半/非极性面2英寸GaN基板:改进LED及激光器的撒手锏,住友电工开发出大型基板

在白色LED中使用的蓝色LED芯片及蓝光光驱光源用蓝紫色半导体激光器,目前新型的GaN基板有望使这些GaN类半导体发光元件的性能得到大幅提高。而在该领域,日本业界最大厂商住友电气工业最近实现了新型GaN基板的大型化,并即将推出产品。该产品就是采用GaN结晶的半极性面及非极性     

SiC和GaN功率半导体竞争激烈

正与现在的Si功率半导体相比,SiC及GaN等新一代功率半导体有望利用逆变器和变流器等大幅提高效率并减小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐渐增加,同时各企业也围绕这些元件展开了激烈的开发竞争。SiC功率半导体方面,在栅极设有沟道的沟道型MOSFET的开发在2013     

海力士PKG部率先开发出双重基板封装技术

海力士的PKG部率先开发出双重基板（Double Substrate）封装技术,为世界首创。作为封装工程的重要材料,封装基板起到保护半导体的作用,并可进行实际封装。此次开发是对原有制造方式单层面板上制作10个支板的方式加以改进,利用复层面板,     

索尼和住友电工试制成功绿色半导体激光器波长530nm连续振荡输出功率100mW以上

正索尼和住友电气工业试制出了绿色半导体激光器,振荡波长为530 nm,连续振荡时可实现100 mW以上的光输出功率。2009年住友电工曾发表振荡波长为531 nm的绿色半导体激光器,但当时只是脉冲振荡。此次试制品的光电转换效率为8%以上。此次的绿色半导体激光器是在GaN(氮化镓)基板的半极性面上生成GaN类半导体结晶制成的,活性层采用InGaN,GaN基板由住友电工制造。     

松下开发出使Si基板GaN功率晶体管耐压提高5倍的技术

松下半导体(Panasonic Semiconductor)开发出了可将Si基板上形成的GaN功率晶体管的耐压提高至5倍以上的技术。还有望实现300 V以上的耐压。硅基板上的GaN功率晶体管耐压,本来应该是GaN膜耐压和硅基板耐压加之和,而实际上此前只取决于GaN膜的耐压。因此,松下半导体为提高耐压而采取了增加GaN膜厚度的措施。不过,多晶硅和GaN的晶格常数和热胀系数不同,GaN膜过厚,就会出现开裂等问题。其结果,使GaN膜厚度从数μm左右、耐压从     

半导体激光器测试系统

Naso公司推出了新型大功率半导体测试系统，该系统能进行老化、工程表征和寿命测试。依照该公司的报道，该系统是可组装元件模块阵列，支持R＆D，并扩展支持满刻度产品。     

SiC基板厂商纷纷开发6英寸产品

晶圆(基板)左右着SiC功率元件的成本和性能。在ICSCRM上可以看到,很多SiC基板厂商都在着手开发口径6英寸(150mm)的产品。现在生产的功率元件SiC基板的最大口径为4英寸(100mm)。将口径增大到6英寸,有利于提高SiC     

首尔半导体转投GaN基板阵营 NPOLA性价比高成蓝宝石新噩梦

正2012年7月,首尔半导体在韩国发表了的新产品‘nPola',此款产品是首尔半导体开发了10多年拥有专利技术的产品,其特点是采用非极性(non-polar)技术,大大提高发光效率,相较于目前的LED,在相同面积上的亮度高出5倍。目前批量生产的LED发光效率是100流明左右,而此次首尔半导体公开的‘nPola'产品达到500流明,是目前产品的5倍。简单来说,在制作替代60W家庭用灯泡的     

住友电工利用半导体激光器成功实现绿色激光脉冲振荡

投影仪光源等使用的红、绿、蓝三原色半导体激光器终于全部问世。住友电气工业利用半导体激光器成功实现了波长531nm的绿色激光脉冲振荡（图1）。虽然红色和蓝色的半导体激光器已经投产,但过去一直没有能够直接振荡530nm左右绿色激光的半导体激光器。大都是利用SHG结晶转换1064nm红外激光波长．只能得到532nm的绿色激光。     

英飞凌:GaN功率元件前景虽好,但采用为时尚早

正"现在,业界对GaN功率元件的期待已达到最高峰。实际上这的确是一种非常有前景的材料。但其中还有很多未知的部分,采用还为时尚早",在与汽车展会"AUTOMOTIVEWORLD2014"同时举办的研讨会上,英飞凌科技负责汽车用高压功率半导体和驱动IC等业务的电动动力传动系统部高级总监Mark-     

日立开发出新型高温无铅焊锡

日立制作所开发出了无铅高温焊锡。已证实封装后焊锡周围的温度升高到200℃，接合状态仍会保持1000小时以上不变稀软。主要用于元件连接部分温度高的功率半导体等封装。计划2010年达到实用水平。     

昭和电工开发出光提取效率为40％的有机EL元件

昭和电工采用新型元件结构使光提取效率提高到40％的涂布法,开发出了磷光型高分子有机EL元件。通过提高光提取效率,实现了30LM／W的发光效率。该公司表示,在现已公布的涂布型有机EL元件中,这一发光效率为“世界最高水平”。     

ROHM开发出SiC驱动用AC/DC转换器控制IC

ROHM开发出在大功率(高电压×大电流)逆变器和伺服等工业设备中日益广泛应用的Si C-MOSFET驱动用AC/DC转换器控制IC BD7682FJ-LB。本产品可轻松实现搭载Si C-MOSFET的AC/DC转换器以解决以往控制电路分立元件数量过多问题。因此,BD7682FJ-LB的推出将为要求进一步实现节电化与小型化的AC/DC转换器市场带来新的价值,为因Si C功率半导体的普及而带来的全社会的节电化与小型化做出贡献。     

安森美牵手Transphorm开发基于氮化镓(GaN)的电源系统方案

正近日,推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor)与功率转换专家Transphorm宣布已建立了新的合作关系,共同开发及共同推广基于氮化镓(GaN)的产品和电源系统方案,用于工业、计算机、电信、LED照明及网络领域的各种高压应用。该策略合作充分发挥两家公司固有的实力。Transphorm是公认的第一家将600伏(V)GaN硅晶体管量产通过授证的公司,并在这先进技术有无与伦比     

洛阳铜加工集团开发出第二代身份证条形码用铜材

日本电气(NEC)日前CEATEC JAPAN 2004展会上宣布，该公司最新开发成功的一款蓝紫色激光器可将连续振荡时的最大输出功率提高到300mW，适合于蓝光光盘(Blue-ray Disk)和HDDVD等新一代光盘，有利于提高这些光盘的记录速度。     

大功率半导体激光列阵单光纤耦合技术

利用阶梯反射镜整形技术和偏振合束及波长合束技术成功将两只波长为808nm和两只波长为980nm的40W大功率半导体激光器光束进行混合,最后得到输出功率为95.8W、耦合效率为60%的双波长大功率半导体激光列阵单光纤耦合模块,光纤芯径为400μm,数值孔径为0.22.