大容量磁泡存储器件的设计和制备

为了使磁泡存储器能同其它存储器竞争,要求磁泡器件有更高的密度。我们的办法是减少常规坡莫合金器件的周期(12～16μm→6～8μm)。以这样的密度,就能在1cm~2的面积内做成1兆位的芯片。减少NiFe图形周期的主要障碍之一一直是阶梯涂层问题的存在。我们已经研究了一种全是平面加工的NiFe设计,能完成发生、交换、复制、和检测功能。工艺由沉织AlCu,SiO_2,NiFe三层膜组成,然后倒置掩蔽。其蚀刻步骤是:NiFe为离子刻蚀,SiO_2,AICu采用等离子刻蚀。这种方法设计的NiFe第二层有助于对准和掩蔽AlCu加工。因为NiFe是等离子刻蚀的极好掩模。此外,图形直接从10x—电子束中间掩模分步重复产生。最小图形为1μm,对准优于±1/4μm。从性能观点出发,对几种1兆位结构,例如1×1兆位、2×512千位和4×256千位芯片进行了比较。     

日本电气公司开发磁泡器件及其应用制品

日本电气公司最近开发成功的磁泡器件的基本的操作要素有: (1)YY图案磁泡传输线路磁泡器件是用磁泡的传输来进行信息的写入、读出等的器件。因此驱动磁泡的结构是个问题。现在采用在磁性材料(正铁氧体单晶、石榴石单晶等)上放置构成特殊图案的坡莫合金,加上旋转磁场。从而在该坡莫合金上传输磁泡这种驱动方式。这种坡莫合金图案是采用以前贝尔电话研究所开发的T-I图案。但该公司新开发了成Y字形的YY图案,结果提高了器件的集成度(位密度)。而且扩大了动     

电子新闻

1.磁泡测试系统——并行测试美国《快捷》公司的Xincon介绍了一种5585型通用磁泡存贮器测试系统,供生产和工程使用。该系统可以测试目前实用的磁泡存贮器件及未来的65兆位器件。它能适合不同的存贮器结构,包括串行,主次环,分程序复制及偶-奇结构。现在的磁泡存贮器测试时间,比半导体要长得多。新系统的特点是,具有并行测试能力,可编程序驱动器、ECL(发射极耦合逻辑)工艺结构及包括泡存贮语言的Xincol软件扩展形式。5582系统是测试新一代ECL和H/MOS RAMs和ROMs的;这些结     

离子注入抑制硬泡

一、硬泡的特性自从1967年美国Bell实验室A.H.Bobeck提出,用正铁氧体磁泡作存贮器的想法以来,磁泡存贮技术取得了惊人的发展,它一直是磁学领域最活跃的课题之一。硬泡是1970年Bell实验室R.F.Fiseher和R.H.Morrow在测试一个用块状GdTbIG切割下来的薄片做成的Y-棒移位寄存器时首先发现的。硬泡也是一种园柱形泡畴,它可以在磁泡材料中与正常泡同时存在,但其静态和动态性能却和正常泡很不相同〔1.2.3〕:     

漫话磁泡进展

随着计算机和集成电路的发展,基于半导体集成工艺的集成磁学——磁泡技术也应运而生。磁泡技术的问世给古老的磁学带来了新的生气,赋予新的内容,无怪乎国外一些人把磁泡技术的出现看做“挽救了磁学的危机”。十年来,磁泡理论、材料、工艺、器件和应用,突飞猛进,日新月异。与存贮密度密切相关的泡径大小已从早期的100微米降到现在的0.4微米,芯片容量已从1971年的1024位样件发展到现在的10~6位/片,八年间容量增大1000倍。1977年德克萨斯仪器公司(TI)92K位芯片(现月产5000片)上市后,充分显示了磁泡的优点,加速了磁泡的发展,采用磁泡存贮器的计算机、微处理     

MEMS薄膜磁通门传感器的制作与特性

首先论述了微型平面磁通门传感器的原理和结构,在此基础上,详细介绍了基于微机电机械加工技术(MEMS)的集成磁通门传感器探头的制作过程(包括溅射、电镀、光刻、反应离子刻蚀(RIE)等)。分别采用高磁导率、低矫顽力的Co基非晶合金带材以及坡莫合金作为磁心制成磁通门探头。测试结果表明,在40kHz激励频率下,带材磁心探头的工作范围为±75μT,而坡莫合金磁心探头为±60μT,灵敏度分别为31.07V/T和23.76V/T。结果基本可以满足地磁场±60μT的测量要求。     

铁氧体多盘感应分压器的研制

本文介绍一台用铁氧体环芯制成的七盘感应分压器。在1kHz下比差为2×10~(-7),在10kHz下为2×10~(-6)。其指标可与坡莫合金的七盘感应分压器媲美。尤其是在高音频下使用它会优于后者。文中介绍该分压器的结构原理,检定结果以及四年来的稳定性的情况。这种结构的分压器可以在音频下作为标准比率器件,由于它的结构和工艺简单,成本低廉、准确度高,是很值得推广使用的。     

NiFeNb缓冲层对纳米级坡莫合金薄膜各向异性磁电阻的影响

以NiFeNb作为坡莫合金薄膜的缓冲层,用多靶磁控溅射系统制备了一系列坡莫合金薄膜样品:(Ni81Fe19)1-xNbx(t)/Ni81Fe19(20nm)/Ta(3nm),研究了Nb原子含量、缓冲层厚度、基片温度对坡莫合金薄膜各向异性磁电阻和微结构的影响。用四探针法测量薄膜样品的各向异性磁电阻值(AMR),用原子力显微镜(AFM)分析样品表面形貌,用X射线衍射仪(XRD)分析样品的相结构。结果表明,(Ni81Fe19)0.807Nb0.193缓冲层对提高坡莫合金薄膜AMR值的作用明显大于Ta缓冲层。对于Ni81Fe19厚度为20nm的坡莫合金薄膜,缓冲层中Nb含量为0.193时薄膜的AMR效应及相结构最佳;随着缓冲层厚度的增加,薄膜的AMR效应先增后减,在厚度为4nm时AMR达到最大值;随着基片温度的升高,薄膜的AMR随之增大,在温度为450℃时达到最大值,之后趋于稳定,最大AMR值达到3.76%。     

无电沉积镍钴磷制做磁泡传输磁路

把一周期性的薄膜磁路,如T-棒,与薄片接触,再外加一个在平面内旋转的磁场使之交替地磁化磁路元件的不同部分,这样就可以完成柘榴石中园柱形磁畴的传输。已研究了采用无电沉积镍钴磷合金制做高密度磁泡传输磁路的工艺,把磁路沉积在玻璃基片和直接沉积在粘结玻璃基片上的石榴石薄片上。在0.6密尔的周期1000位Y棒移位寄存器中已取得了最高的密度——2.8×10~6位/平方英寸。当前可以取得2微米的线条宽度,看来线条宽度受光刻技术析象能力的限制。这种工艺有快速的运转时间,材料便宜,不需要复杂的设备。     

用微型计算机控制的半导体存贮器功能测试仪

为适应半导体存贮器研制和生产的需要,我们研制了一种造价低廉、性能可靠、测试图形的产生非常灵活的以微型计算机为主的存贮器功能测试仪,作为研制和生产线上的初测设备。下面介绍它的硬件和软件。测试仪的硬件本测试仪是用MEK6800D2单板计算机并将其RAM容量扩大到2K,作为功能测试仪的主机,再配上简单的测试接口组成的。MEK6800D2单板计算机的详细材料,可参考它的手册(主要参考资料1)。因此,测试仪的硬     

非晶磁性材料在电力电子技术中的应用

国外1967年、国内1977年开始研究新的磁性材料——非晶合金。1980年,在一些电力电子技术的磁性器件中应用非晶合金取得了良好效果,显示出它在电力电子技术中有广阔的应用前景。1.检测用磁性器件高频磁放大器、倍频磁调制器和峰值磁调制器、直流互感器和直流比较仪(零磁通直流互感器)、交流互感器采用非晶合金代替坡莫合金后,性能都有显著提高。2.控制用磁性器件触发电路中的触发脉冲变压器和脉冲列触发变压器、斩波器和脉宽调制器中的大功率脉冲变压器采用非晶合金代替坡莫合金和硅钢,都可提高性能,大大减轻重量,减小体积。     

磁泡存贮器平面技术

一、引言因为非平面工艺会使盖复层(金属或介质)形成一定的台阶坡度,容易引起复盖层起伏或断裂。Ni-Fe合金薄膜的台阶坡度致使驱动场磁场强度在台阶处的减小,导致器件性能变差,操作区变窄等。为了提高器件容量和工作性能,现已发展了新的平面技术。所谓平面技术就是将金属图形“镶嵌”于介质中的同一平面上。有关制作磁泡存贮器的几种平面技术,D.C.Bullock等人已经作了详细的综述。现在付诸实际使用的主要有S.Orihara等人和N.Tsuzuki等人应用剥离SiO_2法的平面技术。     

武藏野电通研用2μm泡的1Mb存贮器芯片

日本电电公社武藏野电通研用2μm泡的奇、偶结构,试制出2个主环通道/次环的1Mb磁泡芯片,在3月举行的昭和55年度电子通信学会综合全国大会上公布了这个消息。在器件设计上,基本传输电路采用了最小图形宽度为1μm的非对称山形。其奇、偶结构是,把次环分为两组,每组266环,共512环。次环由7.5μm周期、2140位、18μm环间间隔组成。此外,写入门用交换门,读出用复制门。芯片尺寸为:9.8×9.2mm。     

QL—12型半导体存贮器中间测试仪

本仪器用于各类半导体存贮器(双极型,p沟 MOS型、n沟MOS型)的生产中测试。它由测试图形发生器,相脉冲发生器,测试工作电源,管脚电路,显示器五个部分,同时加有直流功耗监视,构成一完整的半导体存贮器测试设备。由于其结构简单、造价低,维护容易及具有波形     

大功率磁性技术发展回顾与分析:(二)变压器

正(续上期)3软磁磁芯及其结构特点软磁材料在电磁器件中的应用,都必须把它加工成磁芯,这里集中介绍各种软磁磁芯,包括硅钢磁芯、非晶纳米晶磁芯、高磁导率坡莫合金磁芯、软磁铁氧体磁芯、磁粉芯和复合磁芯、集成磁芯及正交磁芯。3.1硅钢磁芯50~60 Hz工频和400~1000 Hz中频电子变压     

携带式交流可控磁力探伤仪

无损检验中,磁力探伤是检验铁磁金属材料表面缺陷较好的方法。它具有分析快易得出结论为优点。磁力探伤,是先将工作物磁化,使其内部建立磁场,利用裂纹或缺陷处的散漏磁力线来检查缺陷。本仪器除具有通常交流法磁力探伤的优点(简单、不需退磁、对表面缺陷敏感等)外,因采用了可控电源及高导磁材料(坡莫合金)探头等技术,可获得最佳灵敏度;另外,本仪器结构简单,易制作,便于推广;同时,体积小,便于携带,适合现场应用。缺点是不宜应用于需要大电流磁化的大部件。     

NiO插层和基片温度对超薄坡莫合金薄膜各向异性磁电阻的影响

利用多靶磁控溅射系统在康宁玻璃基片上制备了Ta(4nm)/NiO(t)/Ni81Fe19(20nm)/NiO(t)/Ta(3nm)系列坡莫合金薄膜样品,研究了NiO插层厚度、基片温度对其各向异性磁电阻和微结构的影响。利用四探针技术测量薄膜样品的各向异性磁电阻比(AMR),利用X射线衍射仪(XRD)分析样品的相结构,用原子力显微镜(AFM)分析样品的表面形貌。结果表明,由于NiO插层的"镜面反射"作用,选择适当厚度的NiO插层能够大幅度提高坡莫合金薄膜各向异性磁电阻比和磁场灵敏度。对于厚度为20nm的Ni81Fe19薄膜,当基片温度为450℃时,通过插入4nm厚的NiO插层可使AMR值达到5.01%,比无NiO插层时提高了40%。     

TD4860智能终端介绍

本文分析了最近设计成功的点阵图形和字符显示处理系统(TD4860智能终端——简称CRT)的设计原理,介绍了它的主要性能和应用,CRT以μpu6809为主机组成系统,12″显示屏,键盘操作,MX—80点阵打印机考贝,使用方便直观,具有结构简单,造型美,功能强,技术先进,稳定可靠,体积小,售价低等特点。一、主要性能 (一)图形性能 1.帧面属性图形系高密度显示,分辩率垂直1/256,水平1/512提供256×512点阵画面可以任意绘画,     

大功率磁性技术发展回顾与分析:(二)变压器

综合评述了大功率磁性技术中变压器的发展。具体分为以下几部分内容:(1)软磁器件的分类、对软磁器件的要求及软磁器件的发展过程;(2)电源变压器的参数和设计程序(涉及磁芯材料、磁芯结构、磁芯参数、线圈参数、组装结构和温升校核);(3)软磁磁芯及其结构特点,包括硅钢磁芯、非晶纳米晶磁芯、高磁导率坡莫合金磁芯、软磁铁氧体磁芯、磁粉芯和复合磁芯、集成磁芯及正交磁芯。(4)工频变压器,包括整流变压器、交流调压器和电源变压器、工频逆变变压器、控制电源变压器及铁基非晶合金在工频变压器中的应用,(5)中频电源变压器,包括400 Hz~2 kHz中频电源变压器和1~10 kHz感应加热电源变压器。(6)高频电源变压器,包括磁通单方向变化工作模式、脉冲变压器工作模式和磁通双方向变化工作模式及磁芯材料选择。。     

可自校的多盘感应分压器

本文叙述一种相当于由主分压器、参考电势互感器以及等电位变压器三部件组成的十进位可自校的工频多盘感应分压器.除了第一盘为自耦式外,其它各盘均为感应式(也称隔离式),每盘第10位的感应电势均可作为前一盘的参考电势.分压器采用双级结构.第一级铁心和绕组构成与主分压器电压比相同的辅助分压器,提供等电位.因此,利用参考电势法可依次对各盘(除末盘外)进行自校,并通过计算机算出各盘电压比的误差和多盘任意电压比的误差.文末还介绍了用它对感应分压器、双级电压互感器及高准确度电压互感器的检定线路.