K0.9Li0.1（Ta0.5Nb0.5）O3晶体压电应变系数的测量

用准静态ｄ＿（３３）测量仪和干涉法相结合。测量了Ｋ＿（０．９）Ｌｉ＿（０．１）（Ｔａ＿（０．５）Ｎｂ＿（０．５）Ｎｂ＿（０．５））Ｏ＿３晶体的压电应变系数。结果为：ｄ＿（３３）＝８６．０，ｄ＿（３３）＝一２９．５，ｄ＿（１５）＝１１２．９×１０￣（－１２）Ｃ／Ｎ．     

Na_5Tm（WO_4）_4发光晶体的光谱特性研究

以Ｎａ２ＷＯ４为助熔剂，采用缓冷法成功地生长出新型发光晶体Ｎａ５Ｔｍ（ＷＯ４）４，晶粒尺寸为２ｍｍ×２ｍｍ×２ｍｍ。根据四方晶系面间距公式及最小二乘法，可以确定晶体的晶胞参数ａ＝１．１３８６ｎｍ，ｃ＝１．１２８３ｎｍ，测定并分析了该晶体室温下的红外光谱、吸收光谱、发射光谱及激发光谱。根据Ｊｕｄｄ－Ｏｆｅｌｔ理论计算了Ｔｍ３＋离子的吸收振子强度和配位场作用强度参数。结果表明该晶体有可能成为一类很重要的蓝色发光材料。     

发光晶体Na_5Er（WO_4）_4的光谱性质和Er~（3＋）的光谱参数计算

制备了Ｎａ５Ｅｒ（ＷＯ４）４的粉末和单晶，测定了晶格参数、单晶吸收光谱，激发和发光光谱。计算了吸收谱线振子强度，根据Ｊｕｄｄ－Ｏｆｅｌｔ理论拟合出Ｅｒ３＋发光光谱的三个强度参数Ω２，４，６＝１．７４，１．４６，０．５１×１０－２ｃｍ２，计算了自发辐射电偶和磁偶跃迁振子强度和跃迁几率、辐射寿命、荧光分支比和积分发射截面等光谱参数，讨论了Ｅｒ３＋发光谱线出激光的可能性。     

Tm_(0.03)Yb_(0.18)La_(0.79)P_5O_(14)和Tm(0.1)Yb(3):ZBLAN玻璃的上转换敏化蓝色发光

报道了Ｔｍ０．０３Ｙｂ０．１８Ｌａ０．７９Ｐ５Ｏ１４玻璃和Ｔｍ（０．１）Ｙｂ（３）ＺＢＬＡＮ玻璃中Ｔｍ３＋离子１Ｇ４能级的直接上转换敏化发光和间接上转换敏化发光并进行了初步的比较研究,发现在间接上转换敏化的情况下,五磷酸盐中Ｔｍ３＋离子的上转换发光极大地增强,达到与ＺＢＬＡＮ玻璃可比的水平,它有助于促进上转换研究推向实际应用     

Gd∶PbWO_4晶体的生长及其闪烁性能研究

在 Ｐｂ Ｗ Ｏ４ 晶体中掺进 Ｇｄ２ Ｏ３,采用 Ｃｚｏｃｈｒｏｌｓｋｉ法生长 Ｇｄ∶ Ｐｂ Ｗ Ｏ４ 晶体。测试晶体的透射光谱,激光发射光谱,抗辐照损伤能力和发光效率。 Ｇｄ∶ Ｐｂ Ｗ Ｏ４ 晶体的透过率,抗辐照损伤能力和发光效率皆优于纯 Ｐｂ Ｗ Ｏ４ 晶体。 Ｇｄ∶ Ｐｂ Ｗ Ｏ４ 晶体的吸收边紫移,提高了透过率,从而提高了发光效率。 Ｇｄ３＋ 掺入 Ｐｂ Ｗ Ｏ４ 晶体中,抑制了 Ｐｂ３＋ 的存在,提高了晶体抗辐照损伤能力。 Ｇｄ∶ Ｐｂ Ｗ Ｏ４ 晶体是比 Ｐｂ Ｗ Ｏ４ 晶体性能更为优良的闪烁晶体。     

钼酸盐Na_5Tb_xEu_（1－x）（MoO_4）_4的发射光谱研究

测定了室温下Ｎａ５ＴｈｘＥｕ１－ｘ（ＭｏＯ４）４的发射光谱。发现随ｘ的增加，Ｔｂ３＋离子５４６ｎｍ（５Ｄ４→７Ｆ５）的荧光发射亦随之增加。同时观察到，当ｘ＞０．７时，发光相对强度变化会出现突变。被认为是由于Ｔｂ３＋离子中存在５Ｄ３能级向５Ｄ４能级进行无辐射共振能量转移所致。     

Gd：PbWO4晶体的生长及其闪烁性能研究

在ＰｂＷＯ４晶体中掺进Ｇｄ２Ｏ３,采用Ｃｚｏｃｈｒｏｌｓｋｉ法生长Ｇｄ：ＰｂＷＯ４晶体,测试晶体的透射光谱,激发发射光谱,抗辐照损伤能力和发光效率,Ｇｄ：ＰｂＷＯ４晶体透过率,抗辐照损伤能力和发光效率皆优于纯ＰｂＷＯ４晶体,Ｇｄ：ＰｂＷＯ４晶体的吸收过紫移,提高了透过率,从而提高了发光效率,Ｇｄ＾３＋掺入ＰｂＷＯ４晶体中,抑制了Ｐｂ＾３＋的存在,提高了晶体抗辐照损伤能力,Ｇｄ：ＰｂＷＯ４晶体是比Ｐ     

InAs／InP_（0．7）Sb_（0．3）热电子晶体管的电流增益及最高收集极电压

分析ＩｎＡｓ／ＩｎＰ（０．７）Ｓｂ（０．３）热电子晶体管的电流增益β及最高收集极电压Ｖ（ＣＭ）。计算结果表明，β超过２０，Ｖ（ＣＭ）接近１．５Ｖ。     

激光二极管泵浦Nd：Sr5（PO4）3F小型绿色激光器

以激光二极管作为泵浦源，ＫＴＰ用作内腔倍频晶体，我们已从一种新型的Ｎｄ：Ｓｒ５（ＰＯ４）３Ｆ晶体中得到了０．５２９５μｍ的绿色激光输出，阈值功率为１０ｍＷ，当光学效率为１０．１％二极管激光输入射泵浦功率为４００ｍＷ，ＴＥＭ００模绿色激光输入功率为４０．４ｍＷ，给出了ＣＷ内腔倍频激光器的理论公式，并与试验结果一致。     

钼酸盐Na5TbxEu1—x（MoO4）4的发射光谱研究

测定了室温下Ｎａ５ＴｂｘＥｕ１－ｘ（ＭｏＯ４）４的发射光谱。发现随ｘ的增加，Ｔｂ＾３＋离子５４６ｎｍ（＾５Ｄ４→＾７Ｆ５）的荧光发射亦随这增加。同时观察到，当ｘ＞０．７时，发光相对强度变化会出现突变。     

功能晶体材料NaEr（WO4）2单晶的生长与性能研究

首次生长具有白钨结构的NaEr（WO4）2晶体。测量得晶体在UV波段的截止波长为326nm,此NaY(WO4)2(321nm)晶体要长。这是由于Er^3 具有较大的极化力造成的。测量了NaEr(WO4)2红外透过光谱和喇曼光谱,并对晶格振动模式进行了分析。所有这些性质和同结构的NaY（WO4)2晶体进行了比较。     

基于半导体可饱和吸收镜锁模的Yb:NaY(WO4)2飞秒激光器

采用提拉法生长了Yb:NaY(WO4)2晶体,使用透射式半导体可饱和吸收镜(SESAM),实现了激光二极管(LD)抽运的连续波锁模飞秒激光运转。当最大抽运功率为8.6 W时,输出功率为164 mW,中心谱线为1035 nm,锁模脉冲的重复频率为35 MHz。经测量此时锁模脉冲宽度为246 fs。     

Al2(WO4)3的激光烧结合成及特性

采用激光烧结技术快速成功地将比例适当的Al2O3和WO3粉末合成了形貌良好且致密的Al2(WO4)3材料,并对该材料采用多种分析手段进行了分析。 拉曼光谱分析说明在合适工艺参数下激光烧结可避免原料挥发，使原料完全参与反应。X射线衍射(XRD)分析表明合成物主要是Al2(WO4)3，属空间群Pnca，具有正交结构，可能显示负热膨胀特性，另外还含有少量的AlxWO3(x≤1)和WO3-x(x<1)。扫描电镜(SEM)发现合成物晶粒呈球形、细小、排列致密、少有气孔、尺寸约在10 nm左右。能量散射光谱(EDS)分析显示合成物内部成分分布均匀。热分析则得出合成物中少许杂相为复杂非平衡相。     

Ho^3＋，Yb^3＋：YAl3（BO3）4晶体的光谱特征

采用助熔剂法生长了Ho3+,Yb3+共掺的Ho3+,Yb3+:YAl3(BO3)4(Ho,Yb:YAB)晶体,测量了晶体的室温吸收谱,进而根据Judd-Ofelt(J-O)理论计算了Ho3+在Ho,Yb:YAB晶体中的强度参数、自发辐射几率和积分发射截面等参数,得到强度参数为Ω2=1.50639×10-18cm2、Ω4=4.86489×10-19cm2和Ω6=1.40248×10-19cm2。研究了晶体的荧光特性,并在976 nm激光泵浦下得到了上转换绿色荧光。     

KGd（WO4）2为基质的激光晶体被动锁模研究现状及前景

本文讨论了大功率飞秒激光器对增盆介质的要求,根据各种KGW为基质的激光材料的光谱学以及热学参数,重点分析了KGW激光晶体在获得大功率飞秒脉冲上的优势,给出了采用此类材料进行锁模实验与半导体可饱和吸收镜之间的关系。同时通过对目前KGW的飞秒实验报道的综述,探讨丁影响此类材料飞秒锁模的一些关键因素,综述了以KGW为基质的激光晶体被动锁模的大功率激光器的研究进展与发展潜力。     

泡生法生长KYb(WO4)2晶体及其结构与光谱性能

对顶部籽晶提拉法(TSSG)进行了改进,采用泡生法生长KYb(WO4)2晶体(简称KYbW),以0.05℃/h的速率降温生长,转速5~10 r/min,生长周期10~15 d,降温速率15~20℃/h。研究了KYbW晶体的结构,给出了两种晶胞的选取方法。通过晶体的X射线衍射(XRD)谱,计算出晶体的两种晶格常数分别为a=1.061 nm,b=1.029 nm,c=0.749 nm,β=130.65°;a′=0.807 nm,b′=1.029 nm,c′=0.749 nm,β′=94.34°。测得晶体的吸收光谱,结果表明其吸收带在920~1000 nm,计算出主吸收峰981 nm处的吸收截面为11.12×10-20cm2。测得晶体的荧光光谱,结果表明KYbW晶体在1007 nm和1037 nm附近都有较强的发射峰,主峰1037 nm处的发射线宽(FWHM)达13 nm,因此KYbW晶体可作为可调谐激光增益介质,计算出1037 nm处的受激发射截面积eσm=3.4×10-20cm2。     

激光烧结快速合成La2(MoO4)3材料

针对已有的固相合成法和湿化学法等合成方法中存在的工艺复杂、反应时间长、反应不充分等缺点,提出应用激光烧结快速合成技术制备质地致密、成型较好的La2(MoO4)3材料。对样品的拉曼光谱，X射线衍射,样品表面形貌和热膨胀性进行了分析和讨论。结果表明，制备的样品基本上是单一相的La2(MoO4)3，扫描电镜显示出样品表面多为细小晶粒的团聚体;能谱分析表明样品表面上各小晶粒的成分基本相同，说明得到的样品成分均匀;La2(MoO4)3在低温下是单斜结构，达到室温及以上时为正交结构，其极有可能是各向异性负热膨胀材料。     

Yb:GdYAl3(BO3)4晶体的生长及性质研究

采用助熔剂法生长了Yb：GdYAl3（BO3）4晶体。测量了晶体的室温吸收谱和荧光谱。该晶体在960nm和974nm处存在两个吸收带，适合InGaAs泵浦；在1002nm和1044nm处各存在一荧光谱峰。研究了晶体的热学性质，平行于c轴方向的热膨胀系数约为α轴方向的5．4倍。采用化学腐蚀光学显微法研究晶体缺陷证明Yb：GdYAl3（BO3）4中存在孪晶结构。