Si(111)表面电子结构

本文利用自洽LMTO-ASA方法研究了晶体Si及Si(111)表面的几种模型的电子结构,给出了在slab模型各不同结构下的态密度和分波态密度,以及各不等价原子态密度和分波态密度,该结果与其它理论计算和实验结果相吻合     

H原子吸附对Si（113）表面的影响

本文采用半经验分子轨道理论方法ＡＭＩ研究用Ｓｉ１６Ｈ２１模拟的Ｓｉ（１１３）高指数表面及其吸附Ｈ原子的体系，得到生成热和表面原子上受力随吸附的变化．从生成热分析得知，Ｓｉ（１１３）表面上形成Ｓｉ─Ｈ２吸附比Ｓｉ─Ｈ容易，且为放热吸附；受力分析指出了表面原子再构发生的趋向，而吸附则引起趋向改变．     

Cs／W吸附过程中功函数,能带和表面态及其变化关系

本文利用适应于Jellium/slab模型的薄膜LAPW基函数的多能量函数与微分并用的描述方法,计算了具有三层slab的Cs-W吸附系统的功函数,能带和表面态及其随吸附度的变化,分析了它们的变化原因及其间关系,从而为吸附过程中所发生的量子过程提供了一幅比较清晰的图景.     

Si(113)表面电子结构的研究

采用Si_(16)H_(21)和Si_(31)H_(39)原子集团分别模拟Si(113)和Si(111)表面;通过半经验自洽CNDO法计算了两个体系的电子结构.结果表明,Si(113)具有与Si(111)不同的表面态特征.Si(113)表面台阶和台面原子上电荷重新分布,与悬键相关的表面电子态都强烈地定域在表面Si原子上,尤其局域在悬键方向上,并且具有比(111)面上更高的悬健态密度.理论计算结果能解释以前的光电子谱实验.     

CdTe钝化的HgCdTe非平衡载流子表面复合速度的实验研究

利用Ａｒ＾＋束央求宙积技术在ＧｇＣｄＴｅ表面实现了低温ＣｄＴｅ介质薄膜的低温生长。在用－ＨｇＣｄＴｅ晶片表面分别用ＣｄＴｅ介质膜、ＨｇＣｄＴｅ自身阳极氧化膜进行表面钝化。利用光电导衰退测量技术测量了两种不同表面钝化的薄ＨｇＣｄＴｅ晶片的非平衡载流子（少数载流子）寿命,并通过光电导衰减信号波形的拟合,得到两种不同表面钝化的ＨｇＣｄＴｅ表面复合速度。实验结果表明,获得的ＣｄＴｅ／ＨｇＣｄＴｅ界面质量已     

Si(111)表面顶位吸附的双心键理论

采用双心键理论计算 Si(111)表面上顶位吸附 H、O、F和Cl原子的键长、电荷分配、力常数和局域振动频率,同时用自治键轨道方法计算价带的电子结构,其结果与ab initio和CNDO理论方法得出的基本一致,同O和Cl原子吸附的实验数据也大致相符,从而表明双心键理论可用于顶位原子吸附的研究.     

氢在金刚石(100)表面的化学吸附

采用集团模型以自治的EHT方法计算了氢原子在金刚石(100)表面的吸附.结果表明,氢的吸附位置倾向于处在顶位.电子态密度的分布与已有的实验结果相符.     

分子束外延CdTe（211）B／GaAs（211）B的特性研究

ＣｄＴｅ／ＧａＡｓ是ＨｇＣｄＴｅ分子束外延的重要替代衬底材料。用Ｘ双晶衍射和光致发光测试研究了分子束外延生长的ＣｄＴｅ（２１１）Ｂ／ｇＡｓ（２１１）Ｂ的晶体结构质量，表明外延膜昌体结构完整，具有很高的质量。用高分辨率的透射电镜研究其界面特性，观察到ＣｄＴｅ（２１１）Ｂ相对于ＧａＡｓ（２１１）Ｂ向着（１１１）方向倾斜一个小角度，界面的四面体键网发生扭曲，由于晶格失配，在界面存在很高的失配位错密度。     

纳米结构分子吸附引起的表面增强拉曼散射研究

利用模板印刷技术,制备了具有不同局域表面等离子体共振(LSPR)峰的Au纳米空心半球壳结构,并以4-巯基苯胺(4-ATP)为探针分子研究了纳米结构表面吸附分子对表面增强拉曼散射(SERS)强度的影响。结果表明,当纳米结构的LSPR峰位处于激发光波长的短波长或"马鞍型"位置时,SERS强度随吸附分子数的增加而增大;当处于长波长位置时,SERS强度呈现先增大后减小的趋势。利用分子吸附理论和纳米结构表面局域场强度变化,对此现象进行了解释。     

清洁及单层吸附的Mo（001）表面声子色散研究

用最近邻及次邻中心相互作用势讨论了清洁的Mo（001）表面场声子，作为初步近似，用质量亏损模型讨论了不同吸附原子质量对表面声子的影响。     

大直径硅（111）抛光片表面微结构研究

大直径硅（１１１）抛光片表面微结构研究＊＊国家自然科学基金资助项目贝红斌刘鸿飞（北京有色金属研究总院，北京１０００８８）本文利用自行研制成功的电化学扫描隧道显微镜（ＥＣ－ＳＴＭ）和扫描隧道谱（ＳＴＳ）对不同掺杂浓度大直径ｎ型硅（１１１）抛光片表面微缺...     

内嵌金属富勒烯Gd@C_(82)在Cu(111)和Pt(111)表面吸附结构的STM研究CSCD

利用扫描隧道显微镜(STM)研究分析了内嵌金属富勒烯分子Gd@C82在Cu(111)和Pt(111)上的低温(200～250 K)生长方式和吸附结构。不同强弱的分子-衬底间相互作用导致Gd@C82在Cu(111)和Pt(111)上的生长方式有很大区别。经过热处理后,Gd@C82分子诱导Cu(111)衬底发生重构,而在Pt(111)上未发现此现象。两种金属衬底不同的晶格常数和电子性质导致退火后的分子自组装结构也不一样:Gd@C82在Cu(111)上形成等价的两种吸附结构,即(√19×√19)R23.4°和(√19×√19)R36.6°;分子在Pt(111)上形成一种与〈110〉方向一致的密堆积结构。