发射结磷扩散方法的改进

分析了高温高浓度磷扩散工艺生产中的种种弊病，提出了类似于硼扩散的磷扩散方法，详细分析了新方法的可行性及优点，实验结果和理论分析一致。     

温度梯度下磷在硅中的扩散

在单晶硅本身存在温度梯度条件下，实验观察到施主杂质磷在硅中的扩散系数比在恒温扩散炉条件下的扩散系数大得多。文中对这种异常扩散现象进行了讨论。     

新型片状磷平面扩散源的应用研究

分析了新型片状固态磷平面扩散源(PDS)的掺杂机理,并与液态POCl3源扩散进行了比较,指出可用片状固态磷PDS来替代POCl3实现磷扩散工艺的预沉积。基于PDS预沉积的实验结果,分析了影响方块电阻大小及其均匀性的关键因素,给出了工艺方案,并通过实际产品的电学参数测量结果验证了工艺方案的可行性,可供新型片状磷PDS在大直径硅扩散工艺中的推广使用参考。     

磷扩散氧化锌单晶的性质

分别在550和800℃对CVT方法生长的非掺ZnO单晶进行闭管磷扩散. 通过Hall测试、X射线光电子谱（XPS) 、光致发光（PL）以及喇曼散射对扩散后的样品进行测试分析. 发现扩散掺杂后的ZnO单晶仍显示n型导电性,自由电子浓度比非掺样品增高,在800℃扩散后尤为明显. PL测试结果表明,掺杂样品在420~550nm范围的可见光发射与缺陷有关. XPS测试表明:在550℃掺杂,P原子更易代替Zn位;在800℃扩散时,P未占据Zn位,而似乎占据了O位. 最终在磷扩散后的ZnO单晶中形成了高浓度的浅施主缺陷,造成了自由电子的显著增加.     

磷扩散氧化锌单晶的性质

分别在550和800℃对CVT方法生长的非掺ZnO单品进行闭管磷扩散.通过Hall测试、X射线光电子谱(XPS)、光致发光(PL)以及喇曼散射对扩散后的样品进行测试分析.发现扩散掺杂后的ZnO单晶仍显示n型导电性,自由电子浓度比非掺样品增高,在800℃扩散后尤为明显.PL测试结果表明,掺杂样品在420～550nm范围的可见光发射与缺陷有关.XPS测试表明:在550℃掺杂,P原子更易代替Zn位;在800℃扩散时,P未占据Zn位,而似乎占据了O位.最终在磷扩散后的ZnO单晶中形成了高浓度的浅施主缺陷,造成了自由电子的显著增加.     

基于Arcgis的污染空气扩散模拟软件设计

本研究以高斯点源空气扩散模型为原型,研究多因子空气污染扩散复合模型,利用ArcGIS的空间地理数据可视化功能,以区域地形为基础显示空气质量的空间分布情况并对空气污染扩散路径进行模拟。结合风力、风向、温度、气压、地形等多因子对空气进行扩散性评价,并采用三维表达技术模拟污染空气的扩散,最后基于ArcGIS Engine,实现空气污染扩散模拟的可视化目标。     

办公室内甲醛扩散规律的数值模拟研究

甲醛作为室内主要污染物之一,严重危害了室内人员的身体健康。利用CFD建立组分传输模型,针对自然通风和空调换气等不同工况下办公室内的甲醛浓度进行了数值模拟,总结出甲醛在室内的分布规律,并提出降低办公室内甲醛污染物的主要防治措施。     

基于WebGIS的一维水体污染扩散模拟的实现

为了将互联网和地理信息系统（WebGIS）结合起来,并在不受环境限制的条件下模拟水污染扩散情况,从而及时有效地处理突发性水污染事故。对一维水体污染扩散的数学模型进行了重点分析和求解,并利用河道中的主要测试点数据进行编程,同时结合Web技术,提出了水污染事故应急分析中的一维水体污染扩散模拟实现方案。     

两步硼扩散代替硼铝扩散的探讨

本文介绍两步硼扩散工艺,它对改善台面功率晶体管的性能极有帮助.     

Diffusion and activation of phosphorus in germanium

In this work we investigate the diffusion and the activation behavior of implanted phosphorus in Ge. We used both conventional thermal processing as well as laser annealing by pulsed ns Nd–YAG laser. Chemical profiles were obtained by secondary-ion-mass spectrometry (SIMS) and sheet resistance was estimated by Van der Pauw method. These measurements demonstrated a box-shaped dopant profile for both conventional and laser annealed samples which are in agreement with other research reports indicating enhanced dopant diffusivity. From these experiments and critical comparison with other studies we conclude about the value of the intrinsic diffusion coefficient and we discuss the validity of the doubly charged vacancy model in simulating our experiments. To more accurately account for these parameters we have also implemented a pileup and a segregation model to simulate the dopant loss due to outdiffusion of phosphorus during the annealing process. In order to understand the influence of defects on transient dopant diffusion as well as on outdiffusion we have also annealed P implanted Ge prior to conventional annealing with laser above melting threshold to eliminate ion implantation defects as these are monitored by transmission electron microscopy.     

注入水平对测试少子扩散长度影响的计算机模拟

通过计算机数值求解半导体的基本方程，模拟了表面光伏（ＳＰＶ）法测量Ｎ型硅少子扩散长度时注入水平对测量值的影响。结果表明，当注入水平较高时，少子扩散长度的测量值变长。模拟结果与已公开发表的实验结果一致。     

扩散炉反应管压力自平衡系统的设计

对晶体硅太阳能电池片生产用扩散炉反应管压力平衡系统的要求及原理进行了阐述,由于反应管内气流变化对扩散效果影响很大,本系统根据实际使用经验,对工艺管内压力进行检测,在外围尾气排放不稳定的条件下,对反应管内气体排放进行调节,从而控制管内压力,使管内流速均匀,达到好的扩散效果。     

基于谱估计法的仿真系统模型检验

本文以谱估计法为基础,结合假设检验理论,导出了判别仿真模型是否有效的统计表达式,并进行了实例分析.这种验模方法可望用于工程实践.     

集成电路的可靠性模型与模拟

随着集成电路（ＩＣ）尺寸的缩小，集成度的提高，必须在设计阶段对其可靠性进行预测。文中在阐述了与ＩＣ可靠性密切相关的热载流子效应、时间决定的介质击穿效应、互连线电迁移效应、双极晶体管退化效应及其模型后，给出了ＩＣ可靠性模拟的一般概念、方法和部分模拟结果。     

基于Verilog-A的模拟电路行为模型及仿真

分析了模拟硬件描述语言Verilog—A的特点及模型结构，根据仿真速度和仿真精度的折衷考虑，设计实现了模拟开关、带隙基准电压源及运放的Verilog—A行为模型。根据数模转换器(13AC)的特性，基于Verilog—A设计了DAC参数测试模型，也建立8位DAC的行为模型。所有行为模型都在Cadence Spectre仿真器中实现了仿真验证。     

高阻晶体硅电池扩散炉温度控制的研究

介绍了一种用于太阳能电池高阻扩散工艺的扩散炉温度控制系统,该系统结构简单,控制效果良好,能满足60Ω以上高阻的生产要求。     

用C—V法测试Cd在InSb中扩散层的杂质浓度及其分布

在光伏型红外探测器的生产中,扩散层的杂质浓度及其分布是十分重要的。及时了解杂质浓度及其分布,将有助于获得最佳性能的器件。本文研究了 C-V 法测试 Cd 在 InSb 中扩散层的杂质浓度及其分布,为浅结杂质分布的确定提供了一个新的方法。     

消光起伏光谱法高浓度效应的模拟计算

消光起伏光谱法(TFS)是最近发展起来的颗粒测量技术,它可以同时测量颗粒粒径分布和浓度,并可用来进行在线、实时测量。在频率域内对透过率起伏信号进行频谱分析,信号分析系统采用品质因数为0.707的二阶低通滤波器。通过模拟计算得到有关单层与多层颗粒系统的归一化差值函数经验表达式,由此分析颗粒系统的高浓度效应(包括颗粒交叠效应和层结构)对消光起伏光谱的影响。结果表明,高浓度效应与颗粒系统的浓度、层数及光束-颗粒直径比Λ都有关系,它对消光起伏光谱特征函数的影响主要体现在频谱移动和阶高变化两个方面:一般来讲,消光起伏光谱的频率响应主要受颗粒交叠响应的影响,表现为向低频区移动;而消光起伏光谱特征函数的阶高则同时受层结构和颗粒交叠效应影响。     

超声楔键合Al/Ni系统高温存储过程界面扩散行为(英文)

应用电子扫描电镜(SEM)及X射线能谱(EDX)分析了直径为25μm的Al+1％Si引线与 Au／Ni／Cu焊盘键合后以及老化过程中界面间的冶金行为,结果表明:接头形成于键合点塑性流动 最大的周边区域;超声引线键合的连接本质是压力使引线发生塑性流动导致Al元素与Ni元素之 间的扩散,而超声一方面使金属引线软化增强了塑性流动的程度,另一方面超声使引线内部产生大 量的缺陷,成为扩散的通道,大大加速了扩散的进行;短路扩散是键合点形成的主要机制。在170℃ 时,键合点空气中高温存储后X射线能谱线扫描分析结果表明:老化10 d时,有明显的Ni向Al引 线内扩散现象;老化30 d时,引线内部出现孔洞以及裂纹,界面出现云状组织,成份分析为15．55％ Ni和78．82％Al;老化40 d时,引线内部出现大量的孔洞并存在方块岛状的Al-Ni组织,其尺寸和 形状显示与Kirkendall孔洞不同。