华虹NEC非外延0．35umBCD工艺实现量产

华虹NEC日前宣布,其非外延0．35umBCD工艺开始量产。华虹NEC在2008年成功研发并量产了BCD350（0．35微米Bipolar CMOS DMOS）工艺。针对市场的不同需求,华虹NEC现又推出了非外延工艺的0．35umBCD工艺,即PMU350工艺。PMU350在BCD350的基础上用deep Nwell替代了外延层,并简化了工艺流程,使该工艺更具竞争力。目前,PMU350工艺已经顺利通过了产品验证开始量产。     

华虹NEC成为全球最大8英寸功率分立器件代工厂

上海华虹NEC电子有限公司（华虹NEC）以其特色工艺平台及其最新研发成果在ICCAD2011上令人瞩目。华虹NEC展出了嵌入式非挥发性存储器、模拟／电源管理芯片、射频和功率器件等特色工艺平台的最新技术成果和解决方案，吸引了众多业界专业人士前来咨询交流。     

一种低功耗高线性度推挽跨导放大器

采用华虹NEC 0.35um BCD工艺,设计并实现了一种可作DC-DC转换器控制芯片内部误差放大器的CMOS跨导放大器,该跨导放大器采用源极电阻跨接式负反馈技术提高跨导的线性度、采用双折叠式差分对结构实现共模输入范围轨至轨(rail-to-rail)、采用低功耗偏置推挽(push-pull)输出结构提高输出驱动负载的能力,整体电路具有结构紧凑、功耗低、线性度高等特点。仿真结果表明:在5.25V电源电压下,驱动1pf负载,直流增益可以达到68.2db,功耗708uw,100kHz下跨导的三次谐波失真HD3达到-56db。     

工艺制造

中芯国际上海12英寸生产线6月装机；茂德获准在大陆投建采用0．18微米工艺晶圆厂；BCD采用先进BiCMOS工艺生产单路低电压运算放大器；华虹NEC获Cypress 0．13微米NVM工艺授权；     

华润上华发布多款新型BCD及0．13微米工艺平台

华润上华近日发布其新近开发完成的BCD工艺平台,同时由其持有19％股权的8英寸生产线也推出多款新型BCD和0．13微米工艺平台,以满足客户在离线电源、LED照明驱动等AC—DC转换电路,高电压、高效能及高集成度等应用市场的需求。     

北京华虹NEC股权转让更名北京NEC原北京华虹NEC集成电路设计有限公司成为日本NEC全资子公司

NEC与在中国北京的半导体设计销售合资公司-北京华虹NEC集成电路设计有限公司(总经理:麻生明、以下简称北京华虹NEC)的中方出资合作伙伴-北京华虹集成电路设计有限责任公司(总经理:赵勇、以下简称北京华虹)将北京华虹持有的北京华虹NEC的股权转让给NEC-事达成了一致意见,并于最近办理完了其转让手续.至此,业内流传已久的NEC在中国的股权变更方案终于水落石出.     

华虹NEC携手Synopsys开发参考设计流程

电子设计自动化(EDA)软件工具厂商Synopsys与上海华虹NEC电子有限公司近日宣布,双方将携手开发应用于华虹NECO．18μm工艺的参考设计流程2．0版本。华虹NEC选择Synopsys作为其首选EDA供应商后,将充分利用Synopsys Professional Ser- vices开发基于Synopsys Galaxy设计平台和Discovery验证平台,以及华虹NEC I/O和标准单元库的完整     

开发特色工艺平台，成就客户产品芯愿——在2009中国半导体市场年会上的演讲

华虹NEC为国内外客户提供涵盖1．0-0．13微米工艺的、专业的、高附加值代工服务,成功开发了嵌入式非挥发性存储器（Embedded Non—volatile Memory,eNVM）、模拟／电源管理芯片、高压、射频以及功率器件等特色工艺平台（见下图）以及逻辑、混合信号等通用工艺平台,代工产品已广泛应用于智能卡（第二代身份证卡、SIM卡、社保卡等）、通讯、计算机、消费类电子以及汽车电子等领域。     

苏州国芯32位RISC内核通过华虹工艺验证

华虹NEC与苏州国芯科技有限公司(C^*Core Technoloy)官布，苏州国芯科技有限公司的32位RISC CPU CS320内核，日前在华虹NEC的0．25微米标准工艺验证通过。     

华虹NEC采用SYNOPSYS的PROTEUS光学近似修正软件

Synopsys公司和上海华虹NEC电子有限公司(以下简称华虹NEC)日前正式宣布．华虹NEC采用了Synopsys的Proteus光学近似修正(OPC)软件。华虹NEC是一家由NEC公司、Jazz Semiconductor和上海华虹集团成立的台资公司，也是中国最领先的8英寸半导体代工厂商之一。华虹NEC选择Proteus软件以增加制造精度，缩短完成掩膜综合的时间，井通过利用Proteus独特的可扩展架构达到更高的成品率。     

BCD工艺概述

介绍了BCD(bipolar CMOS DMOS)的工艺原理、特点和发展前景.对BCD工艺兼容性进行了说明,着重阐述了LDMOS的工艺原理和关键工艺设计考虑.文章结合应用,指出BCD工艺朝着高压、高功率、高密度三个主要方向分化发展,并对BCD工艺的最新进展作了概述.对电源管理和显示驱动这两大市场驱动进行了分析,并对国内企业进入该领域所面临的机会与挑战作了阐述与展望.     

华虹NEC成功举办“2009华虹NEC深圳技术交流暨MPW推广会”

华虹NEC携手深圳集成电路设计产业化基地管理中心于近日在深圳深港产学研基地成功举办了“2009华虹NEC深圳技术交流暨MPW推广会”,向业界同仁介绍华虹NEC的特色工艺及其新进展,并与参会来宾分享了华虹NEC技术发展蓝图及独具特色的MPW业务。     

华虹NEC与Synopsys携手开发参考设计流程2.0

Synopsys与上海华虹NEC电子宣布,双方将携手开发应用于华虹NEC0.18μm工艺的参考设计流程2.0。华虹NEC选择Synopsys作为其首选EDA供应商后,将充分利用SynopsysProfessionalServices开发基于SynopsysGalaxy设计平台和Discovery验证平台,以及华虹NECI/O和标准单元库的完整RTL-to-GDSII参考设计流程。华虹NEC和Synopsys联合开发的参考设计流程2.0助设计人员应对时序闭合的挑战,降低风险并实现复杂的系统级芯片(SoC)的预期成功。该流程采用具有R T L合成、物理实现和签证功能的Galaxy设计平台,以及包括RTL仿真VCS解决方案的…     

苏州国芯32位RISC核通过华虹NEC 0．25微米工艺验证

华虹NEC与苏州国芯科技有限公司宣布，苏州国芯科技有限公司的32位RISC CPU CS320内核，日前在华虹NEC的0．25微米标准工艺验证通过。标志着用户可以直接采用CS320内核设计基于华虹NEC 0．25μm工艺的SoC产品。     

星科金朋（上海）二期项目致力于先进封装生产

上海华虹NEC电子有限公司日前宣布，位于张江高科技园区的华虹NEC二厂已于2007年9月顺利量产。至此，华虹NEC位于上海浦东金桥出口加工区和张江高科技园区的两条8英寸生产线并驾齐驱．为公司的晶圆代工业务提供稳定的产能，为客户提供优质可靠的代工服务。     

苏州国芯32位RISC核通过华虹NEC 0．25μm工艺验证

华虹NEC与苏州国芯科技有限公司（C*Core Technolgy)宣布，苏州国芯片科技有限公司的32位RISC CPU C320内核，日前在华虹NEC的0.25μm标准工艺验证通过。     

Cypress 0．13umeFlash工艺成功移植华虹NEC

华虹NEC与Cypress为0．13um嵌入式闪存工艺的成功转移,双方高层近日举行了小规模庆祝活动,华虹NEC总裁刘文韬、CTO梅绍宁、设计服务副总裁汤天申等和项目开发团队,与Cypress晶圆厂执行副总裁＆中国区总裁Shahin Sharifzadeh等4人会晤并互赠了纪念奖牌。     

华虹NEC推出业界领先的0．13微米嵌入式EEPROM解决方案

上海华虹NEC电子有限公司（以下简称“华虹NEC”）日前宣布,公司基于0．13微米嵌入式闪存（eFIash）工艺平台,成功开发出面向高性能智能卡、信息安全及微处理器等应用的嵌入式EEPROM（电可擦可编程只读存储器）解决方案,充分展现了华虹NEC在嵌入式非挥发性存储器（eNVM）技术上的领先地位和创新优势。     

Sequans通信选用芯原ZSP540处理器

Synopsys与上海华虹NEC电子有限公司日前宣布，双方将携手开发应用于华虹NEC0．18微米工艺的参考设计流程2．0。华虹NEC选择Synopsys作为其首选EDA供应商后，将充分利用Synopsys Professional Services开发基于Synoopsys Galaxy设计平台和Discovery验证平台，以及华虹NECI／O和标准单元库的完整RTL-to-GDSⅡ参考设计流程。     

业界要闻

华虹NEC推出高效nvSOC产品原型平台上海华虹NEC电子有限公司日前宣布成功推出nvSOC产品原型平台,这一平台的推出可以帮助客户高效创建SOC和ASIC原型,大大缩短客户SOC产品开发周期和减少设计风险。