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基于SOI材料的阵列波导光栅的制作 总被引:1,自引:0,他引:1
采用ICP刻蚀的方法,在SOI材料上制作出了中心波长为 1. 5509μm、信道间隔为 200GHz的 5×5阵列波导光栅(AWG).测试中心波长与设计值相差 0. 28nm,测试波长间隔与设计值相差在 0. 02nm之内,相邻信道串扰接近10dB,信道插入损耗均匀性为 0. 7dB,测试结果表明该器件能够初步达到分波功能. 相似文献
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小尺寸硅绝缘体光波导损耗测量 总被引:1,自引:1,他引:0
基于法布里-珀罗(F-P)腔理论建立了一种简单有效的硅绝缘体(SOI)光波导损耗测量方法.该方法采用端面耦合,通过测试波导反射功率谱并利用傅里叶频谱信息,完成波导损耗的测量.推导中指出了无法直接利用反射谱F-P峰峰谷值求解损耗的限制因素.应用该方法实现了对刻蚀深度为750 nm和宽度为1200 nm的SOI脊形波导损耗... 相似文献
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设计并制作了一种新型含有组合光栅结构的分布式布拉格反射(CDBR)半导体激光器。通过引入组合光栅结构,对分布式布拉格反射(DBR)激光器的高阶侧向模式进行调控,提升了高阶侧向模式的损耗,最终优化了远场光斑图案。实验制得的器件腔长为2 mm,脊波导宽度为40μm,高阶光栅周期为7μm,占空比为0.6。当注入电流为1.0 A时,组合光栅起到明显作用,远场光斑图案从DBR-激光二极管(LD)的多瓣优化到CDBR-LD的单瓣。CDBR-LD在电流为1.25 A时的饱和输出功率约为433 mW,斜率效率为0.337 W·A-1,注入电流为0.95 A时的光谱半峰全宽(FWHM)约为0.61 nm。 相似文献
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本文介绍了一种利用液晶显示(LCD)实时掩模制作任意形状微结构的新技术,并又阐述了该技术的原理和设计方法。基于部分相干成像理论,仿真了制造微轴锥体和锯齿形光栅的过程。在实验中使用彩色LCD作为实时掩模,成功地用LCD实时掩模技术制作出微轴锥体和锯齿形光栅。实验中采用胰蛋白酶刻蚀技术将三维外形结构刻蚀在全彩色的感光银盐明胶片上,所得到的锯齿形光栅的节距为46.26μm,刻蚀深度为0.902μm;轴锥体的直径为l18.7μm,蚀刻深度为1.332μm。 相似文献