加工对难熔金属高应变速率行为的影响——评述

对结构难熔金属，如钨、钽、铪及其合金的高应变速率行为进行了评述。钨、钽及其合金有显著的速率敏感性，而铪很少有或没有速率敏感性。单晶及（１００）取向织构钨具有极佳延性，而（１１０）取向织构钨则以典型的脆性方式断裂。钨重合金（ＷＨＡ）具有中等延性，而且在高应变速率下发生应变局部化。钽具有中等到上等的延性但其变形高度依赖于初始加工织构。铪的延性极佳且在很宽的应变速率范围易于局部化。难熔金属的宏观高应变速     

简讯

国际激光机器公司生产的六轴定位计算机数控(CNC)激光加工机是由400W脉冲Nd:YAG激光系统组成,能用来切割、打孔和焊接复杂的三维部件,如汽车和宇航工业中所用部件。可加工的材料有:氧化铝等陶瓷、各类塑料、宇航用特种合金,及工具钢、钨钛、钽和铌等金属。Nd:YAG激光加工机的性能:直线行程精度为±0.0005in/ft,而且在x、y和z轴具有相同精度;在A和B旋转轴上旋转行程精度为±20″/360°;钻孔直径最小可达0.010in;速度达45孔/min。据该公司     

难熔金属激光焊接技术的研究及应用

本文论述了难熔金属零部件激光焊接工艺的研究及应用.通过大量的科学试验,成功地将激光焊接技术用于钨-钨、钼-钼、钨-钼、钨-钽、及钼-钽等零部件的焊接,均收到可喜的效果.     

难熔金属激光焊接技术的研究及应用

本文论述了难熔金属零部件激光焊接工艺的研究及应用。通过大量的科学试验,成功地将激光焊接技术用于钨—钨、钼—钼、钨—钼、钨—钽,及钼—钽等零部件的焊接,均收到了可喜的效果。     

大功率发射管钍钨阴极的碳化

一、序言近代大功率发射管中,由于真空技术的不断改进和钽、锆、钛等消气剂的采用,钍钨阴极几乎完全代替了纯钨阴极。然而未经处理的钍钨阴极在放射上与纯钨阴极没有多大差别。在早期,为了获得较高的阴极放射,降低阴极表面的逸出功,主要是将钍钨丝加热到2800°K短时间的闪炼,然后在2200°K较长时间的激活。在这过程中,钍钨丝内部的氧化钍在     

激光粉末床熔化钨-5%碳化钽的成形与裂纹控制

为了解决激光粉末床熔化技术制备的钨材料中存在的裂纹问题,本文提出了一种通过原位反应形成亚微米尺度亚结构强化相的强化方式减少钨中裂纹的新思路。采用激光粉末床熔化技术成功制备了钨-5%(质量分数)碳化钽低合金钨块体,通过调整激光参数,钨-5%碳化钽块体的孔洞明显减少,裂纹密度相较纯钨显著降低。在钨-碳化钽中形成了大量形状不规则的亚微米级尺度的亚结构,通过微观组织分析在合金中发现了于增材制造原位反应过程中形成的碳化钨相,这些碳化钨相主要聚集于亚结构的胞壁处。钨-碳化钽的显微硬度(666 HV)较纯钨(400 HV)提高了约50%,证明在添加碳化钽后材料的本征强度得到了显著提高。     

制造低功耗亚毫微秒静态随机存储器的亚微米自对准栅GaAs MES FET技术

用自对准栅方法成功地开发了高性能亚微米栅GaAs MES FET工艺。为获得较高的栅开启电压,采用钨氮(WN_X)难熔金属做栅金属。在沟道下注入Be~+做P型埋层以减少短沟道效应和改善FET的均匀性。对于0.6μm栅长获得的跨导高达300ms/mm,阈值电压均匀,它的标准偏差在3in非掺杂LEC片上低达16.8mV,在13×13FET阵列上为7.6mV。用这种工艺我们已制造了功耗只有300mW、存取时间为1ns的256×4位的SRAM。     

Ka波段冷阴极磁控管启动特性研究

冷阴极磁控管是一种性价比很高的可靠微波源,它具有瞬时启动、寿命长、可靠性高、系统容易实现小型化的优点。选用钯钡合金和难熔金属钽作为冷阴极材料,钽环作为一次发射体,由场致发射提供一次电子,钯钡合金为二次发射体,钯钡合金在一次电子的轰击下产生二次电子,两者提供磁控管阴阳极电流,实现磁控管正常振荡。从理论上详细分析了钽环厚度和钯钡合金温度对冷阴极启动特性的影响,基于理论分析结果,开展不同钽环厚度和阴极温度条件下磁控管工作性能研究,最终选用厚度为0.05 mm 的钽环作为冷阴极一次发射体,阴极工作温度在315~836 益之间,成功研制输出功率20 kW的Ka 波段冷阴极磁控管,冷启动稳定时间小于5 s,工作寿命超过500 h     

TiN薄膜在微电子学中的应用

难熔金属氮化物,如TaN、TiN、HfN等,由于其熔点高,硬度大,摩擦系数小等特点(见表1),在机械工业中早已得到利用,如作为高速钢工具的表面镀层,以增强钻具、刀具的硬度和切削能力,延长使用寿命;亦可作为高温釜的内层材料,提高耐熔和耐腐     

Plansee公司——耐高温金属领先供应商

奥地利Plansee公司是采用粉末治 金方法生产耐热金属产品及零 部件的世界领先生产厂商,产品还包括ODS超级合金、硬质金属及钢。耐高温金属如钼、钽、钨或铬及其合金在增强微型电子零部件及附件的性能方面担负着举足轻重的角色。     

电子束焊接在电子器件中的应用

正 (一)引言 在电子器件的研制过程中,提出了许多焊接方面的特殊问题,如高熔点金属的直接焊接,特殊材料或特殊结构工件的焊接等等;要求焊接热影响区小,焊缝纯净、可靠。 电子束焊接是利用强流电子束轰击工件,使其局部熔化形成焊缝,达到焊接的目的。它具有功率密度大、穿透深、不氧化、易控制、精度高、无需焊料、能焊难熔金属等等特点。因此电子束焊接技术除了已被广泛用于原子能、航空、宇航、仪表以及汽车制造等     

手持仪表——下面介绍的是最近发布的手持测试和测量仪器

红外温度计测量—5°至+480°F D202系列非接触式红外温度计有两种型号,分辨率1°F时可测量—5°至+480°F,精度是±2°F或读数的1％。 探头可接到仪器的顶端或由电缆连接。固定的探头装有柔性轴,便于     

Cu—Zn—Al合金马氏体结构的电镜研究

一般认为Cu—Zn—Al合金电子浓度大于1.454时,马氏体为18R和2H两种类型的长周期结构,其基面(001)面上的原子有序排列,X射线分析初步判断18R型马氏体为单斜晶系,点阵参数为a=4.45A,b=5.29A,c=38.3A,β=88.7°。但X射线法难于肯定地排除它是基面原子无序排列,因而b与c都减半的9R结构,因为18R中的超结构反射强度非常弱。此外,还须区别β=90°的N18R与β(?)90°的M18R两种结构。为此,对Cu—Zn—Al合金中马氏体的结构进行了电子显微镜研究。     

铍青铜(QBe2)超塑性的研究

本文对硬态铍青铜(QBe2)的超塑性力学行为和组织变化进行了研究。合金在温度为450～640℃和应变速率为1.95×10~(-4)～1.67×10~(-2)S~(-1)的范围内拉伸,能呈现较好的超塑性效应。当合金在550℃下以1.95×10~(-4)S~(-1)的应变速率拉伸时,延伸率可达780％。在较低的应变速率下拉伸。合金具有各向异性。在550℃下以8.33×10~(-4)S~(-1)的应变速率拉伸时,拉伸方向与原材料轧制方向成0°、45°和90°角的试样,延伸率分别为550％、860％和675％。而在较高的应变速率下拉伸,这种塑性差异消失。合金不需预先处理便可进行超塑性变形,通过动态再结晶使原始形变组织转化为微细等轴晶粒,同时利用第二相粒子对晶界的钉扎来控制晶拉粗化。拉伸后的试样在光学显微镜下观察未发现空洞,但试样的断裂却是由空洞的连接所致。     

光学系统中的热效应

用于军事或航空—空间领域中的现代光学装置,要求适应于很宽的温度范围,典型的是在-30°～+50℃范围内工作。甚至于在民用照相光学装置中,通常只工作在20°F～90°F的环境中,由于在这些装置中,为要降低成本使用某些塑料,因此,也会出现     

镍钨钙合金及其在电真空器件中的一些应用

一、前言镍钨钙合金(NW4-0.2)是用作高可靠、长寿命旁热式氧化物阴极的基金属材料;是制造某些高可靠超高频管及长寿命显象管的核心材料之一。 NW4-0.2合金是含有3～4％钨和0.1～0.2％钙的三元镍合金,用它作氧化物阴极的基金属时,合金中的钨和钙将与涂层发生如下     

阳极Ta_2O_5、Nb_2O_5及Ta-Nb合金氧化膜的阳极化常数及介电常数的测定

钽、铌及钽铌合金(Ta_(0.80)Nb_(0.20))箔在0.01%H_3PO_4液中,进行电化学赋能。借助于椭圆偏振仪测定阳极氧化膜的阳极化常数(k,A/V)。根据电容公式,计算出介电常数(ε)。所得诸值为:k_(Ta_2O_5)=15.76±4.5%A/V,k_(Nb_2O_5)=19.96±2.1%A/V,k_(TaNb)=16.23±2.3%A/V;ε_(Ta_2O_5)=26.98±3.2%,ε_(Nb_2O_5)=41.11=2.0%,ε_(TaNb)=26.23±2.4%。室温下的Ta、Nb及Ta_(0.80)Nb_(0.20)合金的参考干涉色标的周期交换分别为70V、60V及70V。     

Ta场发射特性的实验研究

本文报道了钽(Ta)场发射尖端的制作方法和场发射特性的实验结果。并与单晶钨(W〔111〕)比较,发现Ta的场发射特性不仅与W〔111〕很相似,而且还别具自己特点。特别是能在6.6×10~(-8)帕(5×10~(-8)托)较低真空下稳定的工作。表明Ta可望成为一种较理想的场发射材料,具有广泛应用和开发前景。     

用于制作VLSI器件的难熔金属和金属硅化物

难熔金属和金属硅化物已用于制作超大规模集成电路的接触和互连。硅衬底上的难熔金属的接触电阻率现已可作到低至～10~(-7)Ω·cm~2。采用难熔金属,各种VLSI工艺过程中产生的MOS氧化物陷阱就可用高温退火(≥550℃)予以消除。随着超大规模集成电路的器件继续按比例缩小,寄生电阻对于提高器件性能来说就会是一个主要限制。在MOS器件中,难熔金属硅化物可用来减小源漏电阻和栅电阻。如果栅材料采用纯的硅化物(并非多晶硅难熔金属硅化物),还可以提高CMOS的性能。本文讨论有关使用难熔金属和金属硅化物来提高超大规模集成电路器件性能的一些最新进展。     

表面氢化对SiC/金属接触的作用机理

提出 Si C表面氢化模型。以氢饱和 Si C表面悬挂键 ,减少界面态 ,从而制备理想的金属 /半导体接触 ,并将此模型用于 Si C器件表面处理 ,其优点在于避免了欧姆接触 80 0～ 1 2 0 0°C的高温合金 ,且肖特基接触整流特性较好。在 1 0 0°C以下制备了比接触电阻 ρc=5～ 8× 1 0 - 3Ω·cm2的 Si C欧姆接触和理想因子 n=1 .2 5～ 1 .3的肖特基结。与欧姆接触采用 95 0°C高温合金制备的 Si C肖特基二极管比较表明 ,表面氢化处理不仅能避免高温合金 ,降低工艺难度 ,而且能改善器件的电学特性。