芯片制造厂气体使用的风险管理研究

半导体芯片制造业为近年来我国政府重点辅导的高科技产业，其未来在国家的经济成长上将产生显着的贡献，但由于芯片制造厂房使用着大量特殊危险及有害的气体，无形中也增加了芯片制造厂房的营运风险。芯片制造产业在世界先进国家与地区已经运行数十年，无论是从正向的气体使用风险管理或是负向意外事故损失中获取的教训，都已经为芯片制造业提供了充分足的气体使用管理知识与技巧。文章将从中国的法规系统出发，参考国外相关的法规标准及相同产业的管理经验，来探讨芯片制造厂房气体生命周期过程的风险管理问题。结论中将对未来新建厂房的气体风险管理提出建议。     

一种LED环形照明的设计方法

简要介绍了环形照明的原理。阐述了环形照明光源颜色及角度选择的方法。并设计了用于半导体芯片检测的环形光源,进行了理论计算,给出了设计模型。     

多芯片组件的检测方法

多芯片组件的测试分三类：基板、ＩＣ裸芯片和组件测试。各类测试都有若干种不同的测试方法，如多层基板的电学测试法，光学测试法；ＩＣ裸芯片的内建自测试法，界面扫描法；组件的全功能测试法，有限功能测试法等。本文对这些方法的优点与不足处，测试设备使用时应注意的事项，适用对象等作了详尽的介绍，还对各种类似方法的功能作了比较。     

发光二极管显示屏标准化研究

随着行业规模的扩大,发光二极管的标准化和规范化需求越来越迫切。研究了国内发光二极管显示屏的标准制定和标准体系框架,分析了SJ/T 11281—2017《发光二极管(LED)显示屏测试方法》中发光二极管显示屏的机械、光学及电学性能参数和对应的测试方法,介绍了近几年测试方法相关研究进展,提出行业标准的制定和完善对于整个LED显示屏行业发展的重要意义。     

多芯片组件的检测和故障诊断

本文主要介绍ＭＣ性能测试的三个在板：元器件和成品组件的测试与故障诊断，并对几种测试技术进行了比较和分析。     

面向深度神经网络的电力芯片功能检测方法

电力芯片功能检测对于保证电力正常运行有重要意义,目前的方法检测准确率相对较低,导致检测时间过长。为了解决上述问题,面向深度神经网络提出了一种新的电力芯片功能检测方法,计算电力芯片功能指标参数,确定电力芯片功能检测的真实数据,将独立神经元进行离散运算,并对其粒子量进行计算。根据得到的数据信息分析检测的隐藏神经元,计算回路的品质因数或谐振系数,检测传输功能,根据得到的实际处理量检测电力芯片的处理功能,通过建立待测量曲线和日负荷数据曲线,确定异常数据筛选功能。实验结果表明,所设计方法传输功能和处理功能检测准确率在98%以上,异常数据筛选功能检测准确率在99%以上,当检测数据量大于300 GB时,检测时间低于0.5 s,所研究方法具有较好的性能。     

红外发光二极管辐射强度的测量

本文描述了红外发光二极管(LED)的概况,介绍了适用的热电型和光电型两种光探测器,指出了各自的优缺点及基本测量公式,重点阐述了红外LED辐射强度测量的方法及公式。最后针对现行的测量标准提出了三点建议。特别需要指出的是,用热电型光探测器测量LED的辐射强度是LED业界首次提出的方法。     

TSC1021：上桥臂电流检测芯片

意法半导体推出上桥臂电流检测芯片TSC1021,可简化电子控制器内高精度测量电路的设计工作。通过利用独有的高压制程使成本降低。     

IR2XXX三相桥功率驱动芯片的原理及应用

ＩＲ２１３３／ＩＲ２１３５／ＩＲ２２３３／ＩＲ２２３５系列驱动芯片内部集成了互相独立的３组半桥驱动电路、具有多种保护电路,可直接驱动功率半导体ＭＯＳＦＥＴ或ＩＧＢＴ。本文简要介绍了其电气性能、工作原理和典型应用电路。     

高亮度GaN基蓝光与白光LED的研究和进展

GaN基蓝光LED高亮度化对传统照明光源带来了很大冲击.简述了GaN材料和GaN基蓝光LED器件结构的发展,阐述了为了改善LED性能的一些新措施、LED在照明光源上的应用优势,给出了白光LED的常用制备方法以及最新的研究成果.最后,提出了需要着重解决的问题.     

LED芯片损坏和缺陷识别

对LED芯片生产过程中出现的缺陷和损坏现象进行了分析和归类.提取芯片图像暗点数、边缘点数、块数、面积和亮点数5种与芯片位置无关的图像特征,通过建立正态分布模型,并基于最小风险贝叶斯决策构建分类器对各种缺陷和损坏芯片进行识别.实验表明该方法具有较高的精度和效率,能够满足LED芯片外观检测的需要.

Abstract：

The defective and damaged LED chips appearing in the production process were analyzed and classified. The five kinds of image features: dark pixel number, edge pixel number, blocks number, area and bright pixel number which are irrelevant to the chip position were extracted from the chip image. The minimum risk Bayesian classifier which can recognize various kinds of defective and damaged chips was established based on normal distribution model. Experimental results show that this method has high accuracy and efficiency and can meet the requirements of the appearance detection of LED chips.     

High-Voltage AlInGaN LED Chips

Semiconductors - A high-voltage light-emitting diode (LED) flip chip based on an AlInGaN heterostructure is developed and fabricated. The LED flip chip consists of 16 elements connected in series,...     

众厂商谈LED照明芯片的技术趋势

多家LED照明芯片厂商从不同角度介绍了LED照明芯片的发展趋势.     

LED芯片DBR反射镜优化设计

讨论了反射镜反射率对LED光提取效率的影响,并基于芯片与封装协同设计的原理,针对蓝光和黄光波段,通过TFcalc膜系仿真软件设计和优化了分布式布拉格反射镜(DBR)膜系。仿真结果表明,单堆栈DBR结构最大反射带宽为134nm,而双堆栈DBR结构最大反射带宽可拓展至216nm。利用参考波长红移的方式,可以缓解DBR反射特性随入射角度增加而出现的反射谱线蓝移现象。金属增强型DBR结构能够减小反射偏振效应,提高反射带宽和平均反射率,并能够减小DBR厚度,从而显著改善芯片的散热性能。     

一种0.18 μm特大规模芯片快速收敛的设计方法

在0．18μm下，时序收敛的关键是互连线延时问题。文章介绍了一种时序快速收敛的RTL到GDSII的设计方法，该方法有效地消除了逻辑综合和物理设计之间的迭代。采用一个450万门超大规模DSP芯片设计验证了该方法。实例设计结果表明，这种新的方法不但有效地解决了互连线时延的问题，而且缩短了芯片的设计周期。     

功率型LED芯片的热超声倒装技术

结合功率型GaN基蓝光LED芯片的电极分布,在硅载体上电镀制作了金凸点,然后通过热超声倒装焊接技术将LED芯片焊接到载体硅片上.结果表明,在合适的热超声参数范围内,焊接后的功率型LED光电特性和出光一致性较好,证明了热超声倒装焊接技术是一种可靠有效的功率型光电子器件互连技术.     

LED合成光谱光源色度参数的快速计算及应用

为满足色彩还原的需要,白光LED照明光源通常用光谱合成的方法获得连续的宽光谱。各频段的光谱分量与光源最终色度参数的关系以及它们比例的确定通常由实验得出。因而目前光源的设计是一个极其复杂的尝试过程,对实验要求高、周期长、投入大。对LED合成光谱白光照明光源的色参数进行了系统的分析,依据LED光源相关标准测量方法,推导出了LED合成光谱白光光源色度参数的快速计算方法,开发了计算机设计分析软件,并通过了设计过程和产品的使用验证。     

GaN发光二极管的老化数学模型及寿命测试方法

GaN发光二极管因其寿命、效率和环保等优点得到了广泛的应用。寿命问题一直是限制GaN发光二极管应用的核心问题。为了研究GaN发光二极管的老化过程,计算了GaN发光二极管物理参数,分析了GaN发光二极管的深能级缺陷和非辐射复合中心增加的老化原理,并且针对该原理的老化过程进行物理原理的分析推导,进而建立了老化数学模型。同时,利用一组实际的GaN发光二极管大应力老化实验的数据进行计算,提出了利用该数学模型的GaN发光二极管寿命的测试方法和数学计算方法,并计算出实验GaN发光二极管的寿命数值。提出的GaN发光二极管老化数学模型对比传统的阿伦纽斯模型具有针对性强、物理意义明显和寿命预测准等优点,具有很好的实际应用价值。     

基于亚像素边缘检测的LED芯片定位算法研究

LED芯片的定位精度直接决定了LED制造装备的生产质量和效率,为了提高LED芯片的定位精度,提出了一种基于亚像素边缘检测的芯片定位算法.该算法首先采用Gamma变换方法增强图像的对比度,并利用Blob算法获取芯片有效区域;接着采用Canny算法进行芯片亚像素边缘轮廓的提取;最后,通过拟合芯片边缘轮廓,获取芯片位置中心,完成芯片位置的精确识别.该算法不需要人工训练模板进行匹配,提高了边缘提取的定位精度,实验表明,该算法能在平均4 ms内完成一颗芯片的识别,且重复精度达到0.1 pixel,满足LED芯片高速高精度定位需求.     

UVC-LED芯片质量评价方法

受新冠疫情影响,可用于杀菌消毒的短波紫外发光二极管(UVC-LED)市场需求急剧增加,但是目前对UVC-LED的参数测量没有相应的国家标准,市场上芯片质量良莠不齐,严重制约了 UVC-LED的应用.从外延生长质量和芯片制作工艺对UVC-LED宏观光电特性的影响出发,选择I-V特性曲线离散性、辐射强度和辐射通量电流饱和效应作为测量参数,提出了一套能够方便、快速地判断出芯片质量优劣的方法,并搭建了相应的测试系统,对不同厂家的UVC-LED进行了测量和性能评价.实验结果表明,该测试方法和系统能够用于快速评价UVC-LED芯片质量,为企业提供了一种高效、简便的UVC-LED芯片质量评价方法.