Ce∶Mn∶SBN晶体的生长及位相共轭效应的研究

采用垂直提拉法生长了Ｃｅ∶Ｍｎ∶ＳＢＮ晶体。测试了晶体的位相共轭反射率、自泵浦位相共轭反射率和响应时间。以Ｃｅ∶Ｍｎ∶ＳＢＮ晶体位相共轭镜作阈值、增益反馈系统,以Ｚｎ∶Ｆｅ∶ＬｉＮｂＯ３ 晶体作为存储介质,实现了关联存储。Ｃｅ∶Ｍｎ∶ＳＢＮ晶体的位相共轭性能优于ＳＢＮ晶体。     

Eu：Fe：LiNbO_3晶体光折变效应的研究

测试了Ｅｕ：Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３晶体的指数增益系数，位相共轭反射率和光折变温度效应，以Ｅｕ：Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３晶体作相位共轭镜，实现了实时关联存储。     

Zn：Fe：LiNbO3晶体的生长及位相共轭效应的研究

在ＬｉＮｂＯ３中掺进ＺｎＯ和Ｆｅ２Ｏ３生长出Ｚｎ：Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３晶体。测试了晶体抗光致散射能力、位相共轭反射率和响应时间。研究了Ｚｎ：Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３位相共轭效应增强的机理。     

利用光折变晶体Cu：KNSBN实现图像增强

利用置放于相干系统的傅里叶交换平面的光折变晶体Ｃｕ：ＫＮＳＢＮ在一定条件下完成了图像增强处理，由于晶体内部的位相共轭效应而在变换平面形成拉普拉斯算子．给出实验结果和扼要的理论分析。     

BaTiO_3Ce宽波长范围内目泵浦位相共轭特性及其机制

ＢａＴｉＯ_３Ｃｅ宽波长范围内目泵浦位相共轭特性及其机制叶佩弦，窦硕星，廉英武，高宏，张家森，朱镛，吴星，杨昌喜（中国科学院物理研究所，北京１０００８０）本文主要研究了不同掺杂浓度的ＢａＴｉＯ３：：Ｃｅ晶体在长波可见光波段及近红外波段的自泵浦位相共轭?..     

Zn∶Fe∶LiNbO_3晶体的生长及位相共轭效应的研究

在ＬｉＮｂＯ３中掺进ＺｎＯ和Ｆｅ２Ｏ３生长出Ｚｎ∶Ｆｅ∶ＬｉＮｂＯ３晶体。测试了晶体抗光致散射能力、位相共轭反射率和响应时间。研究了Ｚｎ∶Ｆｅ∶ＬｉＮｂＯ３位相共轭效应增强的机理。     

利用光折变晶体Cu：KNSBN中的自泵浦相位共轭实现图象识别及其动态现象

利用光折变晶体Ｃｕ：ＫＮＳＢＮ中的自泵浦相位共轭实现图象识别及其动态现象一、引言＿相位共轭镜的一个重要应用是实现联想存储操作。ＢａＴｉＯ３和ＳＢＮ这类光折变晶体具有强非线性，所以在各种应用中能广泛用作自泵浦相位共轭［１，２］。不久前，Ｌｉｕ报导了在光...     

Investigation of Instability in Self-pumped Ce:KNSBN Crystal

ＩｎｖｅｓｔｉｇａｔｉｏｎｏｆＩｎｓｔａｂｉｌｉｔｙｉｎＳｅｌｆ┐ｐｕｍｐｅｄＣｅ：ＫＮＳＢＮＣｒｙｓｔａｌＬｉｕＪｉｆａｎｇＹｕｎＺｈｉｓｈｅｎｇＬｉＹｕｌｉｎ（ＸｉａｎＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＯｐｔｉｃｓａｎｄＰｒｅｃｉｓｉｏｎＭｅｃｈａｎｉｃｓ...     

Zn：Fe：LiNbO3晶体外泵浦位相共轭激光器

在ＬｉＮｂＯ３中掺进ＺｎＯ和Ｆｅ２Ｏ３生长了Ｚｎ：Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３晶体,测试了晶体抗光致散射能力和响应时间,以Ｚｎ：Ｆｅ：ＬＮｂＯ３晶体为位相共轭镜,氦氖气体激活介质,构成了外泵浦位相共轭激光器。     

连续钛宝石激光器光折变位相共轭外腔的实验研究

利用Ce：BaTiO3晶体构成的自抽运位相共轭(SPPC)外腔，改善了连续钛宝石激光器的工作特性，使得激光输出阈值由未加位相共轭腔时的4．7W下降到加位相共轭腔时的3．6W，斜率效率由26％上升为30％。利用外腔激光理论对该实验结果进行了合理的分析。此外，由于位相共轭自扫描效应，导致了输出光中心频率在反馈后3min时蓝移了142MHz，在6min时红移了243MHz。通过直接测量暗条件下自抽运位相共轭反射率的衰减，得到了自抽运位相共轭光栅的暗存储特性。在暗条件下，位相共轭反射率在开始的1．5h内由80．5％下降到75％，随后缓慢下降，到17h位相共轭反射率仍保持在74％。     

Mg:Ce:Fe:LN晶体的生长及位相共轭分析

在Ce:Fe:LN中掺进不同摩尔分数(0,2%,4%,6%)的MgO首次以提拉法生长Mg:Ce:Fe:LN晶体,并对晶体进行极化、氧化和还原处理。测试晶体的吸收光谱和光损伤阈值。Mg:Ce:Fe:LN晶体吸收光谱吸收边相对Ce:Fe:LN晶体发生紫移。Mg:Ce:Fe:LN晶体光损伤阈值比Ce:Fe:LN晶体增大,研究了Mg:Ce:Fe:LN晶体吸收边移动机理和光损伤阈值增加机理。采用4波混频光路测试Mg:Ce:Fe:LN晶体位相共轭反射率和响应时间,Mg:Ce:Fe:LN晶体位相共轭反射率相对Ce:Fe:LN晶体降低,但响应速度增加。以x(Mg)2%(摩尔分数):Ce:Fe:LN晶体位相共轭镜消除信号光波的位相畸变。     

Nd：MgO：LiNbO_3光波导的特性

用质子交换法制备了Ｎｄ：ＭｇＯ：ＬｉＮｂＯ３波导。通过测量平面波导的二次离子质谱，得到了波导的原子组分分布，并测量了Ｎｄ：ＭｇＯ：ＬｉＮｂＯ３晶体的吸收谱线，最后利用端面耦合，分别得到了条波导内和衬底内激光诱导的荧光谱线。     

Polarization switching of an er :yb :cr: phosphate glass microchip laser

We show that the light of a commercially available Er:Yb:Cr.-phosphate glass microchip laser end-pumped at 977 nm by an InGaAs laser diode can be switched between two linear polarization eigenstates when it is submitted to a polarized optical feedback. The flip occurs when the feedback phase is scanned by the external cavity length. In our experiments the laser diode light is confined to a fiber which is single-mode at pumping wavelength and the microchip laser operates in a single-longitudinal-and transverse mode. The microchip laser exhibits a self-pulsing behavior.     

The electronic and magnetic properties of wurtzite Mn∶CdS,Cr∶CdS and Mn∶Cr∶CdS∶ first principles calculations

In this article, density functional theory (DFT) based on generalized gradient approximation (GGA) and GGA+U, U is Hubbard term, is used to study the electronic properties of CdS doped with different dopants (Cr, Mn). The calculations are carried out for Mn-doped CdS, Cr-doped CdS, and co-doping of Mn/Cr in CdS simultaneously. It is found that hopping of electrons is possible with Cr:CdS and Mn:Cr:CdS while Mn:CdS does not allow the hopping of electrons. Moreover, double exchange interactions are observed in Cr:CdS and d-d super-exchange interactions are observed in Mn:CdS. Now the problem becomes interesting when one magnetic ion (Cr) supporting double exchange interactions and another ion (Mn) supporting d-d super-exchange interactions are doped simultaneously in the same system (CdS). The co-doped CdS is more stable even at high Curie temperature due to p-d double exchange interactions and d-d super exchange interactions. Furthermore, the Cr-3d and Mn-3d states present in-between the band gap are responsible for inner shell transitions and hence for optical properties. Therefore, the co-doped system is taken into account to enhance its applications in the field of spintronic and magneto-optical devices.     

a-Si:H/a-SiN_x:H多层膜界面的研究

<正> 尽管过去几年对非晶半导体多层膜及其界面对多层膜传输性能影响的研究甚多,然而对于界面缺陷态的特性及其密度了解甚少。不同的测量方法得到的a-Si:H/a-SiNx:H界面缺陷态密度可从1010变到1012cm-2。这一实验结果反映了每一测试方法仅能探测某些能级的缺陷,在某些情况下可能是不同类的缺陷。非晶硅系材料都包含有氢。已发现,在多层膜的沉积过程中,由于组成多层膜的子层间应力释放的需要以及两子层材料的氢扩散系数不同而     

铈铁掺杂铌酸锂晶体光折变性能的研究

对铈铁掺杂铌酸锂(Ce:Fe:LiNbO3)晶体进行氧化、还原处理。通过红外光谱、紫外可见吸收光谱测试了晶体样品的组成和缺陷结构。采用透射光斑畸变法测试了晶体样品的抗光损伤能力,结果表明:生长态晶体比还原态晶体的抗光致散射能力基本上高一个数量级,氧化态的晶体要比还原态的晶体高两个数量级。采用二波耦合实验测试了晶体样品的光折变性能,结果表明:从氧化到生长再到还原态,衍射效率逐渐降低,响应时间缩短,光折变灵敏度增加,动态范围逐渐降低。     

铟铈铜铌酸锂晶体光谱特性及抗光损伤能力

在铌酸锂LiNbO3(LN)中掺入0.1 mol%CeO2,0.1 mol%CuO和0.5 mol%、1 mol%和1.5 mol%In2O3,用Czochralski技术生长In:Ce:Cu:LN晶体.利用Avatar-360型FT-IR红外光谱仪测试了晶体的红外光谱,发现In(3 mol%):Ce:Cu:LN晶体的OH-吸收峰由LN的3 484 cm-1移到3 508 cm-1.利用WFZ-26A型紫外.可见光分光分度计测试了晶体的紫外可见光谱,发现当In掺量小于3 mol%时.随In掺量的增加,基础吸收边向短波方向移动,即发生紫移,在掺入量达到3 mol%时,基础吸收边红移.采用透射光斑畸变法测试了晶体的抗光损伤能力,结果表明:In(3 mol%):Ce:Cu:LN晶体的抗光损伤能力比其他样品明显增强,较Ce:Cu:LN晶体的抗光损伤能力高出两个数量级.探讨了In:Ce:Cu:LN晶体OH-吸收峰及基础吸收边移动和抗光致散射能力增强的机理.     

Nd:MgO:LiNbO_3光波导的制备及其特性

一、引言 目前,LiNbO_3是集成光学系统中使用较为广泛的衬底材料。自从Zhong等人首次报道了掺MgO的LiNbO_3晶体具有抗光损伤效应以来,MgO:LiNbO_3晶体在集成光学系统中得到了越来越广泛的应用。而质子交换MgO:LiNbO_3波导具有比纯LiNbO_3质子交换波导高的抗光损伤能力。把具有较好激光性能的钕离子掺入LiNbO_3中就能制成波导激光器。     

LD抽运Nd:YVO4、Nd:GdVO4和Nd:YAG激光特性比较

报道了在相同实验条件下，分别用Nd：YVO4、Nd：GdVO4和Nd：YAG三种晶体作激光介质，实现了连续波和Cr^4 ：YAG被动调Q1．06μm激光输出，分析对比了三种增益介质的泵浦阈值、转换效率及脉冲宽度、重复频率和峰值功率等一系列激光特性，为在不同运转方式下选取合适的增益介质，提供了一定的实验依据。