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多晶薄膜碲化镉(CdTe)太阳电池在光代转换地面应用方面很有发展前途.目前CdTe太阳电池转换效率接近16%.高效簿膜CdTe太阳电池是以硫化镉(CdS)作匹配的异质结太阳电池.符合器件要求的CdS薄膜有多种淀积技术,而从水溶液中生成的方法是最经济的.符合器件要求的CdTe薄膜有多种廉价淀积方法,包括近距离升华、元素联合蒸汽淀积、电沉积、丝网印刷和喷镀等.本文讨论CdS和CdTe薄膜的制备与性能,以及CdS/CdTe异质结太阳电池的特性. 相似文献
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薄膜太阳能电池,是指在塑胶、玻璃或金属基板上形成可产生光电效应薄膜的电池。这种薄膜厚度仅需数μm,在同一受光面积之下可较硅晶圆太阳能电池大幅减少原料的用量。常见的薄膜电池包括碲化镉(CdTe)、铜铟硒(CIS)/铜铟镓硒(CIGS)、硅基薄膜三类。 相似文献
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CdCl2气相退火对CdS薄膜的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
对CdS进行CdCl2 后处理是制备高效率CdS/CdTe多晶太阳能薄膜电池的关键步骤。研究了CdS薄膜的CdCl2 气相热处理 ,用XRD、UV/Vis表征热处理前后薄膜的结构、晶粒尺寸及禁带宽度的变化。对比研究了有无CdCl2 处理的CdS薄膜的结构差异。首次发现在 410℃ ,无CdCl2 热处理的CdS膜出现金属镉。随退火温度的增加和退火时间的延长 ,薄膜的立方结构被破坏。退火温度高于 410℃ ,CdS的 (111)衍射峰强度急剧减弱 ,470℃退火 1h后几乎完全消失。 相似文献
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高鹏 《电力标准化与计量》2010,(2)
硅薄膜电池已经发展到第四代——非晶硅/微晶硅双结叠层电池,而这种非晶硅与微晶硅叠层的基本结构将成为未来硅薄膜电池的主流发展趋势。薄膜光伏电池是在低成本的玻璃、塑料、不锈钢等基板上沉积形成很薄的感光材料实现光电转换,主要包括硅薄膜电池(a-Si、a-Si/c-Si等)、碲化镉(CdTe)、铜铟硒(CIS、CIGS)。 相似文献
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真空热蒸发制备ZnS薄膜及其特性的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
用真空热蒸发在不同衬底温度下制备了ZnS薄膜,利用X射线衍射(XRD)、X射线能谱(EDAX)、紫外可见分光光度计(UV-vis)和原子力显微镜(AFM)研究了ZnS薄膜的晶体结构、成分、光学性能和形貌,分析了衬底温度对ZnS薄膜结构与光学特性的影响。结果表明,所制备的ZnS薄膜呈立方闪锌矿结构,衬底温度为300℃所制备的ZnS薄膜原子比(S/Zn)为0.95/1;薄膜表面均匀致密,呈多晶态,晶粒尺寸为18.2nm;在可见区有好的透射性能,光学禁带宽度为3.82eV。 相似文献
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薄膜太阳电池以其低成本吸引越来越多的研究者。CIGS薄膜作为光伏材料,其光电转化效率高,性能稳定,CIGS薄膜太阳能电池成为各国研究的热点之一。近来研究主要关注CIGS薄膜太阳电池大面化、薄膜效率影响因素和工艺研究。本文主要介绍CIGS薄膜电池近年来的研究进展。 相似文献
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采用SCAPS模拟软件对backwall型结构(glass/ITO/MoO_x/CdTe/CdS/SnO_2/Ag)的超薄CdTe太阳电池的性能进行了模拟研究。在backwall型超薄CdTe电池中,CdTe吸收层为迎光面,入射光从CdTe层进入,而非经典CdTe电池结构中的CdS层,避免了CdS层对短波段的吸收,提高了短波段光子的响应。添加MoO_x缓冲层后,降低了ITO与CdTe层间的接触势垒,同时,形成了电子反射层,还降低了电子与空穴的复合几率。因此,这一结构不仅提高了电池的短路电流密度(J_(sc)),还将电池的开路电压(V_(oc))提高到了1V以上。在模拟中当MoO_x缓冲层为2nm时,有赖于较理想的ITO功函数和界面复合速率,得到了最高效率达25.5%的超薄CdTe太阳电池。 相似文献
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