RoHS标准且带有防护层的100％无铅复合结构封装,