SBT铁电薄膜及其脉冲准分子激光制备

采用脉冲准分子激光沉积法在Ｐｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ２／Ｓｉ衬底上成功地制备了ＳＢＴ铁电薄膜，发现存在一个最佳沉积衬底温度约为４５０℃。在该温度下沉积的ＳＢＴ薄膜具有较饱和的方形电滞回线，其剩余极化Ｐｒ和矫顽电场Ｅｃ分别为８．４μＣ／ｃｍ２和５７ｋＶ／ｃｍ。     

nc—Si：H／c—Si量子点二极管中的共振隧穿特性分析

采用常规ＰＥＣＶＤ工艺，在Ｎ型单晶硅（ｃ－Ｓｉ）衬底上沉积薄层纳米Ｓｉ（ｎｃ－Ｓｉ）膜，并进而制备了ｎｓ－Ｓｉ：Ｈ／ｃ－Ｓｉ量子点二极管。在１０￣１００Ｋ温度范围内实验研究了该结构的σ－Ｖ和Ｉ－Ｖ特性。结果指出，当反身偏压为－７￣－９Ｖ时，无论在σ－Ｖ还是在Ｉ－Ｖ特性曲线上都观测到了近乎等间距的量子化台阶，此起因于在ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ膜中具有无序排布且粒长大小不一的Ｓｉ微晶粒子，由于微晶粒子中能级的量     

nc-Si∶H/c-Si量子点二极管中的共振隧穿特性分析

采用常规ＰＥＣＶＤ工艺，在Ｎ型单晶硅（ｃ－Ｓｉ）衬底上沉积薄层纳米Ｓｉ（ｎｃ－Ｓｉ）膜，并进而制备了ｎｃ－Ｓｉ∶Ｈ／ｃ－Ｓｉ量子点二极管．在１０～１００Ｋ温度范围内实验研究了该结构的σ－Ｖ和Ｉ－Ｖ特性．结果指出，当反向偏压为－７～－９Ｖ时，无论在σ－Ｖ还是在Ｉ－Ｖ特性曲线上都观测到了近乎等间距的量子化台阶，此起因于在ｎｃ－Ｓｉ∶Ｈ膜中具有无序排布且粒径大小不一的Ｓｉ微晶粒中，由于微晶粒中能级的量子化而导致的共振隧穿现象．如果进一步改进膜层生长工艺，以制备出具有趋于有序排布、尺寸均匀和粒径更小的Ｓｉ微晶粒的     

WSi_2栅和Si栅CMOS／BESOI的高温特性分析

用厚膜ＢＥＳＯＩ（ＢｏｎｄｉｎｇａｎｄＥｔｃｈ－ｂａｃｋＳｉｌｉｃｏｎ－Ｏｎ－Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）制备了ＷＳｉ２栅和Ｓｉ栅４００７ＣＭＯＳ电路，在室温～２００℃的不同温度下测量了其Ｐ沟、Ｎ沟ＭＯＳＦＥＴ的亚阈特性曲线，分析了阈值电压和泄漏电流随温度的变化关系。     

CdS微晶掺杂TiO2—SiO2复合薄膜的非线性光学特性

采用溶胶－凝胶方法在普通的载玻片上制备了ＣｄＳ微晶掺杂的ＴｉＯ２－ＳｉＯ２复合薄膜。用正硅酸乙酯、钛酸丁酯、醋酸镉作原料，比较了硫脲和硫化乙氨的硫化作用。不同热处理温度、时间的吸收光谱表明，薄膜中存在着量子尺寸效应。采用Ｚ－Ｓｃａｎ技术测量了薄膜的非线性吸收及非线性折射率。     

化学法制备的PTCR型（Sr,Pb）TiO3半导体陶瓷

采用化学共沉淀法制备（Ｓｒ１－ｘＰｂｘ）ＴｉＯ３粉末，在６０～２２０°Ｃ间获得了五种居里温度的ＰＴＣＲ型（Ｓｒ，Ｐｂ）ＴｉＯ３陶瓷。实验结果表明，材料室温电阻率低于２０Ωｃｍ，升阻比高于１０５．５。文中还给出了（Ｓｒ，Ｐｂ）ＴｉＯ３铁电体的四方→立方相转变温度（居里温度）、晶胞参数等一系列随Ｐｂ／Ｓｒ比变化的材料性质。     

纳米晶Pd─Si薄膜析出相的TEM研究

本文利用ＴＥＭ原位加热手段和选区电子衍射分析方法，对纳米晶Ｐｄ－Ｓｉ薄膜在加热过程中析出的相进行了研究。真空蒸发Ｐｄ＿（８０）Ｓｉ＿（２０）合金而得到的纳米晶Ｐｄ－Ｓｉ薄膜，其晶粒尺寸为１０ｎｍ，结构属ｆｃｃ。随着温度的升高，薄膜中晶粒长大，在局部区域有其它相析出。利用选区电子衍射图确定了这些析出相的结构。     

一种基于自由空间光互连的微粒度并行计算机体系统结构模型

本文从自由空间光互连ＦＳＯＩ（Ｆｒｅｅ－Ｓｐａｃｅ Ｏｐｔｉｃａｌ Ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔｉｏｎ）和并行处理技术的现状出发，提出了一种采用ＦＳＯＩ的并行计算机模型，这一模型充分利用了ＦＳＯＩ的优点，具有较好的并行效率。     

氮化硅薄膜的PECVD生长及其性能研究

采用ＰＥＣＶＤ法，反应温度为２５０℃，反应气体为ＮＨ３，ＳｉＨ４，在抛光硅片上沉积０．２～０．４μｍ厚的氮化硅薄膜。对这种Ｓｉ３Ｎ４薄膜的光学性能和电学性能进行了测试，其光学折射率为１．８７５，电阻率及击穿场强分别为８×１０１６Ω·ｃｍ及１×１０７Ｖ／ｃｍ，并用ＦＴＩＲ谱分析了薄膜的化学结构。     

同步状态消息与发展战略（上）

在同步网中是否马上采用同步状态消息（ＳＳＭ） 是国内建设同步网中争论的最热门的话题之一， 下面介绍一篇文章给广大读者， 文章的作者是Ｂｅｌｌｃｏｒｅ 从事ＳＳＭ 研究的专家。此文截稿日期是１９９６ 年１１ 月１６ 日， 并以附件形式收入Ｂｅｌｌｃｏｒｅ 网络编址文件。全文介绍了北美（Ｂｅｌｌｃｏｒｅ） 和欧洲（ＥＴＳＩ） 在ＳＳＭ 问题上的不同观点以及它们解决问题的设想， 我们现译为中文供国内读者参考。     

n型4H-SiC材料中位错的电学特性研究

研究位错的电学特性对于研究器件可靠性具有重要意义.文章利用拉曼散射技术在室温条件下研究了n型4H-SiC材料中位错电学特性.结果表明:螺型位错(TSD)、刃型位错(TED)的电子浓度均高于无位错区,且TSD电子浓度高于TED.结合位错结构分析认为:TED中心的半原子面存在不饱和Si键,该键通过吸附电子使其饱和并达到稳定状态,因此TED中心俘获了比无位错区更多的电子;TSD结构中,位错区域原子间的拉应力导致该区域Si原子电负性增高,因而俘获电子形成比无位错区高的电子分布.     

用于ESD防护的PDSOI NMOS器件高温特性

研究了基于0.18μm部分耗尽型绝缘体上硅(PDSOI)工艺的静电放电(ESD)防护NMOS器件的高温特性。借助传输线脉冲(TLP)测试系统对该ESD防护器件在30~195℃内的ESD防护特性进行了测试。讨论了温度对ESD特征参数的影响,发现随着温度升高,该ESD防护器件的一次击穿电压和维持电压均降低约11%,失效电流也降低近9.1%,并通过对器件体电阻、源-体结开启电压、沟道电流、寄生双极结型晶体管(BJT)的增益以及电流热效应的分析,解释了ESD特征参数发生上述变化的原因。研究结果为应用于高温电路的ESD防护器件的设计与开发提供了有效参考。     

ITO薄膜制备及RTA处理对发光器件特性的影响

采用射频反应磁控溅射生长铟锡氧化物(ITO)薄膜,通过X射线衍射(XRD)、透射光谱、四探针法及原子力显微镜(AFM)研究了生长条件、快速热退火(RTA)温度等对薄膜的晶化、透过率、电导率以及表面形貌的影响.以ITO/NPB/AlQ/Al结构的器件为例,讨论了不同的制备条件下ITO薄膜的表面效应对电致发光(EL)的影响,通过EL光谱表征发现,对ITO退火处理后,器件的相对发光强度明显增加,衰减速度减慢,器件的EL光谱有明显的变化.通过进一步分析认为,这是由于ITO薄膜表面的变化引起功函数的改变,从而引起电场重新分布造成的.     

Thermally stimulated discharge in fractional component and moisture effect studies of epoxy encapsulants

Thermally stimulated discharge (TSD) is used to characterize fractional components of epoxy encapsulation systems used on semiconductor devices. Previous work is reviewed. Present results based on individual components and component interactions are detailed. Various resin/hardener systems are examined and are not found to be major contributors to TSD structure when balanced by epoxy equivalent weight. Catalyst additions reveal increased TSD structure, especially for low levels. TSD is suggested as a cure indicator for epoxy systems. Moisture is found to resolve thermogram structure, and TSD is found to be a viable method of studying moisture effects.     

Temperature dependence of minority hole mobility in n+-GaAs measured with a new variable temperature technique

The temperature-dependent mobility provides essential information for device design and serves as a sensitive probe of minority carrier scattering physics. As examples, dominant scattering mechanisms are identified by characteristic temperature dependencies of mobility and for low temperature bipolar device optimization, accurate minority carrier mobility data are required. We report the first temperature (T) dependent measurement of minority hole mobility in n⁺-GaAs. The minority carrier mobility (μ) was measured with the zero-field time-of-flight technique. In this technique, minority carrier diffusivity (D), where De = μkT, is determined from the transient response of a specially designed photodiode that is excited by a high-speed laser. We have extended the technique to permit continuously variable, T-dependent minority mobility measurements. The unique cryostat design, including device mounting, low-loss feedthroughs and temperature measurement scheme, is presented.     

Hybrid Cd‐free CIGS solar cell/TEG device with ZnO nanowires

A green energy device with a CuInGaSe₂ (CIGS) photovoltaic (PV) cell covered with a passive light‐trapping structure (ZnO nanowires (NWs)) and connected to an active energy‐harvesting device (thermoelectric generator (TEG)) is presented. The efficiency of the ZnO NWs/CIGS PV device obtained using a deposition temperature of 550 °C and Cd‐free processes reaches 16.5%. The series‐connected CIGS PV cell with a TEG had a record‐high efficiency of 22% at a cool‐side temperature (T_c) below 5 °C. The open‐circuit voltage (V_oc) of the hybrid CIGS PV/TEG device was increased from 0.64 to 0.85 V. This technology has potential for high‐efficiency energy‐harvesting applications. Copyright © 2014 John Wiley & Sons, Ltd.     

基于MSER和SVM的快速交通标志检测

为解决传统的基于机器学习的交通标志检测(TSD) 方法需要对每一个待检测子窗口进行处理而导致算法实时性不高的问 题,提出了一种基于感兴趣区域(ROI)提取和机器学习的快速TSD 算法。针对传统基于颜色阈值的ROI提取方法具 有对光照变化较敏感等缺点,设计了一种颜色增强下的最大稳定极值区域(MSER)方法 ,根据标志的颜色进行 颜色增强,对颜色增强图像提取MSER得到交通标志ROI;然后在图像的多尺度滑动遍历检测 过程中,仅对包含ROI的滑 动窗口进行方向梯度直方图(HOG)特征的提取,并通过支持向量机(SVM)进 行分类判别。实验结果表明,本文改进的TSD方法在运算速度上有较大提升,具有很好的鲁 棒性,且获得了96.42%的检测率以及较低的误检数。     

基于标准CMOS工艺的Si基光发射器件

基于反偏雪崩击穿的发光原理,按照Chartered 0.35μm标准CMOS工艺要求,设计并制作了一种Si基光发射器件。在室温下对器件特性进行了初步测试,正向导通电压为0.75V,反向击穿电压为8.4V,能够在一个较宽的电压范围(8.4～12V)内稳定工作。总结了工艺对器件电学特性的影响,并将该器件结构与Snyman等人研究的器件结构进行了比较分析。该器件较强的边缘发光在平面结构的Si基片上集成光互联系统中将会有一定的应用价值。     

Stability and interface abruptness of InxGa1−xN/InyGa1−yN multiple quantum well structures grown by OMVPE

The abruptness of hetero-interfaces in InGaN multiple quantum well structures is shown to degrade when a high temperature growth follows growth of the multiple quantum well (MQW) region, as is generally required for the growth of full device structures. We have analyzed MQW samples both with and without high temperature GaN “cap” layers, using x-ray diffraction (XRD), grazing incidence x-ray reflection (GIXR), and photoluminescence. While all of these techniques indicate a degradation of the MQW structure when it is followed by growth at high temperature, GIXR is shown to be especially sensitive to changes of heterointerface abruptness. GIXR measurements indicate that the heterojunctions are less abrupt in samples that have high temperature cap layers, as compared to samples with no cap layer. Furthermore, the degree of roughening is found to increase with the duration of growth of the high temperature cap layer. The degradation of the heterointerfaces is also accompanied by a reduction in the intensity of satellite peaks in the x-ray diffraction spectrum.     

低温微波水热法制备氧化钇稳定氧化锆

微波水热合成法是新型的纳米粉体材料制备方法,它与常规水热法相比,反应时间更短、反应温度更低,并且微波的非热效应影响产物晶型的形成。立方相氧化钇稳定氧化锆(YSZ)陶瓷材料是制作氧传感器、固体氧化物燃料电池及高温湿度传感器等多种功能元器件的核心原材料。采用可程序化控制的MARS-5微波消解仪实现了微波水热合成,反应温度100~120℃,反应时间1~5h,在强碱环境下制备氧化钇稳定氧化锆纳米粉体,而常规水热法制备氧化锆的温度一般为190~250℃。采用X射线衍射、热分析等方法,研究了温度、时间、pH和Y2O3含量对产物粒度和晶型的影响,使用了Rietveld方法进行定量分析、粒度计算。结果显示,与常规水热法相比,微波水热法不仅缩短了反应时间,并且影响产物的结构组成。分析表明,微波加速反应的机理可以用晶粒旋转驱动的晶粒聚合解释,而微波的介电加热效应,微波离子传导损耗等是加速化学反应的主要原因。