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沈钊 《电子工业专用设备》1985,(2)
<正> (一)精密加工技术的发展与微细加工技术图1横座标表示年代,纵座标表示可达到的加工精度。这个图说明不同年代达到的最高加工精度。例如,1910年为10μm,1930年为1μm,1950年为0.1μm,而1980年以后则最高精度已达0.01μm,进入向毫微米进军的阶段。图中的三根曲线分别代表一般加工、精 相似文献
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基于微细加工技术的微谐振腔型滤波器 总被引:4,自引:1,他引:4
设计了一种新工艺———利用硅微结构直接作为模具来制作微小固体染料激光器谐振腔型滤波器。首先通过组合刻蚀工艺制作硅模具 ,再利用硅模具复制得到微谐振腔。组合刻蚀工艺是采用深层反应离子刻蚀 (deep RIE)再结合EPW湿法刻蚀 (一种各向异性刻蚀技术 )。由于EPW湿法刻蚀对〈110〉面刻蚀速率较慢 ,可制作出具有光学镜面的侧壁〈110〉的硅模具 ,利用此模具可复制出正方形固态染料微谐振腔。以激光染料若丹明 6G掺杂的聚甲基丙烯酸甲脂 (PMMA)为工作物质 ,在调QNd∶YAG自倍频激光 5 32nm抽运下 ,得到 6 0 0nm波长的激光输出。这种谐振腔可应用在染料激光器和滤波器中 ,对其原理、设计、制作工艺和性能都作了介绍。 相似文献
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双光子三维微细加工的分辨率研究 总被引:4,自引:2,他引:2
为了改善双光子加工的成型精度和微器件的质量,提高加工系统的分辨率是十分重要的。根据自由基类光聚合材料双光子加工分辨率的理论分析,提出等光强面概念,并在此基础上讨论了激发光强与系统加工分辨率之间的关系。通过不同光强条件下双光子三维加工固化单元的实验,验证了等光强面和系统分辨率之间的对应关系,并分析了出现微小差异的原因。根据上述理论模型,可以估算一定实验条件下系统可实现的加工分辨率,优化加工工艺参数。最后给出了部分微器件的成型结果。 相似文献
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准分子激光器是一种高功率、高效率的紫外激光器,在未来利用紫外光技术的光产业中具有独特的作用。目前已在激光化学、激光生物医学和激光新材料等科学领域中显示出潜在的活力。然而最活跃的是准分子激光微细加工技术。图1给出了半导体材料主要加工技术的发展概况。从图1可以看出激光微细加工在半导体技术中的重要地位。本文对该领域的激光曝光、激光CVD、激光掺杂和激光刻蚀技术等四个方面作简要的介绍。 相似文献
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只要是用细小尺寸的整形离子束去轰击靶物,离子束就可成为一种实现高分辨率微细加工的有效手段。本文首先给出以直径小于1000的聚焦镓离子束以扫描方式进行无掩模微细加工、掺杂和抗蚀剂曝光的结果。其次介绍一种离子束透射掩模。并给出用普通尺寸的150KV 质子束照射这种掩模,在 PMMA 抗蚀剂中得到的曝光结果,从而表明该方法具有对0.6μm 分辨率的掩模图形进行1X 复印的能力。最后讨论了仿模离子束光刻和聚焦离子束光刻的潜力。 相似文献
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如果用具有几百电子伏能量的离子轰击物质,那么每个离子打在物质上后大约就会有一个原子从物质中飞出。可以利用这样的离子轰击一个个地去除原子,这种方法称为离子磨削或离子腐蚀。最近已用于磁泡、DFB激光器、弹性表面波元件中微米以至亚微米的微细加工。光刻技术中的化学腐蚀被离子腐蚀代替的例子很多。如图1所示,将部分表面掩蔽起来,而后使用离子轰击加工。掩模材料可以原封不动地使用光致拉蚀剂,图形可以用光刻技术或电子束曝光来制作。兼顾到腐蚀速度和加工影响,离子的加速电压控制在1~5千伏之间,离子电流密度为1~10毫安/厘米~2。双等离子管和空心阳极等离子枪可使用具有φ1~50毫米 相似文献
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充满活力的光学微细加工技术 总被引:1,自引:1,他引:0
刘恩荣 《电子工业专用设备》1990,(2):1-12
本文简要评述了近年来国外光学微细加工技术的最新进展。常规光学曝光己可满足16MDRAM生产的要求;准分子激光曝光有能力实现64M甚至256MDRAM生产;宽带步进扫描曝光机和激光图形制作系统也在集成电路制造中显示了强大实力。九十年代仍将是光学微细加工技术继续占居主导地位的时代。 相似文献
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随着微细加工技术的发展,可制作直径为几千微米的齿轮之类的结构部件或者将其组合成亚毫米尺寸的执行元件以及传感器,并且正在实现将其系统化的微机械.要实现微机械,不仅需要传统的机械结构材料,而且需要Si之类的包括半导体材料 相似文献
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