低真空下射频磁控溅射法制备ITO薄膜

在低真空(2.3×10-3 Pa)下采用射频磁控溅射法制备了ITO薄膜.溅射温度200 ℃,溅射气氛为氩气和氧气的混合气,溅射靶材为90 %氧化铟、10 %氧化锡的陶瓷靶.用场发射扫描电子显微镜和X衍射仪研究了薄膜的显微结构, 用X射线光电子能谱表征了薄膜的成分.ITO薄膜在可见光范围内有较高的透射率(80 %～95 %).在低工作气压(1 Pa)下,氧气流量比率[O2/(O2+Ar)]越小,薄膜的透射率越高、导电性越好.在高工作气压(2 Pa)下,制备得到低质量、低透射率的无定形薄膜.     

制备条件对Bi_2Te_3薄膜导电性能的影响

通过物理气相沉积法在石英基底上于不同条件下制备出五种Bi_2Te_3薄膜,并且利用扫描电子显微镜和XRD对各薄膜样品进行表征,最后运用四探针测试法测试样品导电性能。结果表明:制备温度和沉积时间对Bi_2Te_3薄膜的表面形貌和样品膜的导电性能影响很大;制备温度越高、沉积时间越长,所制薄膜的均匀度及致密度越高、导电性越好。     

导体性薄膜制造工艺

概述了导电性薄膜制造工艺,适用于制造挠性覆铜板、挠性印制板和电磁干扰(EMI)屏蔽滤波器等用途的导电性薄膜。     

多孔硅微结构与场发射性能研究

采用阳极氧化及阴极还原表面处理技术制备性能稳定的纳米多孔硅薄膜.用原子力显微镜(AFM)表征多孔硅的表面形貌,用扫描电子显微镜(SEM)表征多孔硅的横截面结构.采用场发射测试装置研究了阳极氧化腐蚀时间及等离子表面处理对多孔硅场发射性能影响.结果表明,阳极氧化腐蚀时间越长,所得多孔硅场发射性能越好,相对应的开启电压越低,电流密度越大;等离子处理可有效提高场发射性能,等离子处理后的多孔硅薄膜作为阴极发射材料具有极大的潜能.     

导电高分子聚合物电化学修饰电极

运用循环伏安法分别在0.15M吡咯(py)+0.1M氯化钾(Kcl)溶液的对氨基苯甲酸中(PAPB)和水中,在不锈钢(SS)表面制备聚吡咯(Ppy)薄膜。用循环伏安法与恒定电位法(恒电位1.5V),测试工作电极的稳定性与导电性。结果表明,单独在不锈钢表面附着聚吡咯薄膜(Ppy/SS),虽可以增强工作电极的稳定性,但工作电极的导电性减弱。而掺杂了对氨基苯甲酸的聚吡咯膜(Ppy/PAPB),能提高不锈钢复合电极的稳定性。同时,可以弥补合成单一薄膜导电性能减弱的缺点。从而将稳定性与导电性很好的结合。     

声体波微波延迟线用AlN薄膜制备研究

采用中频磁控溅射法在z轴石英基片上制备了(002)择优取向的AlN薄膜。采用X线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)表征了AlN薄膜的择优取向和表面形貌。结果表明,溅射功率、氮气流量、氩等离子清洗对AlN薄膜的择优取向有显著影响。将该方法制备的AlN薄膜应用于声体波微波延迟线,研制出频率为4.2~4.4GHz的声体波微波延迟线,其延迟时间为361ns,插入损耗为-57.3~-60.4dB,3次渡越抑制为28.6dB,直通信号抑制为52.7dB。     

聚苯胺/三氧化钨复合薄膜的制备与性质

采用溶胶-凝胶法在氧化铟锡(ITO)玻璃上制备三氧化钨(WO3)薄膜,将其在300℃下焙烧2h,再通过电沉积法在表面生长聚苯胺(PANI)薄膜.采用电化学方法、光谱分析法及扫描电镜等测试手段对WO3薄膜、PANI薄膜及PANI/WO3复合膜进行表征,发现复合膜着色态与褪色态透过率差异显著,变色效率(CE)达到57.94 cm2/C,比PANI和WO3薄膜的CE值28.94和10.55 cm2/C分别提高了50％和82％.扫描电镜结果表明,PANI薄膜表面结构疏松,有无序的微孔;而复合膜的结构规整、微孔排列相对有序且表面形貌均匀.     

前驱体通气时间对原子层沉积氧化锌薄膜的影响

建立了反应腔室模型,模拟分析了原子层沉积(ALD)过程中前驱体质量分数随其通气时间的变化趋势.采用ALD法制备了ZnO薄膜,采用原子力显微镜(AFM)与扫描电子显微镜(SEM)对薄膜进行了表征,研究了不同二乙基锌通气时间下ZnO薄膜的表面形貌和厚度均匀性.模拟结果表明,前驱体通气时间越长,前驱体在整个反应腔室内的分布越...     

在Si(111)上磁控溅射碳化硅薄膜的H2退火效应

用射频磁控溅射法在常温硅衬底上制备了碳化硅薄膜并研究了氢退火对薄膜的影响.用傅里叶红外透射谱(FTIR)、X射线衍射(XRD)、X光电子能谱(XPS)、扫描电镜(SEM)及原子力显微镜(AFM)对薄膜样品进行了结构、组分和形貌分析.结果表明:高温退火后SiC膜的晶化程度明显提高,而且在薄膜中观察到了碳纳米线的形成.     

在Si(111)上磁控溅射碳化硅薄膜的H2退火效应

用射频磁控溅射法在常温硅衬底上制备了碳化硅薄膜并研究了氢退火对薄膜的影响.用傅里叶红外透射谱(FTIR)、X射线衍射(XRD)、X光电子能谱(XPS)、扫描电镜(SEM)及原子力显微镜(AFM)对薄膜样品进行了结构、组分和形貌分析.结果表明:高温退火后SiC膜的晶化程度明显提高,而且在薄膜中观察到了碳纳米线的形成.