RFMD推出最新氮化镓工艺技术

正高性能射频组件以及复合半导体技术设计和制造领域的全球领导者RFMicro Devices日前宣布,扩展其RFMD业界领先的氮化镓工艺技术,包括功率转换应用中专为高电压功率器件而优化的新技术。RFMD推出的最新氮化镓工艺技术一rGaN-HV~(TM)-可在功率转换应用(1至50KW)中大幅度降低系统成本和能量消耗。RFMD推出的rGaN-HV~(TM)技术可为器件实现高达900伏特的击穿电压,具有高峰值电流功能并可在氮化镓电     

200V增强型氮化镓（eGaN）功率晶体管

EPC2010是第二代eGaN场效应晶体管（FET）系列产品中的新成员,它具有更高的性能,不仅环保、不含铅,而且符合RoHS（有害物质限制）指令。EPC2010功率晶体管是一款200VDS器件,最大RDs（ON）值为25mΩ,栅极施加电压是5V。这种eGaN FET与第一代EPC1010 eGaN器件相比具有明显的性能优势。     

射频和微波功率晶体管的发展与建议

本报告是在调查的基础上综合国内外发展的概况，提出我国发展功率管的建议和设想。     

一种新的氮化镓生长工艺有望制造出更高亮度的LED发光二极管

美国北卡罗来纳州立大学(NCSU)的研究人员最近提出了一种新的的氮化镓生长工艺,据称和现有工艺比较,这一新工艺有望把材料的缺陷减低千分之一,从而使得那些基于氮化镓的LED发光二极管、功率器件等的输出能力增加     

宜普电源转换公司推出高性能氮化镓功率晶体管

正氮化镓(eGaN)功率晶体管继续为电源转换应用设定业界领先的性能基准。由于氮化镓器件具有更低的导通电阻、更低的电容、更大的电流及卓越的热性能,因此使得功率转换器可实现超过98%的效率。宜普电源转换公司宣布推出六个新一代功率晶体管及相关的开发板。这些由30V至200V的产品在很多应用可大大降低导通电阻(RDS(on))并可增强输出电流性能,例如具高功率密度的直流-直流转换器、负载点(POL)转换器、     

C波段4W砷化镓功率场效应晶体管

介绍了Ｃ波段４Ｗ砷化镓功率场效应晶体管的设计考虑、器件结构和制作，讨论了所采用的一些新工艺，给出器件性能。在５．３ＧＨＺ下，器件１ｄＢ压缩点的输出功率≥４Ｗ，增益为６．５～７．５ｄＢ，功率附加效率≥３５％。这种ＦＥＴ的多芯片运用具有优良的功率合成效率。     

X波段300 W GaN功率器件技术

介绍一种基于国产氮化镓(GaN)外延材料的X波段300 W GaN高效率内匹配器件技术。该技术采用大栅宽芯片的大信号有源模型和封装管壳、键合引线、电容等无源模型,开展X波段300 W内匹配功率器件的设计。采用四胞匹配合成电路,使用L-C网络提升器件阻抗,通过λ/4阻抗变换网络进行阻抗变换和功率合成,实现阻抗50 Ω匹配,功率分配器和匹配电容使用高Q值陶瓷基片实现。仿真实验证明,该器件在9.5~10.5 GHz频率内输出功率大于300 W,功率增益大于9 dB,功率附加效率大于38.9%。同时研究了器件输出功率和功率附加效率随工作电压、脉冲宽度、占空比变化情况。     

氮化镓晶体管封装的先进性和热建模分析

近三年来,可替代功率MOSFET器件的基于氮化镓品体管产品系列已非常广阔（参考文献1）。除了优异的传导性能外,这些新一代器件的开关速度比传统硅器件要快十倍。     

防潮射频功率晶体管

SD2931—12MR和SD4933MR这两款防潮射频（RF,radio-frequency）功率晶体管可提高目标应用在高潮湿环境内的耐用性和可靠性。     

晶体管发射极电流集边效应理论的实验研究与射频功率晶体管版图系列化

在晶体管发射极电流集边效应理论及其应用[4]～[7]的基础上,研究了射频功率晶体管版图的系列化设计。通过理论和实验结果的对比分析,实现了射频功率晶体管版图的系列化设计和优化设计,在工业化大生产的实际应用中,收到了本课题研究的实际效益。     

NS开发增强型氮化镓功率FET的100V半桥栅极驱动器

美国国家半导体公司(National Semiconductor)6月21日宣布,推出业界首款针对高压电源转换器的增强型氮化镓(GaN)功率场效应晶体管(FET)而优化的100 V半桥栅极驱动器。美国国家半导体新推出的LM5113是一款高度集成     

540～610MHz脉冲输出150W功率晶体管

采用芯片设计优化、工艺改进及内匹配等技术，研制出应用于工程的脉冲功率晶体管．该管宽频带（５４０～６１０ＭＨｚ），长脉宽（５０μｓ），高占空比（１５％），带内增益平坦度为±０．５ｄＢ，集电极输出效率ηｃ≥５０％。     

射频功率晶体管发射极宽度的设计研究

本文以发射极电流集边效应理论的精确解为出发点,通过计算有效发射区宽度Seff,提出了射频功率晶体管发射极宽度的设计。作为应用实例,给出了工作频率分别为30MHz、108MHz、400MHz和1000MHz四个系列产品的发射极宽度优化设计的典型数据。