一种用于高速14位A/D转换器的采样/保持电路

介绍了一种采用0.35 μm CMOS工艺的开关电容结构采样/保持电路.电路采用差分单位增益结构,通过时序控制,降低了沟道注入电荷的影响;采用折叠共源共栅增益增强结构放大器,获得了要求的增益和带宽.经过电路模拟仿真,采样/保持电路在80 MSPS、输入信号(Vpp)为2 V、电源电压3 V时,最大谐波失真为-90 dB.该电路应用于一款80 MSPS 14位流水线结构A/D转换器.测试结果显示:A/D转换器的DNL为0.8/-0.9 LSB,INL为3.1/-3.7 LSB,SNR为70.2 dB,SFDR为89.3 dB.     

一种基于CMOS工艺的高速采样保持电路的设计

设计了一种基于CMOS工艺的高速采样保持电路。该电路采用了开环双路双差分结构。详细分析了引起电路非线性的原因,并采用了新的结构来提高电路的线性度。仿真结果表明,在电源电压为1.9V,输入信号频率为393.75MHz,采样率为1.6GS/s,负载为0.5pF时,该电路的无杂散动态范围(SFDR)为80.5dB,总谐波失真(THD)为-78.6dB,有效位为12.7位。该电路具有高采样率、高SFDR和较强驱动能力等优点。     

一种全差分CMOS采样/保持电路

文章对影响采样/保持电路精度的电荷注入效应和时钟馈通效应进行了分析,提出了一种全差分CMOS采样/保持电路的设计方案,有效地消除了电荷注入效应误差和时钟馈通误差,极大地减小了其非线性误差,并保证了较高的精度。设计的电路采用TSMC 0.35μm CMOS工艺提供的PDK,在Cadence SpectreS环境下进行仿真验证。测试结果表明,电路信噪比达-81 dB,积分非线性为±0.25 LSB。该电路已运用到一种高速高精度A/D转换器中,性能良好。     

一种CMOS高速采样/保持放大器

文章分析了采样／保持电路的基本原理，设计了一种CMOS高速采样／保持放大器，采样频率可达到50MHz，并用TSMC的0．35μm标准CMOS工艺库模拟了整体电路和分块电路的性能。     

用于CMOS图像传感器内置流水线ADC的采样/保持电路

设计了用于CMOS图像传感器内置流水线ADC的采样/保持电路,该电路具有10位采样精度和50 MHz采样速率,采用开关电容电荷重分布式结构,加入图像传感器的黑光校准功能。放大器采用全差分套筒式共源共栅增益增强型结构,保证了所需的增益和带宽。电路采用0.18μmCMOS工艺实现。HSPICE仿真结果表明,电路可在5 ns内达到0.05%的精度;对于24.0218 MHz、±0.5 V摆幅的正弦输入信号,SNDR和SFDR分别达到62.47 dB和63.73 dB,满足系统要求。     

CMOS数字电路的速度功耗优化设计

在既定工艺条件下,改善电路性能可以通过改进要用不同的时钟技术,以及调整电路的器件尺寸来实现;改进电路,可以提高电路速度,减小或消除时钟偏差问题,选择适当的时钟技术,能够满足功耗、速度或可靠性等方面的不同要求;在优化程序的帮助下,调整器件尺寸能大大减小电路面积并改善电路性能。文中对以上几个方面进行理论分析和计算机模拟,得到有有关高速ＣＭＯＳ电路的选择原则和设计方法。     

一种100 MHz采样频率CMOS采样/保持电路

设计了一种高速采样保持电路。该电路采用套筒级联增益自举运算放大器,可在达到高增益高带宽的同时最大程度地减小功耗;优化了采样开关,获得了良好的线性度,减少了输出误差;电路的采样频率达到100 MHz。采用Charter半导体公司的0.35μm标准CMOS工艺库,对整体电路和分块电路进行了性能分析和仿真。     

一种高性能CMOS采样/保持电路

提出了一种高性能CMOS采样/保持电路,它采用全差分电容翻转型的主体结构有效减小了噪声和功耗。在电路设计中提出了新型栅源电压恒定的自举开关来极大减小非线性失真,并同时有效抑止输入信号的直流偏移。该采样/保持电路采用0.18μm1P-6M CMOS双阱工艺来实现,在1.8V电源电压、32MHz采样速率下,输入信号直到奈奎斯特频率时仍能达到86.88dB的无杂散动态范围(SFDR),电路的信号噪声失真比(SNDR)为73.50dB。最后进行了电路的版图编辑,并对样片进行了初步测试,测试波形表明,电路实现了采样保持的功能。     

用于10位100 MS/s流水线A/D转换器的采样保持电路

设计了一个用于10位100 MHz采样频率的流水线A/D转换器的采样保持电路。选取了电容翻转结构;设计了全差分套筒式增益自举放大器,可以在不到5 ns内稳定在最终值的0.01%内;改进了栅压自举开关,减少了与输入信号相关的非线性失真,提高了线性度。采用TSMC 0.25μm CMOS工艺,2.5 V电源电压,对电路进行了仿真和性能验证,并给出仿真结果。所设计的采样保持电路满足100 MHz采样频率10位A/D转换器的性能要求。     

High-Speed CMOS Sample-and-Hold Amplifier

A newly designed sample-and-hold(S/H) integrated circuit based on the 1.5 micron N-well CMOS technology for 8-bit high-speed analog to digital converter is described. It can realize the 40-MHz sampling rate and 8-bit resolution. The good performance of S/H circuit benefits from the use of a newly designed regulated cascode operator amplifier, which has a DC gain of 140-dB, unity-gain bandwidth of 407-MHz, phase margin of 53 degree and power consumption of 90mW. It is superior to the operator amplifier of 60-dB, 107-MHz, 13 degree, and 33mW respectively, which is used in the similar S/H circuit based on the 0. 8 micron technology and designed by Michio Yotsuyanagi.     

High-Speed CMOS Sample-and-Hold Amplifier

The sample-and-hold (S/ H) circuit is a key module for many applications[1 ] totransform a continuous time signal into discrete one. In analog to digital (A/ D)converters,the front-end of the S/ H amplifier must be of both high speed...     

一种10位50 MSPS CMOS流水线A/D转换器

介绍了一种CMOS流水线结构高速高精度A／D转换器，该器件具有50MHz工作频率和10位分辨率。设计采用双采样技术，提高了有效采样率；由于运用了冗余数字校正技术，可以采用低功耗的动态比较器。对转换器的单元结构进行了优化，并对主要电路进行了分析。     

面向高速应用的10位2GHz数模转换器

提出了一个刷新率达2GHz的10位电流驱动型数模转换器.在综合了精度与芯片面积等因素之后,该数模转换器使用6 4结构.采用电流型逻辑以提高转换器的速度,并采用Q2 random walk方法设计了一个双中心对称的电流矩阵,确保数模转换器的线性度.该数模转换器核心版图面积为2.2mm×2.2mm,在3.3V单电压供电的情况下,该芯片功耗为790mW.     

面向高速应用的10位2GHz数模转换器

提出了一个刷新率达2GHz的10位电流驱动型数模转换器.在综合了精度与芯片面积等因素之后,该数模转换器使用6+4结构.采用电流型逻辑以提高转换器的速度,并采用Q2 random walk方法设计了一个双中心对称的电流矩阵,确保数模转换器的线性度.该数模转换器核心版图面积为2.2mm×2.2mm,在3.3V单电压供电的情况下,该芯片功耗为790mW.     

一种用于高速高精度A/D转换器的自举采样电路

介绍了一种新型的CMOS自举采样电路。该电路适用于12位100 MHz采样频率的A/D转换器。采用P型栅压自举开关补偿技术,可以有效地克服采样管导通电阻变化引入的非线性失真,提高采样精度。仿真结果表明,采样时钟频率为100 MHz时,输入10 MHz信号,可得信噪失真比(SNDR)为102 dB,无杂散动态范围(SFDR)为103 dB。信号频率达到采样频率时,仍有超过85 dB的SNDR和87 dB的SFDR,满足高速高精度流水线A/D转换器对采样开关线性度和输入带宽的要求。电路采用SMIC 0.18μm CMOS数模混合工艺库实现,电源电压为1.8 V。     

A High Performance Track and Hold Circuit for High-Resolution High-Speed ADC

Design of a high performance track and hold (T/H) circuit for high-resolution high-speed analog-to-digital converter (ADC) is presented,which has been implemented in 0.18 μm CMOS process.An improved bootstrapped and bulk-switching technique is introduced to greatly minimize the nonlinearity of sampling network over a wide bandwidth,and the addition of a modified pre-charge circuit helps reducing the total power consumption.The experimental results show that the proposed T/H circuit achieves over 77 dB SFDR (spurious-free dynamic range) and 70 dB THD (total harmonic distortion) at 100 MHz sampling rate and maintains the performance with input frequency up to 305 MHz while consuming 47 mW power.     

12位100 MSPS CMOS双采样/保持电路

提出了一种基于时间交织原理的双采样/保持电路;分析了其相比于传统单采样技术实现高速度、高精度,同时降低功耗的优点。设计的栅压自举开关有效提高了采样的线性度。另外,为满足双采样技术的特殊应用,设计了带双边型开关电容共模反馈的全差分运放。采用SMIC0.18μmCMOS工艺仿真设计的双采样/保持电路可实现12位采样精度、100 MSPS采样速率、92.34 dB线性度和29 mW功耗的高性能。     

High-Speed,Robust CMOS Dynamic Circuit Design

提出了一种利用窄脉冲发生器驱动输出级，以提高电路抗噪声能力，同时保持动态电路的高速特性的多输入动态逻辑电路. 提出了这种电路的分析模型，用于说明电路的抗噪声特性和管子的参数设置. 在0.18μm CMOS工艺，1.8V的Vdd电压和55℃的环境温度下，模拟结果表明：与现有的两种技术相比，在相同的最坏延时情况下，新结构具有更好的抗噪声能力，分别提升了12%和8%; 而在具有相同的抗噪声能力的情况下，新结构具有更快的速度，分别提高了1.6倍和1.4倍.     

高速抗噪声CMOS动态电路设计

提出了一种利用窄脉冲发生器驱动输出级,以提高电路抗噪声能力,同时保持动态电路的高速特性的多输入动态逻辑电路.提出了这种电路的分析模型,用于说明电路的抗噪声特性和管子的参数设置.在0.18μm CMOS工艺,1.8V的Vdd电压和55℃的环境温度下,模拟结果表明:与现有的两种技术相比,在相同的最坏延时情况下,新结构具有更好的抗噪声能力,分别提升了12%和8%;而在具有相同的抗噪声能力的情况下,新结构具有更快的速度,分别提高了1.6倍和1.4倍.     

一种用于数模转换器的电流-电压转换电路

介绍了一种用于数模转换器的电流 电压转换电路。在数模转换器的负载电阻片内集成的情况下 ,利用文中提出的电流 电压转换电路 ,数模转换器实现了要求的宽摆幅电平输出 (全“0”输入时 ,输出低电平 - 3V ;全“1”输入时 ,输出高电平 3 5V)。整个数模转换器电路用 1 2 μm双层金属双层多晶硅n阱CMOS工艺实现。其积分非线性误差为 0 4 5个最低有效位 (LSB) ,微分非线性误差为 0 2LSB ,满摆幅输出的建立时间小于 1μs。该数模转换器使用± 5V电源 ,功耗约为 30mW ,电路芯片面积为 0 4 2mm2 。