RFMD推出最新氮化镓工艺技术

正高性能射频组件以及复合半导体技术设计和制造领域的全球领导者RFMicro Devices日前宣布,扩展其RFMD业界领先的氮化镓工艺技术,包括功率转换应用中专为高电压功率器件而优化的新技术。RFMD推出的最新氮化镓工艺技术一rGaN-HV~(TM)-可在功率转换应用(1至50KW)中大幅度降低系统成本和能量消耗。RFMD推出的rGaN-HV~(TM)技术可为器件实现高达900伏特的击穿电压,具有高峰值电流功能并可在氮化镓电     

元器件与组件

S波段RF功率晶体管S波段500W RF器件2729GN-500基于碳化硅衬底氮化镓(GaN on SiC)技术,新器件瞄准大功率空中交通管制机场监视雷达(ASR)应用,ASR用于监视和控制在机场大约100英里范围的飞机。在2.7～2.9GHz频段上,2729GN-500晶体管具有出色的500W峰值功率、12dB功率增益和53%漏极效率性能,通过单一器件在这个频段上提供最大功     

EPC的eGaN要替代MOSFET和IGBT

宜普电源转换公司(Efficient Power Conversion Corporation,EPC)是氮化镓(GaN)功率晶体管先行者。EPC称,其率先推出的商用增强型(enhancement-mode)硅基板氮化镓(GaN-on-Silicon)功率晶体管器件,产品性能高于传统硅功率MOSFET数倍,可适用于服务器、基站、笔记本电脑、手机、LCD显示器、D类功率放大器等。     

安森美半导体加入imec的硅基氮化镓研究项目

正应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商安森美半导体(ONSemiconductor)加入了领先纳米电子研究中心imec的多合作伙伴业界研究及开发项目,共同开发下一代硅基氮化镓(GaN-on-Si)功率器件。氮化镓具有优异电子迁移率、更高击穿电压及良好导热性的特性,使其非常适合于要求高开关能效的功率器件及射频(RF)器件。如今,基于氮化镓的功     

TriQuint推出新氮化镓晶体管可使放大器尺寸减小50％

TriQuint半导体公司推出四款具有卓越增益和效率,并且非常耐用的新氮化镓（GaN）HEMT射频功率晶体管产品。TriQuint的氮化镓晶体管可使放大器的尺寸减半,同时改进效率和增益。这些新的氮化镓晶体管可在直流至6GHz宽广的工作频率上提供30—37W（CW）射频输出功率。     

RFMD推出新款GSM功率放大器

美国RF Micro Devices(RFMD)公司针对GSM蜂窝手机制造商的需求,推出一款3V GSM功率放大器RF2318。它采用RFMD的砷化镓异质结双晶体二级管工艺制成,具有高功率、高效率的特点,工作频率为880～950MHz,效率高达57%。RF2138具有功率控制输出功能(控制范围:70dB)。在供电电压为3.5V时,RF2138可提供 35dBm的输出功率,输入阻抗为50Ω。由于采用砷化镓异质结双极晶体管工艺,仅需单个 3V电     

微波与射频元器件

RF MICRO DEVICES高功率、高效率的线性功率放大器模块专用射频集成电路供应商RF Micro Devices推出用于3VIS-95/CDMA20001X手持式数字蜂窝设备和扩频系统等CDMA应用的高功率、高效率的线性功率放大器(PA)模块。RF3163、RF3164及RF3165PA模块是采用砷化镓异质结双极电晶体(GaAsHBT)工艺加以制造的。这些模块基于RFMD正在申请专利的Lead Frame Module封装技术。通过将无源元件的功能整合到GaAs芯片中,LFM封装消除了表面贴装器件以及与表面贴装器件布局相关的成本。采用LFM技术设计的产品无需层压或低温共烧陶瓷(LT…     

无线通信技术的使者——隽捷科技(深圳)有限公司

隽捷科技(深圳)有限公司是一家以引进国际先进无线通信技术与器件,支持民族通信产业发展为己任的公司。它主要代理国外射频、微波、毫米波等元器件和子系统、设备、系统等。 在射频方面,它代理美国RF Micro Devices公司(简称RFMD)的射频通信IC。RFMD是全球射频无线通信IC的主要供应商之一。其产品线涵盖了CDMA、GSM、PCS、DCS、ISM、CATV、     

飞思卡尔高压射频功率技术的突破

作为蜂窝基础设施RF功率器件市场的领导者,飞思卡尔也在利用自己新开发的高电压射频功率技术,结合经济高效的创新超模压塑料封装,将其射频功率解决方案扩展至工业、科学和医疗(ISM)市场。飞思卡尔推出了专为HF/VHF频带(10～450MHz)和2.45GHz ISM频带设计的晶体管,从而将其在技术和封装方面的优势延伸到ISM市场。客户能够利用这些器件开发出最经济、高效的等离子发生器和磁共振成像(MRI)等系统。     

ST推出两款新的防潮RF功率晶体管

正意法半导体推出两款新的防潮射频(RF,radio-frequency)功率晶体管,以提高目标应用在高潮湿环境内的耐用性和可靠性。这两款50VRFDMOS器件的封装腔内填充凝胶,以防止裸片发生电迁移现象,例如银枝晶迁移。这是标准陶瓷封装受高温、偏压和潮湿结合影响的情     

EPC瞄准氮化镓功率器件市场兴起机遇

正功率器件一直都是由材料引导技术革新,硅材质的MOSFET已经应用多年,现在面临在功率密度、工作温度和更高电压方面的技术挑战,而解决这一问题最根本的办法是采用更高性能的材料。宜普电源转换公司(EPC)是首家推出替代功率MOSFET器件的增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管的公     

宜普电源转换公司推出高性能氮化镓功率晶体管

正氮化镓(eGaN)功率晶体管继续为电源转换应用设定业界领先的性能基准。由于氮化镓器件具有更低的导通电阻、更低的电容、更大的电流及卓越的热性能,因此使得功率转换器可实现超过98%的效率。宜普电源转换公司宣布推出六个新一代功率晶体管及相关的开发板。这些由30V至200V的产品在很多应用可大大降低导通电阻(RDS(on))并可增强输出电流性能,例如具高功率密度的直流-直流转换器、负载点(POL)转换器、     

GaN技术发展新趋势

氮化镓(GaN)是第三代半导体的典型代表,受到学术界和产业界的广泛关注,正在成为未来超越摩尔定律所依靠的重要技术之一。对于射频(RF)GaN技术,在电信和国防两大主要应用增长行业,尤其是军用领域对先进雷达和通信系统不断增加的需求,推动了RF GaN器件向更高频率、更大功率和更高可靠性发展。文章梳理了在该领域中GaN RF/微波HEMT、毫米波晶体管和单片微波集成电路(MMIC)、GaN器件空间应用可靠性和抗辐射加固等技术发展的脉络。在功率电子方面,对高效、绿色和智能化能源的需求拉动GaN功率电子、电源变换器向快速充电、高效和小型化方向发展。简述了应用于纯电动与混合动力电动汽车(EV/HEV)、工业制造、电信基础设施等场合的GaN功率器件的研发进展和商用情况。在数字计算特别是量子计算前沿,GaN是具有应用前景的技术之一。介绍了GaN计算和低温电子技术研究的几个亮点。总而言之,对GaN技术发展几大领域发展的最新趋势作了概括性描述,勾画出技术发展的粗略线条。     

分立器件

MRF6VP3450H:RF功率晶体管飞思卡尔推出50V横向扩散MOS(LDMOS)RF功率晶体管,MRF6VP3450H旨在让TV发射器采用模拟和数字两种调制格式。高效的RF功率晶体管通过把AC输入功率转换成RF输出功率,降低运营成本。     

飞思卡尔为美国国防发布LDMOS首批11个射频功率产品

正射频(RF)功率晶体管领域的全球领导者飞思卡尔半导体日前宣布11个全新商用的射频功率LDMOS产品全面上市,这个产品可满足美国国防电子产品应用的要求,这是2013年6月公布的公司射频功率业务战略防御计划发布的首套产品。飞思卡尔现在为美国国防系统客户提供与其他市场相当的支持水平,使客户可以优化这些射频器件的性能,适合雷达、军用通信和电子战的应用。这些     

飞利浦半导体推出新的分立RF器件扩大宽带产品阵容

飞利浦半导体最近推出了用于宽频与无线系统的两种新型分立RF半导体器件:BGA2700系列单片微波集成电路(Monolithic Microwave Integrated Circuit)放大器件,它是针对卫星通信与有线系统的射频(RF)电路而设计     

三星选择RFMD来支持其GALAXYTABANDROID平板电脑

日前,高性能射频部件以及复合半导体技术设计和制造领域的领导者RFMD（RF Micro Devices,Inc．）宣布,三星选择了3种RFMD高集成部件,为近期推出的采用Android系统的GALAXYTab平板电脑提供出色的WiFi连接性。     

飞思卡尔面向中国TD-SCDMA无线网络推出RF功率系列产品

在中国,时分同步码分多址存取(TD-SCDMA)无线网络被广泛应用,而这些射频功率晶体管已经专为服务于上述网络的基站中所使用的功率放大器进行了优化.这些先进的器件是专为TD-ScDMA设计的飞思卡尔LDMOS功率晶体管系列中的最新产品,而TD-SCDMA在业界被广泛部署.     

RFMD推出新款超高效率4G LTE功率放大器

正日前,高性能射频组件以及复合半导体技术设计和制造领域的全球领导者RF Micro Devices,Inc.宣布扩展其超高效率功率放大器(PA)产品系列,新加入六款4G LTE功率放大器。RFMD的超高效率功率放大器重新建立了智能手机和以数据为中心的其     

首批商用GaN集成功率级器件诞生

国际整流器公司(IR)日前推出行业首个商用集成功率级产品系列,采用了IR革命性的氮化镓(GaN)功率器件技术平台--GaNpowIR.据IR公司环球市场及企业传信副总裁Graham Rober介绍,GaNpowIR是一种革命性的GaN功率器件技术平台,与最先进的硅技术平台相比,能够改善性能指数(FOM)高达10倍,可以显著提高性能并节省能源消耗,该技术平台是IR经过5年的时间,基于其专有硅上氮化镓外延技术研究开发的成果.