专利技术

一种氮氧化物气体传感器元件的制备方法申请(专利)号:201210400849.9公开(公告)日:2013-03-27申请(专利权)人:天津大学摘要:本发明公开了一种氮氧化物气体传感器元件的制备方法,步骤为:(1)对n型单面抛光的单晶硅片进行清洗;(2)采用双槽电化学腐蚀法在硅片的抛光表面制备孔径尺寸在50~200 nm的硅基孔洞有序多孔硅,腐蚀液为6%~8%的氢氟酸水溶液,施加的腐蚀电流密度为115~135mA/cm2,腐蚀时间为5~25 min;(3)再将多孔硅置于超高真空对靶磁控溅射设备的真空室,制备基     

一种添加稀土元素的镁基储氢材料及其制备方法

申请（专利）号：201110366026．4公开（公告）日：2012．03—28申请（专利权）人：上海交通大学摘要：本发明公开了一种添加稀土元素的镁基储氢材料及其制备方法，所述镁基储氢材料的组分包括镁金属和稀土元素，所述稀土元素质量百分含量为0．1％～20％，所述镁金属的质量百分含量为80％～99．9％，所述稀土元素为La、Ce、Pr、Nd、Sm和Er中的一种或多种；本发明镁基储氢材料具有良好的储氢动力学性能，与     

PT/P(VDF-TrFE)/多孔氧化硅衬底热释电传感器研制

用电化学方法制备多孔化率约６９％的多孔硅，在湿氧中氧化成多孔氧化硅，作热释电传感器的衬底。将用溶胶凝胶法制备的钛酸铅（ＰＴ）纳米粉粒掺入聚偏氟乙烯／三氟乙烯共聚物中形成ＰＴ／Ｐ（ＶＤＦＴｒＦＥ）热释电复合敏感膜。ＰＴ粉粒的掺入体积比为０１２时，与成膜条件相同的Ｐ（ＶＤＦＴｒＦＥ）膜相比，热释电优值提高２０％，探测优值提高３５％。多孔氧化硅结构降低了衬底的热导率和元件热容，使多孔硅衬底传感器的电流灵敏度比结构相同的体硅衬底传感器样品高约２倍。     

多孔硅表面氧化钒热敏电阻薄膜的阻温特性

用电化学腐蚀法制备了具有不同导热系数的多孔硅样品(孔隙率为80％±2、厚度为110μm时,导热系数可降低至0．20 W／m·K),并在其表面沉积了氧化钒热敏薄膜,研究了多孔硅样品的热绝缘性能对氧化钒热敏薄膜阻温特性的影响．结果表明:多孔硅良好的热绝缘性使在其表面制备的氧化钒热敏薄膜电阻的灵敏度远高于在硅基底上制备的热敏电阻的(多孔硅和硅片上的氧化钒薄膜电阻随功率变化斜率分别为120 kΩ／μW和2．1 kΩ／μW),且热敏电阻的灵敏度随着多孔硅孔隙率和厚度的增大而升高．     

铌基配位硼氢化物复合储氢材料及制备方法与用途

申请（专利）号：201110119200．5公开（公告）日：2011—10—19申请（专利权）人：浙江大学摘要：本发明涉及新型储氢材料领域,公开了一种铌基配位硼氢化物复合储氢材料及制备方法,该储氢材料主要用于燃料电池供氢源、氢能源汽车等领域。该复合储氢材料的基体材料—铌基配位硼氢化物的化学式为Nb（BH4）5,其单位质量储氢密度为12wt％。复合储氢材料制备方法如下：在室温和惰性气体保护气氛下,将硼氢化锂和卤化铌原料按照5：1的摩尔比在玛瑙研钵中进行研磨,     

CO_2分离压缩一体化方法

公开（公告）号：101666573 公开（公告）日：2010-03-10 申请（专利权）人：华北电力大学摘要：本发明公开了属于气体制备技术领域的一种CO2分离压缩一体化方法。该方法是用于从含CO2的气体中分离CO2的一种方法,具体是将多级压缩、多级冷却以及多级分离相结合,     

二氧化铈抛光材料应用的研究进展简

光电子与信息产业的迅猛发展加速了化学机械抛光技术（CMP）的更新。CMP作为目前最好的实现全局平面化的工艺技术（整体平面化的表面精加工技术）,借助超微粒子的切削作用以及材料的化学腐蚀作用可以将硅基材料抛光成光洁平坦表面,已广泛应用在硅基材料、光学元件和电子集成电路等元件的表面平坦化处理。随着抛光精度的逐渐提高,CMP已成为首选抛光技术。为了获得超高精度表面,对抛光材料的调配与生产的要求也不断提高,二氧化铈（CeO2）作为高效的抛光材料,在高精度抛光中得到广泛应用。     

专利技术

锗烷气体的提纯收集系统和方法申请（专利）号：201110230532.0公开（公告）日：2012-03-28申请（专利权）人：福建博纯材料有限公司摘要：本发明公开了一种锗烷气体的提纯收集系统和方法,利用冷凝装置对含锗烷气体进行冷凝;利用排空装置将未被所述冷凝装置冷凝的气体排除;利用加注装置将被所述冷凝装置冷凝提纯的锗烷气体注入钢瓶.     

高分子专利EI北大核心CSCD

专利名称：具有高阻隔性能的聚对苯二甲酸乙二醇酯复合材料的制备方法专利申请号：CN200610064909．9公开号：CN101037531申请日：2006．03．17公开日：2007．09．19申请人：中国石油天然气股份有限公司本发明涉及一种聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）的复合材料的制备方法。     

多孔硅衬底在RFIC无源器件中的应用

介绍低阻硅基多孔硅作为低损耗衬底在射频集成电路（RFIC）无源器件上的应用，分别讨论了在RFIC中的传输线，移相器和电感等无源器件运用多孔硅衬底后性能和主要参数的改良变化，并从理论上分析变化的原因。多孔硅衬底大大降低了RFIC电路中传输线的损耗，使移相器的工作频率和相移量都发生变化。运用多孔硅衬底，回旋电感的最高Q增加了63％（16．8～27．4），最高响应频率增加了28％（15．2～19．4GHz）。结果表明多孔硅衬底在高频情况下完全能满足RFIC元件的要求。     

硅基含能材料爆炸性能研究

采用电化学双槽腐蚀法在P型单晶硅片表面生长多孔硅膜。通过扫描电镜（SEM）、能量色谱（EDS）对多孔硅结构参数以及多孔硅含能材料性能进行了分析,同时进行了爆炸性能测试。结果表明：采用电化学腐蚀法可以制备出20nm左右孔径的多孔硅膜;通过原位装药技术形成的多孔硅含能材料在开放空间以及热能、机械撞击、电能、激光能量刺激下发生猛烈爆炸作用。     

电化学腐蚀多孔硅表面形貌的结构特性

多孔硅作为微电子机械系统中重要的热绝缘层和牺牲层材料,其表面形貌结构特性是影响多孔硅上薄膜器件性能的重要因素,为此,利用双槽电化学腐蚀方法制备了多孔硅薄膜,并通过原子力显微镜和场发射扫描电子显微镜对制备多孔硅的表面形貌和孔径大小分布进行了观察．结果发现：腐蚀初期,在硅表面会有大量的硅柱形成,硅柱的直径、高度、分布密度与电流密度成正比关系;硅柱在进一步腐蚀过程中会消失,多孔硅的表面粗糙度随着腐蚀的进行,先减小再增大,最后达到稳定值0．52nm;多孔硅孔径大小分布区间随腐蚀时间增加变窄．     

锗烷气体制备装置及利用其制备单锗烷气体的方法

<正>申请(专利)号:201380043627.9公开(公告)日:2015-05-13申请(专利权)人:奥瑟亚新材料股份有限公司摘要:本发明涉及一种锗烷气体制备装置及利用其制备单锗烷气体的方法。本发明尤其涉及一种如下的锗烷气体制备装置及利用其制备单锗烷气体     

专利技术

一种光纤气体传感器 公开（公告）号：CN201532360U 公开（公告）日：2010—07—21 申请（专利权）人：西北工业大学     

用于分离气体混合物的方法和装置

公开（公告）号：101245967 公开（公告）日：2008-08-20 申请（专利权）人：林德股份公司 摘要：本发明涉及一种用于在一个低温的气体分离过程中由一种绝大部分由二氧化碳（CO2）及氮气（N2）组成的原料气体（1）产生二氧化碳产品的方法以及一种用于实施该方法的装置。     

专利技术

气体纯化装置公开（公告）号：CN101987726A公开（公告）日：2011-03-23申请（专利权）人：苏州苏净保护气氛有限公司摘要：本发明涉及一种气体纯化装置,具有进气口、出气口,气体纯化装置包括通过管道依次连通的加热装置、除烃反应器、除氧反应器、冷却器、干燥吸附器,加热装置、除烃反应器、     

永冲电化学腐蚀制备n型多孔硅及其发光性能

采用脉冲电化学腐蚀法,以n型单晶硅为衬底制备多孔硅（n—PS）,通过扫描电镜（SEM）、室温500—700nm范围内荧光光谱,系统研究腐蚀时间、占空比和脉冲频率对n-PS的结构形貌和可见光区室温光致发光特性（PL）的影响,结果表明,相比直流电化学腐蚀方法,脉冲腐蚀能获得孔径分布均匀且发光强度更高的多孔硅;随腐蚀时间、占空比和脉冲频率等腐蚀条件的变化,其发光峰位及发光强度均有明显改变;当等效腐蚀时间为30min、占空比为0．5、脉冲频率为10Hz时,制备的n—PS的PL强度较高,发光性能较好。     

二氧化铈抛光材料应用的研究进展

<正>光电子与信息产业的迅猛发展加速了化学机械抛光技术(CMP)的更新。CMP作为目前最好的实现全局平面化的工艺技术(整体平面化的表面精加工技术),借助超微粒子的切削作用以及材料的化学腐蚀作用可以将硅基材料抛光成光洁平坦表面,已广泛应用在硅基材料、光学元件和电子集成电路等元件的表面平坦化处理。随着抛光精度的逐渐提高,CMP已成为首选抛光技     

多孔硅在传感器中的应用研究进展

多孔硅由于其制备方法简单、拥有极大的内表面积、广泛的孔径尺寸、可控的表面改性以及与传统硅集成技术兼容等特点,成为传感器件中理想的敏感材料。简述了多孔硅电化学传感器和光学传感器的研究进展,包括多孔硅湿度传感器、多孔硅气敏传感器、多孔硅有机蒸气传感器、多孔硅生物传感器。最后指出了阻碍多孔硅基传感器商业化的影响因素,并展望了多孔硅传感器的发展方向。     

精馏型混合工质自复叠气体液化系统

公开（公告）号：101275798 公开（公告）日：2008-10-01 申请（专利权）人：浙江大学 摘要：本发明公开了一种精馏型混合工质自复叠气体液化系统。它具有依次连接的压缩机、冷凝器、干燥过滤器、精馏装置、第一换热器、第二换热器、第一节流阀、第三换热器、气液分离器。