SBS-OH模板制备CdS纳米粒子及表征

以SBS为基本原料,通过大分子化学反应制备得到羟基化SBS(SBS-OH).以N,N-二甲基甲酰胺为溶剂,SBS-OH为模板,乙酸镉及硫化钠为前驱物,在常温条件下"原位反应"制备得到CdS纳米粒子.通过UV-Vis、PL系统考察了SBS-OH浓度、前驱物浓度及配比等因素对CdS纳米粒子光学性质的影响.通过TEM对CdS纳米粒子的尺寸及形貌进行了表征.研究表明,利用SBS-OH的两亲性质,可以在极性溶剂DMF中得到具有冠状复合结构的CdS纳米粒子.随着前驱物浓度的增加,CdS纳米粒子的吸收强度增加,吸收带边红移,表现出较明显的量子尺寸效应.PL光谱表明CdS纳米粒子可以产生表面缺陷态的荧光发光特性,通过对实验结果的总结分析,探讨了复合结构CdS纳米粒子可能的形成机制.     

树形分子包覆硫化镉量子点的抗老化性能研究

以聚酰胺-胺树形分子为模板制备了平均粒径为2.5nm的CdS量子点, 采用HRTEM、EDS、UV-vis、PL等手段对样品进行表征, 研究了其在室温避光条件下的老化过程. 结果表明, CdS量子点在刚制备的前5d里UV-vis、PL谱峰半峰宽变窄, 发光效率迅速上升, 表明量子点以尺寸窄化生长为主; 5d后UV-vis、PL谱峰半峰宽逐渐宽化, 发光效率缓慢下降, 表明量子点以尺寸宽化(Ostwald 熟化)过程为主. 树形分子的配位作用和模板作用赋予CdS量子点良好的抗老化性能, 6个月后量子点粒径增量<0.3nm, PL强度约降低22%.     

苯乙烯-马来酸酐共聚物/氧化锌纳米粒子合成与表征

以N,N-二甲基甲酰胺为溶剂,乙酸锌为前驱物,苯乙烯-马来酸酐共聚物为大分子稳定剂,采用溶液化学法,制备了氧化锌纳米粒子。通过紫外-可见吸收光谱(UV-Vis)、荧光光谱(PL)、透射电子显微镜(TEM)等方法对合成的ZnO纳米粒子样品进行表征。结果表明,所合成样品具有量子尺寸效应,样品UV-Vis吸收光谱在350nm给出氧化锌纳米粒子的特征吸收峰,样品PL光谱显示在410nm处可产生明显的荧光发射。氧化锌纳米粒子的尺寸在50~100nm且粒径分布较窄,表明苯乙烯-马来酸酐共聚物对氧化锌纳米粒子的表面起到了良好稳定作用。     

AOT表面修饰CdS纳米粒子的合成与表征

以AOT为表面活性剂,硫脲及乙酸镉为原料,磷酸二氢钾为相转移剂,分别在水相和有机相中制备了CdS纳米粒子.UV-Vis光谱表明,CdS纳米粒子具有明显的量子尺寸效应.FTIR光谱分析表明,水相中AOT分子的-S=O、-C-O、-C=O基团指向溶剂,-CH2-基团堆砌在CdS纳米粒子表面,而有机相中则相反.TEM测试结果表明,有机相球形CdS纳米粒子具有较好的自组装行为,其尺寸为5～10nm且分布较窄.     

纳米CdS／聚（苯胺-邻氨基苯甲酸）复合薄膜的制备及表征

以苯胺和邻氨基苯甲酸为单体共聚而成的聚（苯胺-邻氨基苯甲酸）（PAOAA）为基体，制备了纳米CdS／PAOAA复合薄膜。纳米CdS粒子大小均匀，粒径分布窄，较稳定地存在于基体中，且随着硫化时间的延长粒径尺寸有所增加。荧光光谱表明纳米CdS／PAOAA复合薄膜的发光由CdS纳米粒子和PAOAA共同作用产生，在430nm和520nm附近出现了两大发光峰；CdS粒径的增加导致电子-空穴对在CdS内复合增大，表现为纳米CdS的荧光特征峰增强而PAOAA的荧光特征峰减弱。     

纤维素/CdS纳米复合材料的声化学制备及其光电性能

以无水氯化镉和硫化钠为原料,微晶纤维素MCC为模板,采用声化学法成功制备MCC/CdS纳米复合材料.用原子力显微镜(AFM),X射线衍射(XRD),荧光光谱(PL)以及光电化学实验对复合材料的结构及性能进行表征.研究表明,粒径为30-70nm的CdS粒子均匀分布于微晶纤维素表面,所得CdS粒子为立方型晶体.PL光谱分析...     

聚乙烯吡咯烷酮硫脲修饰CdS纳米粒子的制备

用硫脲为表面修饰剂,并用PVP(聚乙烯吡咯烷酮)为稳定剂在乙醇水溶液中合成了粒径分布均匀、性能稳定、有机物修饰的CdS纳米颗粒.重点分析了硫脲的引入对CdS纳米粒子晶体结构、粒径分布、紫外可见吸收光谱、红外光谱、光致荧光光谱(PL)的影响.发现硫脲修饰使得CdS纳米粒子的粒径更小,粒径分布更加均匀,并且有效地抑止了PVP对CdS荧光淬灭,在PL光谱上观察到了CdS的带隙发光.     

复合结构纳米晶CdS：Cu/CdS的制备及光学特性

在非配位溶剂中合成了高质量的CdS纳米晶核,并利用Cu2+离子对其进行掺杂,制备了CdS:Cu纳米晶.通过进一步采用连续离子层吸附反应的方法对CdS:Cu纳米晶进行表面修饰,得到CdS:Cu/CdS复合结构纳米晶.利用X射线衍射(XRD),透射电镜(TEM),紫外可见吸收光谱(UV-Vis)和荧光光谱(PL)对其结构、形貌以及光学性质进行了表征和分析,结果表明:所制备的复合结构CdS:Cu/CdS纳米晶为立方闪锌矿结构;与CdS纳米晶核相比,掺杂Cu2+可以使其表面态发光发生红移;在CdS:Cu纳米晶中,通过改变掺杂Cu2+的浓度,可以实现表面态发光在570和620nm之间的连续调节.与未经包覆的CdS:Cu纳米晶相比,包覆层CdS增强了纳米晶CdS:Cu的稳定性.     

SiNx薄膜中硅纳米粒子的制备及表征

通过等离子增强化学气相沉积(PECVD)法, 以氨气和硅烷为反应气体, P型单晶硅和石英为衬底, 低温下(200℃)制备了含硅纳米粒子的非化学计量比氮化硅(SiN_x)薄膜. 经高温(范围500~950℃)退火处理优化了薄膜结构. 室温下测试了不同温度退火后含硅纳米粒子SiN_x薄膜的拉曼(Raman)光谱、光致发光(PL)光谱及傅立叶变换红外吸收(FTIR)光谱, 对薄膜材料的结构特性、发光特性及其键合特性进行了分析. Raman光谱表明. SiN_x薄膜内的硅纳米粒子为非晶结构. PL光谱显示两条与硅纳米粒子相关的光谱带, 随退火温度的升高此两光谱带峰位移动方向相同. 当退火温度低于800℃时, PL光谱峰位随退火温度的升高而蓝移. 当退火温度高于800℃时, PL光谱峰位随退火温度的升高而红移. 通过SiNx薄膜的三种光谱分析发现薄膜的光致发光源于硅纳米粒子的量子限制效应. 这些结果对硅纳米粒子制备工艺优化和硅纳米粒子光电器件的应用有重要意义.     

有序介孔氧化硅孔道氧化锰团簇组装研究

以有序介孔氧化硅MCM-41为主体材料,通过浸渍法及后续热处理工艺,在孔道中组装氧化锰的团簇粒子,并对其进行结构表征。通过XRD、HR—TEM、XPS及N2吸附表明氧化锰的团簇粒子已经成功组装到MCM-41有序孔道中。通过对不同孔径有序介孔材料的氧化锰团簇粒子的组装,表明随着孔道中组装量的增加,350nm附近光致发光强度增强,吸收边发生红移,同时1000nm附近吸收带宽化。