高岭石/苯甲酰胺插层复合物的制备与表征

以高岭石／二甲亚砜作为前驱物,用熔融插层法成功制备了高岭石／苯甲酰胺插层复合物,产物用X射线粉晶衍射和Fourier变换红外光谱进行了表征。实验结果表明：高岭石／苯甲酰胺插层复合物中,高岭石的层间距扩张到1.428nm,插层率达到了82．5％;苯甲酰胺分子的氨基与高岭石的内表面羟基形成了氢键,苯甲酰胺分子可能以单分子层垂直排列于高岭石层间。高岭石／苯甲酰胺插层复合物在140～180℃的温度范围内,会发生苯甲酰胺的脱嵌过程。     

高岭石/丙烯酰胺插层复合物的微波制备及其表征

高岭石及其有机插层复合物在高性能陶瓷领域有着良好的应用前景。本文利用微波技术,以DMSO作为前驱体,制备高岭石/丙烯酰胺插层复合物,发现微波对丙稀酰胺的插层反应具有相当明显的促进作用,反应时间从通常的几天缩短到几个小时。采用X-射线衍射、FT-IR光谱、TG等技术对其进行表征。结果表明:反应2小时后,该插层复合物的层间距即可扩大为1.139nm,其键合方式发生了改变,形成新的氢键。这为工业生产高岭石有机插层物以及制造纳米级高岭土提供了高效的新途径,并为进一步生产高性能陶瓷方面打下了基础。     

高岭石-氨基硅烷插层复合物的制备与表征

以高岭石-甲醇(K-M)复合物为前驱体,利用置换法于常温下制备了3种高岭石-氨基硅烷插层复合物。用X射线衍射、Fourier变换红外光谱仪、透射电子显微镜、热分析仪等对复合物进行了表征。结果表明:3种高岭石-氨基硅烷插层复合物的层间距均扩大至2nm以上,插层率都大于95%。3种氨基硅烷分子均和K-M前驱体的甲氧基共同存在于高岭石层间,均呈两层倾斜排列,倾斜程度不同。氨基硅烷的插入破坏了高岭石层间的氢键,加剧了高岭石自身结构中硅氧四面体片层与铝氧八面体片层之间的错位,使得复合物片层出现不同程度的卷曲变形。3种高岭石-氨基硅烷插层复合物的热分解过程均分三步进行:表面水的蒸发及层间甲氧基的脱嵌分解、插层剂氨基硅烷分子的脱嵌、高岭石脱羟基。     

高岭石/甘氨酸插层复合物的制备与表征

通过取代法成功地将甘氨酸插入到高岭石层间，制备出高岭石／甘氨酸插层复合物，XRD显示插层复合物1．0nm出现衍射峰，红外光谱表明甘氨酸分子中的N、O原子与高岭石片层间离子形成了氢键。     

高岭石/酒石酸插层复合物的制备与表征

介绍了二甲亚砜(DMSO)取代法制备高岭石/酒石酸(标记为K/T)插层复合物.产物经XRD-6000粉晶衍射和傅立叶变换红外光谱表征.XRD表明:高岭石层间距由0.72 nm扩张到1.09 nm,插层率达50%.红外光谱表明:酒石酸分子的羰基与高岭石的内表面羟基形成了氢键,而羟基与高岭石的硅氧面的氧形成了氢键.酒石酸分子以单分子层平铺于高岭石层间.     

高岭石/二甲亚砜插层复合物的热分析

用热重-差示扫描量热法(thermogravimetry-differential scanning calorimetry,TG-DSC)和X射线衍射研究了高岭石/二甲亚砜(dimethyl sulfoxide,DMSO)插层复合物形成时,吸附在高岭石表面的DMSO分子的存在状况.测量了复合物在60℃干燥不同时间和升温速率不同时的TG-DSC曲线.结果表明:复合物在60℃干燥24h后可将吸附分子除去,而不影响插入的DMSO;水和DMSO的脱附温度分别为60℃和117℃.根据热分析数据计算得到了Al2[SiO2O5](OH)4与DMSO的摩尔比值为1.04:1.研究发现:在高岭石的层间不存在水分子,水分子仅仅吸附在高岭石的表面.     

淮北焦宝石型高岭石/二甲基亚砜插层复合物的制备与表征

采用XRF、XRD等研究了淮北高岭石的矿物学特征,结果表明淮北高岭石为隐晶质结构,结晶有序度低,Hinckley指数仅为0.56.以此为原料,制备了高岭石/二甲基亚砜插层复合物,并对其进行表征.XRD和FTIR分析显示DMSO插入了高岭石层间,使晶层间距d(001)由0.720 nm增加到1.132 nm,插层率为87％.DSC-TG分析显示插层复合物的脱嵌与挥发发生在120 ～280℃,高岭石的脱羟基温度在插层前后变化不明显.     

高岭石有机插层复合材料的研究及应用现状

高岭石是一种层状硅酸盐矿物,有机物可进入其层间形成高岭石有机插层复合物。本文综述了高岭石有机插层复合物的发展及其制备,分析了高岭石插层复合物的插层反应特点和插层影响因素,并概述了该领域目前的研究重点和应用前景。     

高岭石／二甲基亚砜插层复合物的制备及影响因素

以高岭土为原料,制备了高岭土／二甲基亚砜（dimethylsulfoxide,DMSO）插层复合物。利用X射线衍射（x-raydiffraction,xgo）,Fourier红外光谱（Fouriertransforminfraredspectracopy,FTIR）,热重一差热分析（thermogravimetric-...     

高岭石有机插层复合材料的研究及其应用

综述了高岭石/有机物插层复合物发展,分析了高岭石插层复合物插层机理,粘土矿物及高岭土有机物插层应用及插层复合物合成Sialon陶瓷的制备,并对其发展前景进行了展望.     

高岭石/聚苯乙烯插层复合物碳热还原反应制备碳化硅晶须/氧化铝复相陶瓷粉体

以二甲基亚砜(dimethylsuIfox.de,DMSO)为插层剂制得高岭石/DMSO插层复合物,将苯乙烯单体与高岭石,DMSO插层复合物进行置换反应, 成功地将苯乙烯单体引入高岭石层间,层间苯乙烯在加热条件下聚合,制得高岭石/聚苯已烯捅层复合物.以高岭石/聚苯乙烯插层复合物为原料,在氩气保护气氛下,于1500℃碳热还原反应制备碳化硅晶须/氧化铝(SiCw/Al2O3)复相陶瓷粉体.结果表明:在高岭石/聚苯乙烯插层复合物中,高岭石 的层间距由0.717nm扩张到1.130nm,插层率接近100%.插层作用影响了层间羟基基团的振动,使其键合方式发生改变.X射线衍射和扫描电镜分 析表明:合成出SiCw/Al2O3复相陶瓷粉体中SiC和Al2O3为主品相,SiC呈晶须状,其直径≤200nm,长度≥3μm.     

石墨层间化合物的合成和应用

石墨层间化合物（Graphite Intercalation Compound，简称GIC）是一种重要的化合物，广泛用于各种科学和生活领域，本文介绍了石墨层间化合物合成及其在密封，环保，医药，阻燃等方面的应用。     

聚苯乙烯/高岭石纳米复合材料的制备与表征

高岭石是一种层状硅酸盐矿物，以二甲亚砜为前驱体制备有机高岭石，二甲亚砜进入高岭石层间，层间由亲水转变为疏水，层间表面能降低，苯乙烯单体分子插层进入高岭石层间，在加热条件下聚合，制得聚苯乙烯／高岭石复合材料。所制备的复合材料由x射线衍射、Fourier变换红外光谱、扫描电镜、透射电镜和热失质分析进行表征，证实所制备的复合材料为聚苯乙烯／高岭石纳米复合材料。     

石墨层间化合物的制取及其应用

石墨层间化合物是一种新型的纳米材料,具有广泛的应用背景。本文介绍了石墨层间化合物的原理以及种类,几种制备方法：双室法、化学氧化法、电化学法、溶剂法、混合法、加压法等,并比较了他们各自的优缺点及应用现状。     

石墨层间化合物的制备、结构与应用

石墨层间化合物（GIC）是一种二维的纳米级多功能材料，综述了石墨层间化合物的制备方法和结构特点，并对它的应用作了简要介绍。     

微波对不同插层剂插入高岭石的作用与比较

用X射线衍射和红外光谱研究在微波辐照下不同种类的插层物插入高岭石层间的效果。结果表明：微波对大偶极距、小分子物质,如二甲亚砜(dimethyl sulphoxide,DMSO)的插层反应具有相当明显的促进作用,当DMSO插层率为82．2％时,微波辐照可使插层时间从通常的几天缩短到1h。同时,实验也表明,微波对醋酸钾、尿素等物质的插层促进作用相当微弱,其原因是微波对各种插层物、水以及高岭石的热效应与非热效应综合作用的结果。     

不同工艺有机插层蛭石的制备及表征

以2倍蛭石阳离子交换容量的十六烷基三甲基溴化铵为插层剂,利用热液搅拌法、球磨法、煮沸法、熔融搅拌法等4种不同工艺对蛭石进行插层处理.对有机插层后的蛭石进行了粉晶X射线衍射、Fourier变换红外光谱和热重分析表征.结果表明:不同插层工艺会导致有机插层蛭石的层间距及微结构的变化.随着层间距的增大,蛭石层间的有机相含量逐渐增大.     

石墨层间化合物在插层过程中阶的转变模式

应用原位ＸＲＤ（Ｘ射线衍射）法,研究了石墨层间化合物（ＣＩＣ）在插层过程中阶次的转变模式。结果表明：不同的插层体系和插层条件产生不同的成核和扩散情况,从而导致在插层过程中试样的不同阶次转变模式。