新颖的Si_(1-x)Ge_x/Si异质结内光电发射长波红外探测器和焦平面阵列的发展

本文主要介绍新颖的Si_(1-x)Ge_x/Si异质结内光电发射长波红外探测器和焦平面阵列的现状、典型结构、性能参数及制备技术.     

肖特基势垒红外焦平面技术研制动态

肖特基势垒红外焦平面阵列(SB-IRFPA)技术具有一系列独特的优点,其发展速度是目前各种焦平面阵列技术中最快的,本文综合评述肖特基势垒红外焦平面阵列技术的特点、结构形式、工作机理、目前在短波、中波和长波器件方面取得的进展,在量子效率改善方面采取的有效措施和阵列技术未来的发展趋势。     

军用PtSi—SBIRFPA的新发展

概述了军用热成象系统中硅化铂肖特基势垒红外焦平面是技术的新发展。     

PtSi肖特基势垒红外焦平面阵列器件的发展与应用

概述军用热成象系统中硅化铂肖特基势垒外焦平面阵列器件的新近发展与应用。     

铂-铱硅化物肖特基势垒红外探测器

已经制备了用硅化物做电极的肖特基势垒红外探测器,该电极是在p型硅衬底上,依次真空淀积5～10A的铂和10～20A的铱金属膜,经热退火后形成的。铂-铱肖特基二极管的势垒高度为0.16～0.19eV,与具有0.22eV的纯铂二极管相近,而探测器截止波长可延伸到6μm范围以外。而且,与单用铂或单用铱的二极管相比,在有效光谱范围内,铂-铱二极管呈现出较高的探测器量子效率。     

军用PtSi-SBIRFPA的新发展

概述了军用热成象系统中硅化铂肖特基势垒红外焦平面阵列（ＰｔＳｉ－ＳＢＩＲＦＰＡ）技术的新发展。     

高性能PtSi凝视红外焦平面列阵的研究与进展

本文叙述了国内外ＰｔＳｉ凝视红外焦平面列阵（ＦＰＡ）的研究发展状况。详细介绍了提高ＰｔＳｉ肖特基势垒探测器（ＳＢＤ）灵敏度的研究工作。这些ＳＢＤ工作温度约为８０Ｋ，应用于中红外波段（３～５μｍ）。象素数达５１２×５１２，１０２４×１０２４的凝视列阵已见报道。ＰｔＳｉＳＢＤＦＰＡ能在３００Ｋ实现热成象，其噪声等效温差（ＮＥａｒ）达到０．０３Ｋ。文中还介绍了我国研制的１２８×１２８元，２５６×２５６元ＰｔＳｉ凝视红外焦平面，并讨论了凝视ＦＰＡ的设计选择，最后对其特性进行了简要总结。     

Ge_xSi_(1-x)/Si超晶格量子阱红外探测器和焦平面阵列现状

文章主要介绍 Ge_xSi_(1-x)/Si 超晶格量子阱长波红外探测器和新颖的红外焦平面阵列的现状。     

硅化铱肖特基势垒红外焦平面阵列技术

本文讨论了硅化铱肖特基势垒红外探测器(IrSi-SBIRD)的典型结构和其制作技术;评述了硅化铱肖特基势垒红外焦平面阵列(IrSi-SBIRFPA)的现状。     

红外焦平面阵列探测器盲元检测算法研究

受材料、制造工艺等因素的影响,红外焦平面阵列探测器均存在一定数量的盲元.在分析探测单元响应特性的基础上,提出一新的盲元检测算法.通过调节探测单元响应的显示动态范围,利用设定阈值完成盲元检测.实验表明,算法不受盲元簇大小的影响,查找速度快、定位准确率高,有效提高了图像质量.     

红外探测器发展述评

介绍了红外探测器从分立型器件到集成化焦平面阵列的发展和“三代”探测器状况,比较了HgCdTe和A1GaAs／GaAs的各自特点,提出了发展成像传感器的建议。     

脉冲激光制备铱硅化合物长波红外敏感薄膜

采用脉冲激光薄膜沉积技术制备了超薄连续的铱硅化合物肖特基势垒薄膜,利用X射线光电子能谱、原子力显微镜、半导体性能自动测量系统对薄膜进行了分析.获得的样品在界面层为单相IrSi3,并对人体红外辐射有很好的响应特性,通过I-V曲线估算样品的势垒高度约为0.116 eV.     

红外焦平面探测器阵列规格的发展

红外焦平面探测器阵列规格的发展是一个从疏到密、从小到大的过程,受到大面积探测器材料生长和小像元制备等因素的限制。战略焦平面阵列一般用于探测点源目标,而战术焦平面阵列则一般用于探测扩展源目标。从相关的基本概念出发,分析了焦平面阵列规格的发展过程,讨论了作用距离与焦平面阵列规格之间的关系。由于电视格式基本固定,在战术焦平面阵列实现全帧格式以后,其规格进一步增加的势头即便不是停止,也必将会趋缓。但是另一方面,因为焦平面阵列的规格越大,其居高临下而一次看到的面积就越广,所以战略焦平面阵列将会继续向超大规格发展。     

硅基异质结光电探测器用材料的应用研究进展

综述当前ＧｅＳｉ／Ｓｉ、ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ、ＨｇＣｄＴｅ、ＰｔＳｉ和ＧａＮ光电探测器用材料的工作原理、特点、研究现状及发展趋势。以新型薄膜外延技术－分子束外延制备的ＧｅＳｉ／Ｓｉ等人工超晶格材料倍受关注,硅基异质子阱材料成为新一代光电探测材料的发展方向。     

扩展长波红外探测的铱硅化物硅肖特基势垒的研究

通过制备铱硅化物—硅肖特基势垒,分析了衍射相,讨论了铱硅化物成膜工艺及其与薄膜方块电阻的关系,测量并分析了势垒高度,红外光吸收率。研究结果表明,铱硅化物—硅是一种有希望扩展肖特基势垒红外探测范围的新型势垒结构。     

InAs/GaSb II类超晶格长波红外焦平面探测器研究

InAs/GaSb II类超晶格材料是第三代红外焦平面探测器的优选材料。报道了一种面阵规模为320×256、像元中心距为30 μm的InAs/GaSb II类超晶格长波红外焦平面器件。在77 K时,该器件的平均峰值探测率为7.6×10¹⁰ cm·Hz^1/2·W^-1,盲元率为1.46%,响应非均匀性为7.55%,噪声等效温差(Noise Equivalent Temperature Difference, NETD)为25.5 mK。经计算可知,这种器件的峰值量子效率为26.2%,50%截止波长为9.1 μm。最后对该器件进行了成像演示。结果表明,该研究为后续的相关器件研制奠定了基础。     

The current-voltage-temperature characteristics of Al/NPB/p-Si contact

The current-voltage (I-V) characteristics of the Al/NPB/p-Si contact shows rectifying behavior with a potential barrier formed at the contact interface. The barrier height and ideality factor values of 0.65 eV and 1.33 are measured at the forward bias of the diode. The barrier height of the Al/NPB/p-Si diode at room temperature is larger that (∼0.58 eV) of conventional Al/p-Si diode. It reveals the NPB organic film control the carrier transport of the diode at the contact interface. The temperature effect on the I-V measurement is also performed to reveal the junction characteristics. The ideality factor of the Al/NPB/p-Si contact increases with decreasing temperature. And the barrier height decreases with decreasing temperature. The effects are due to the existence of the interface states and the inhomogeneous of the barrier at the junction.