高效率非掺杂型白色有机电致发光器件

制备了基于rubrene超薄层和NPBX做激子阻挡层的高效率的非掺杂型白色有机电致发光器件.器件结构为:ITO/2T-NATA(20 nm)/NPBX(25-d nm)/rubrene(0.2 nm)/NPBX(d nm)/DPVBi(30 nm)/Alq(30 nm)/LiF(0.5 nm)/Al.器件的电致发光光谱依靠激子阻挡层NPBX厚度d的变化而变化,当NPBX厚度d为5 nm时,器件色坐标从7 V变化到16 V时均在白光的中心区域,有最大电流效率7.91 cd/A(V=7 V)和最大亮度13 540 cd/m2 (V=16 V).     

基于DSA-ph的高效蓝色有机电致发光器件

以NPBX掺杂3%的DSA-ph作为发光层,BCP或TAZ作为空穴阻挡层,Alq3或Bphen作为电子传输层制作了一组蓝色有机电致发光器件。通过调整不同的空穴阻挡层与电子传输层之间的组合,得到了一组高效的蓝光OLED。测试结果表明,当空穴阻挡层为TAZ,电子传输层为Bphen时,器件的性能最优。当驱动电压为5V时,器件最大电流效率为4.59cd/A。在12V时亮度最大,为6 087cd/m2。     

DPVBi高效、高亮度非掺杂蓝色有机电致发光器件

以典型蓝色发光材料—联苯乙烯衍生物(4,4′-bis(2,2′-diphenylvinyl)-1,1′-biphenyl,DPVBi)为发光层,采用MoO3为阳极缓冲层制备了结构简单的非掺杂型蓝色有机电致发光器件,得到了低压启动,效率、亮度和色度俱佳的蓝色发光器件。器件启亮电压为3.4V,最高外量子效率为3.2%,最高亮度达到15 840cd/m2,器件色坐标为(0.15,0.15)。高性能器件的获得归因于MoO3缓冲层的插入在阳极/有机层间形成了良好的欧姆接触。     

基于ADN:TBPe发光层的蓝光OLED器件

全色显示是有机电致发光显示(OLED)器件发展的目标,而高性能蓝色发光器件,也是目前有机电致发光显示研究的热点。以NPB和Alq3分别作为空穴传输层和电子传输层,制作了结构为ITO/CuPc(150nm)/NPB(500nm)/ADN(300nm)∶TBPe(30nm)/Alq3(350nm)/RbF(20nm)/Al(1000nm)的蓝光OLED器件,发光亮度达8600cd/m2,发光效率达2.669cd/A,色坐标(X=0.1315,Y=0.1809)。研究发现ADN∶TBPe发光层体系的引入大大改善了蓝光器件的发光效率和性能。     

蓝色发光有机电致发光器件

具有多层薄膜结构,发射鲜蓝色光的有机电致发光(EL)器件已经制成并为选择蓝色发光材料制定了二个经验性指南。要获到具有高 EL 效率的 EL 器件,关键是发射层要有优异的成膜能力以及发射极与载流子输运材料的适当组合,避免形成激态复合物。在我们的有机电致发光器件中,有一个器件在电流密度为100mA/cm~2,直流驱动电压为10V 时,蓝光发射亮度达700cd/m~2。     

新型双极性TPABMI的高效率非掺杂蓝色OLED

通过研究双极性蓝色荧光染料对(4-三苯胺)- 联二苯基-(2-苯基)苯并咪唑(TPABM I)的电致发光(EL)特性,发现TPABMI不仅具有较强的发光特性,同时还具有较强的空 穴/电子传输特性。利用此特性,制备了蓝光器件ITO/NPBX(40nm)/T PABMI(20nm)/ TPBi(20nm)/LiF(0.5nm)/Al(93nm);进而在空穴传输层NPB和发光 层TPABMI之间插入TCTA薄层,并对ITO表面用MoO₃进行修饰,制备了结构为ITO/MoO₃(10nm)/NPB(80nm)/TCTA(5nm)/TPABMI(20nm)/TPBi(40nm)/Li F(1nm)/Al(100nm) 的蓝色OLED。实验结果表明,器件在16V电压下实现了蓝光发射,发 光波长为464nm,色坐标为 (0.1509,0.143,最大发光亮度为18970cd·m－2,获得最大 发光效率为5.48cd·A－1;器件效率由启亮后6V时的3.53c d·A－1到14V时的3.66cd·A－1比较稳定,从15V时的 3.89cd·A－1到16 V时的5.48cd·A－1有一个很大的提升;器件的色度从启亮到获得最大亮度的过程中比 较稳定。     

基于DOPPP的高效白光OLED器件

采用真空热蒸镀的方法,以荧光染料1-(2,5-d imethoxy-4-(1-pyrenyl)-phenyl)pyrene (DOPPP)为蓝发光 层,5,6,11,2-Tetraphenylnaphthacene (Rubrene)为黄发光层,制备了结构为ITO/m-M TDATA(10nm)/NPB(30nm)/ Rubrene (0.2nm)/ DOPPP (x nm)/TAZ(10nm)/Alq₃(30nm)/LiF(0.5nm)/Al的双发光层的高效白色有机电 致发光器件(OLED)。通过调整DOPPP层的厚度,研究器件的发光性能。当DOPPP层厚小 于25nm时,器件以 黄光发射为主;当DOPPP层厚为25nm时器件的性能最佳,在电流密度为209.18mA/cm²时,获得最 大亮度为9232cd/m²,在电流密度为103.712mA/cm²时获得最大电流效率4.68cd/A, 并随着驱动电压 的升高,器件的色坐标从(0.366,0.365)变化到(0.384,0.399),都在白光的范围之内;当DOPPP层厚度超过25nm时,器件的效率和亮度 都开始下降。     

新型有机电致蓝色磷光器件的研究

研究了基于FIrpic的超薄非掺杂有机电致蓝色磷光器件的光电特性.改变超薄非掺杂FIrpic发光层以及其隔离层的厚度,可以调控FIrpic分子的聚集及激子相互作用强度对器件性能的影响.研究结果表明,具有TCTA 5 nm/FIrpic 1 nm/TCTA 5 nm/FIrpic 1 nm/TPBI 5 nm/FIrpic 1 nm多发光层结构的器件性能较优,最大发光效率为9.9 cd/A,超薄非掺杂发光层结构避免了掺杂方法中共沉积磷光材料浓度的精确控制,有利于简化器件制备工艺.     

发光层混合掺杂的白光OLED器件

制备了白光OLED器件,器件结构为:ITO/2T-NATA(15nm)/NPB(25nm)/ADN:TBPe[(20-x)]nm、ADN:TBPe:DCJTB(xnm)/Alq3(20nm)/LiF(1nm)/Al(100nm)。研究了ADN:TBPE:DCJTB层厚度从0～8nm变化时对器件发光的影响。实验结果表明,当ADN:TBPE:DCJTB层厚度为0时,器件发蓝光;随着ADN:TBPE:DCJTB层厚度的增加,器件发光的色坐标从蓝光区进入白光区,在ADN:TBPE:DCJTB层厚度为6～8nm时得到色坐标较好的白光器件。     

电子传输层中掺杂Ir(ppy)3改善白光OLED的效率

采用真空热蒸镀技术,制备了结构为ITO/NPBX(40nm)/rubrene(0.2 nm)/NPBX(5nm)/DPVBi(30nm)/TPBi:x%Ir(ppy)3(30nm)/LiF/Al的白光器件。利用Ir(ppy)3掺杂到电子传输层TPBi中,在掺杂层中提高了电子的迁移率,调整了空穴和电子的平衡,从而改善了白色有机电致发光器件的效率。当Ir(ppy)3的掺杂浓度为6%时,器件的电流效率最高,在驱动电压9 V时最大电流效率为10.66 cd/A,此时色坐标为(0.36,0.38);当电子传输层TPBi中不掺杂Ir(ppy)3时,白光器件的效率最低,在驱动电压10V时最大电流效率为1.69 cd/A,此时色坐标为(0.31,0.30)。掺杂浓度为6%的白光器件的电流效率是不掺杂白光器件的电流效率的6.3倍。     

基于NPB的未掺杂高效蓝色有机电致发光器件

采用真空镀膜的方法制备了基于NPB的高效蓝色有机电致发光器件(OLED),其结构为:ITO/NPB/BCP /Alq3/Mg∶Ag和ITO/TPD/NPB/BCP / Alq3/Mg∶Ag,由于BCP对空穴的阻挡作用,器件的发光谱峰均位于441nm处,为NPB的EL特征光谱,实现了蓝色发光.在15V时,器件的最高亮度为2880和3000cd/m2,分别在2.5V和1.5V器件启亮之后,最大流明效率为4.00和5.63lm/W,CIE色坐标为(0.14, 0.08)和(0.15,0.11).     

基于溶液法制备的高效率磷光有机发光二极管

溶液法制备的有机发光二极管(OLED)虽然有着制作成本低、材料利用率高以及容易大规模生产等优势,但是在器件效率上离传统高温真空热蒸镀法制作的OLED还有很大差距.文章基于一种新型的磷光发光材料Ir(tfmppy)2 (tpip),在利用单一主体材料溶液法制备OLED时发现器件效率不高,同时效率滚降很大.为了提高器件效率,同时减小效率滚降,以多种材料混合作为主体材料.通过改变混合主体材料间的比例关系,以一种简单的器件结构,采用溶液法制作出了高效率的OLED器件.其中,以质量比为7∶21∶12的PVK∶mCP∶TCTA为混合主体材料,掺杂质量比为10％的Ir(tfmppy)2 (tpip)作为发光层的器件,取得了高达55 cd/A的电流效率.     

周期性多发光层结构单色有机电致发光器件的研究

以具有高离化能的n型小分子材料PBD、BCP作为激子限制层,用交替沉积的方式制备了分别以Alq3/PBD、NPB/BCP为周期结构多发光层的绿光、蓝光器件.周期性多发光层结构的引入大大提高了器件性能,其中,具有双周期3发光层的绿光器件最大亮度和效率分别是常规器件的10.5倍和4.4倍,具有双周期双发光层的蓝光器件最大亮度和效率分别是常规器件的2.75和1.45倍.器件性能提高的主要原因是周期性结构的引入和多发光区域的划分增加了激子产生几率.同时,周期数对器件性能有重要影响.绿光、蓝光器件电致发光(EL)谱谱峰值基本稳定,半高谱宽出现了窄化.     

新型有机电致蓝色磷光器件的研究

设计了一种Ge/Si波导集成型雪崩光电二极管(APD)。器件采用将Si波导层置于Ge吸收层之下的结构,光经波导层进入吸收层只需一次耦合,降低了光的损耗,提高了光的吸收率和光电流。采用silvaco软件对器件的结构和性能进行仿真,结果表明:器件的雪崩击穿电压为-28V,最大内量子效率达到89%,在1.15~1.60μm范围内具有较高响应度,峰值波长位于1.31μm,单位响应度最高达0.74A/W,3dB带宽为10GHz。 更多还原     

具有缓变结的蓝色有机电致发光器件

针对通常的突变异质结(HJ)结构的蓝色有机发光器件(OLED)稳定性差这一难题,制备了一种具有缓变结(GJ)的蓝色OLED,在空穴传输层(HTL)和发光层(EML)间构成GJ.与常规的HJ OLED相比,具有GJ器件的稳定性明显提高.在初始亮度为100 cd/m2时半寿命达到6998 h,是一般HJ器件的6倍.这主要是因为削弱了突变HJ产生的局部高电场,减少了产生的焦耳热,从而提高了器件的稳定性.但是,GJ器件效率相比HJ没有提高.因为GJ增大了空穴注入,空穴是多数载流子,这样不利于载流子的平衡.为了补偿效率损失,在TBADN/Alq界面上插入Gaq薄膜.由于Gaq的LUMO能级在Alq和TBADN的LUMO能级间,形成了从Alq经Gaq到TBADN的势垒阶梯,提高了电子注入,进而提高了器件效率.这种GJ Gaq器件的效率比一般GJ器件提高20%,寿命是HJ器件的7倍.     

基于超薄发光层的有机发光二极管器件的研究

文章采用具有电子捕捉能力的橙红色磷光材料iridium(Ⅲ)bis(2-methyldibenzo-[f,h] quinoxaline) (acetylacetonate) (Ir(MDQ)2 (acac))作为超薄发光层应用于有机发光二极管中.通过对其厚度的优化,发现当发光层厚度为0.1 nm时,器件性能最好,最大电流效率达到了28.1 cd/A,明显优于采用掺杂发光层的器件.分析了发光材料的载流子捕捉作用对器件载流子平衡及器件电流效率的影响,发现超薄发光层结构几乎不改变器件的电学特性,不会进一步破坏器件载流子平衡,正因如此,大多数磷光材料都可以采用超薄发光层获得很高的效率.     

有机薄膜电致发光器件的研究

系统介绍了有机电致发光器件(OLED)的结构和发光机理,从有机半导体的能带结构和OLED的能带结构,分析了OLED发光过程,指出了如何提高器件的发光效率.最后概述了器件的最新进展和应用前景,并展望了未来OLED发展的方向.