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飞秒脉冲激光沉积Si基a轴择优取向的钛酸铋铁电薄膜 总被引:3,自引:3,他引:3
在钛酸铋(Bi4Ti3O12)薄膜的制备过程中容易获得晶粒c轴垂直于基片表面的薄膜,而压电和铁电存储器主要利用a轴的自发极化分量,因而制备a轴择优取向的Bi4Ti3O12铁电薄膜具有特别的意义。采用飞秒脉冲激光作用在钛酸铋陶瓷靶上,采用Si(111)作为衬底,制备了a轴择优取向的钛酸铋薄膜。采用X射线衍射(XRD)的薄膜附件和场发射扫描电镜(FSEM)研究了薄膜的结构和形貌;采用傅里叶红外光谱仪测量了室温(20℃)下在石英基片上沉积的样品的光学特性;室温下沉积的钛酸铋薄膜呈c轴择优取向,晶粒的平均大小为20 nm,其光学禁带宽度约为1.0 eV。在500℃沉积的钛酸铋薄膜呈a轴择优取向,晶粒大小在30~300 nm之间,薄膜的剩余极化强度Pr为15μC/cm2,矫顽力Er为48 kV/cm。 相似文献
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脉冲激光淀积技术是制备薄膜的先进技术之一,具有膜成分容易做到与靶成分一致、便于控制淀积条件、适用面宽、淀积速率高、易于引入新技术等特点.为了使脉冲激光淀积技术智能化、简便化,研究开发出了"脉冲激光淀积薄膜专家系统".该专家系统具有薄膜基片选择、淀积参数确定、实验结果总结、相关数据查询等功能.本文首先阐述了该专家系统的设计思想和工作原理,然后介绍了该专家系统的功能和结构;最后对该专家系统的适用条件和进一步拓展的目标进行了讨论.利用该专家系统,成功地指导了掺钛氧化钽薄膜和钛酸锶钙薄膜的制备.(OH16) 相似文献
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非晶态有机聚合物薄膜脉冲激光沉积 总被引:1,自引:0,他引:1
非晶态有机聚合物薄膜具有低介电常数,高强度等优良物理特性,在微电子工业领域有着潜在应用价值而引起人们极大兴趣,本文就其沉积方法及沉积机制进行简要综述,并展望了其应用前景。 相似文献
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介绍了功能梯度薄膜材料的特点和应用 ;比较了功能梯度薄膜常用制备方法 ;概括了功能梯度薄膜制备中的掺杂技术并给出了脉冲激光沉积功能梯度薄膜的模型 ;论述了脉冲激光沉积技术在制备功能梯度薄膜材料方面的应用与最新进展 相似文献
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尹津龙 《激光与光电子学进展》2001,(3):33-36
1 引言用于频域激光数据存储的光谱烧孔技术在小型存储器件领域具有很好的潜在应用前景。由于掺稀土的碱土金属硫化物是一种潜在的高效频域存储材料 ,我们详细研究了这种材料的光谱特性。对基于光存储应用的光谱烧孔来说 ,两种不同价态的 Eu离子 Eu2 +和 Eu3+作为掺杂物被引入 Mg S和 Ca S宿主材料。不需任何电荷补偿 ,两价 Eu2 +就可以取代 Mg2 +和 Ca2 +。Eu3+也会占据一个取代位置 ,但这需要晶格中心的 S2 -和 Mg2 +离子进行长程调整以补偿电荷。光谱烧孔通过从Eu2 +到 Eu3+的电子转移来实现光谱烧孔过程包括以下几步 :一个光子激… 相似文献
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脉冲激光沉积法制备氧化锌薄膜 总被引:7,自引:0,他引:7
ZnO是一种新型的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,具有优良的晶格、光学和电学性能,其显著的特点是在紫外波段存在受激发射。利用脉冲激光沉积法(PLD)在氧气氛中烧蚀锌靶制备了纳米晶氧化锌薄膜,衬底为石英玻璃,晶粒尺寸约为28-35 nm。X射线衍射(XRD)结果和光致发光(PL)光谱的测量表明,当衬底温度在100-250℃范围内时,所获得的ZnO薄膜具有c轴的择优取向,所有样品的强紫外发射中心均在378-385 nm范围内,深能级发射中心约518-558 nm,衬底温度为200℃时,得到了单一的紫外光发射(没有深能级发光)。这归因于其较高的结晶质量。 相似文献
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用脉冲激光沉积(PLD)方法,在p-Si(100)衬底上、室温下和不同N2氛围中制备了高度取向的AlN薄膜,并利用X射线衍射(XRD)仪、傅立叶变换红外(FTIR)光谱仪和扫描电子显微镜(SEM)对样品的特征进行了研究.结果表明,在从5×10-6~5.0 Pa的N2气压范围内,制备的薄膜都呈现h<100>晶向,并且随着气压的升高,样品的结晶度有明显的提高.另外,随着N2浓度的增大,Al-N键的结合度增强,AlN晶粒的尺寸增大,在样品表面出现杂散晶粒,薄膜的粗糙度增大. 相似文献
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