硅烷外延淀积多晶硅

SiH_4-H_2-HCl系统用于淀积多晶硅膜,有着SiCl_4外延无法比拟的优越性,其生长温度最佳值在1050℃,生长速度从实验趋势上来看远远超过了SiCl_4外延.外延质量也比SiCl_4外延好.所以,在一些特殊器件的制造中采用本系统是完全必要的.     

射频辉光放电硅烷等离子体的光发射谱研究

通过对RF—PECVD技术沉积氢化非晶／微晶硅(a—Si：H/μc—Si：H)薄膜沉积过程中硅烷(SiH4)等离子体的光发射谱(OES)原位测量,系统地研究了不同的等离子体工艺条件下,特征发光峰强度(ISiH、IHα和IHβ)的变化规律。结果表明：随着SiH4浓度增大,ISiH^*单调增大且在不同浓度范围内变化快慢不同,而IHα和IHβ峰表现为先增后减的变化,最大值位于3—5％的SiH4浓度之间;工作气压的增大,各特征发光峰均呈现出先增后减的变化,但最大值对应的工作气压点有所不同;增大等离子体功率,所有的特征发光峰单调增加,但在不同的功率区间内变化快慢存在明显差异;气体流量在40一75sccm范围内变化时对特征发光峰的影响最为显著,更低流量时变化很小,更高流量则趋于饱和;衬底温度不仅影响生长表面的发应,对SiH4分解机制的影响不容忽视。     

辉光放电和低压化学气相淀积制备的α-SiN_x∶H薄膜的光学性质

氮化硅作为半导体器件的钝化膜,在半导体工业中有广泛的应用。我们通过SiCl_4、N_2、H_2混合气体的辉光放电(GD)和SiCl_4、NH_3混合气体的低压化学气相淀积(LPCVD)制备了一系列α-SiN_x:H薄膜,对其折射率、吸收边和光学带隙、红外吸收光谱和喇曼光谱进行了初步实验。用干涉显微镜和椭圆偏振仪分别测量了薄膜的厚度,其范围在5000～6000(?)左右。折     

辉光放电淀积a-Si:H的工艺及其钝化机理研究

本文介绍采用辉光放电(G.D)法淀积含氢非晶硅(α-Si:H),并将其应用于硅器件的表面钝化,结果表明,采用α-Si:H钝化,特别是以α-Si:H作为SiO_2的二次钝化层,可使器件的表面态密度显著下降,反向漏电流降低约一个数量级,且可减少可动钠离子沾污的影响,得到较好的高温反偏性能.此外,还对α-Si:H的钝化机理作了一定的探讨.     

多晶硅薄膜的淀积

近十年来,由于硅栅工艺在MOS集成电路中的应用逐渐普遍,对于介质上淀积多晶硅荡膜的工艺,以及多晶硅淀积层性质的研究己经受到了重视。     

离子束辅助淀积薄膜

本文叙述了淀积薄膜时助以离子轰击的电子束蒸镀工艺对薄膜特性的某些影响。薄膜置于潮湿大气中,由于吸潮性的减低,而使SiO_2、TiO_2和ZrO_2薄膜的填充密度明显增加。在ZrO_2-SiO_2多层干涉滤光片中,其峰值透过率波长的变化,从不用离子辅助所淀积膜的8毫微米减到用离子束辅助淀积膜的不到1毫微米。     

氮化硅薄膜的淀积方法

使半导体衬底的表面温度保持在550°至850℃,将由硅烷(SiH_4)、联氨(N_2H_4)和携带气体混合组成的反应气体作用在该加热表面,因而在半导体衬底表面淀积氮化硅膜的一种方法。本专利为此方法确定了以下条件,即:反应管内半导体衬底的温度;反应管内硅烷同联氨各自的浓度以及他们之间的比;从而工业上能在所述的衬底上淀积氮化硅薄膜。     

薄膜的离子束辅助淀积

本文报导一些介质膜在电子枪源蒸发过程中用离子轰击后光学特性的变化,目的是提高膜的聚集密度,从而减小其对潮气的吸附,以便提高其稳定性。     

TaN薄膜原子层淀积

我们成功合成了TaN薄膜原子层淀积的高纯有机钽先驱物并使其特性化,同时对这些先驱物的汽压和热稳定性进行了研究。根据汽压分析发现,TBTEMT比所有其它已发表的液体TaN先驱物(包括TBTDET、TAITMATA和IPTDET)具有更高的汽压。用1HNMR技术研究了这些烷基先驱物的热稳定性。结果表明,与乙二烯基先驱物相比,对于TBTDET和TBTEMT材料,特丁基群是最稳定的基群。TaN先驱物热稳定性按以下次序下降:TBTDET>PDMAT>TBTEMT。最后,通过对金属中央周围的配合基体进行轻微的调整使先驱物汽压和热稳定性处于良好的状态。     

反应性磁控溅射淀积AlN薄膜

AlN薄膜是采用直流平面磁控系统在氮气氛中用反应性溅射铝淀积在Si片上而成。本文研究了淀积后退火处理对绝缘体和AlN-Si界面特性的影响。     

氧气放电辅助激光淀积原位制备高T_c超导薄膜

采用低压氧气放电辅助的激光淀积方法,原位外延生长出零电阻温度91K,临界电流密度10~5A/cm~2的Y-Ba-Cu-O高温超导薄膜。扫描电镜和X光衍射分析结果表明,薄膜中超导相晶粒的生长具有c轴垂直于表面的择优取向。     

脉冲激光扫描淀积类金刚石薄膜

采用能量密度为1.178×109W/cm2的XeCl准分子激光直接辐照高纯度的石墨靶,并同时采用辅助放电,在1×10-5Torr的真空环境中,于温度为80℃的Si(100)的基片上淀积出类金刚石薄膜,Raman光谱显示在1330cm-1处出现较强的散射峰值;对薄膜红外光谱进行测试,其光谱在2900cm-1处有吸收峰,表明所淀积的类金刚石薄膜含有C-H键,其H元素与C元素的比为45%.薄膜的电阻率为1.89×106Ω/cm,通过光吸收测得的该薄膜的能隙为1.55eV.     

准分子激光化学反应淀积硫化物薄膜

提出了一种新的激光光化学三元反应体系，用于制备硫化铅薄膜。应用吸收光谱、扫描电镜和Ｘ射线光电子能谱等测试手段研究了膜的性质和组成，指出了该方法淀积硫化物薄膜的可行性。     

激光化学气相淀积铁薄膜

用氯化氙准分子激光分解Fe(CO)_5在石英片上沉积铁薄膜.研究了激光能量密度、淀积时间对膜层特性的影响,获得最大淀积速率1.7nm/脉冲     

蒸发淀积薄膜的柱状显微结构

本文用显微断面术技术,在透射电镜中观察了蒸发淀积Cu膜的显微结构。实验结果表明、薄膜是由直径大致相同的相互平行的倾斜小柱体所组成。对柱状结构形成的机理也进行了初步探讨。     

用激光淀积掺染料薄膜

在今年4月举行的美国化学学会会议上报导，快速薄膜淀积法为制作非线性光学材料和目前难于产生的其它光学材料展示了希望。纽约州立大学J．Garvey等用激光辅助分子束淀积（LAMBD）制作了一种在氧化钛或氧化硅玻璃基质中含有有机分子的薄膜。虽然掺染料玻璃可用其它方法（如用溶凝胶法）制作，但可能会出现四坑和其它缺陷，染料分子起团或在高温处理期间分解。激光辅助分子束淀积工艺与分子束外延相似（见图）。由准分子激光器产生的248nm波长光脉冲在正常气压区使钛或硅之类靶烧熔，产生20000K的等离子体。反应性氧和等离子体相结合，高…     

RF化学气相淀积金刚石薄膜

本文论述了金刚石薄膜的优点，比较了化学淀积金刚石薄膜的常用方法的优缺点，主要介绍了电容耦合射频化学气相淀积金刚石薄膜的原理和近期国际对典型电容耦合气相淀积设备的改进研究。     

准分子激光低温淀积金刚石薄膜

金刚石薄膜以其优异的力、热、电、声、光等性质而具有广泛的应用前景。近年来，一系列化学气相淀积（CVD）技术被用于金刚石薄膜的合成，并取得了一系列的进展．但目前多数CVD方法中基片温度较高（大于800℃），这极大地限制了金刚石薄膜在光学、半导体和光电子学等方面的应用．因此，低温生长高质量的金刚石薄膜已成为目前重要的研究课题．本工作在EACVD基础上，辅以准分子激光（XeCl308nm）溅射C靶产生激光等离子体，在较低温度（500～600℃）下生长了高质量的晶态金刚石薄膜．工作气体为CH4／H2，浓度比为0．7％～1％；热灯丝温…     

低压热壁硅烷系统中的硅淀积

用H_2和N_2作载带气体研究了硅烷系统中多晶硅和无定形硅的淀积。实验在低压反应器中进行,淀积温度在525—700℃之间,压力(7×10~(-4)巴)和气体流速保持不变。发现在低硅烷输入压力下,在H_2和N_2中Si的生长速率都和硅烷输入压力成正比,并且N_2中的生长速率高于H_2中的生长速率。在较高的硅烷输入压力下,生长速率呈现饱和并变得和H_2分压无关。对实验数据的分析表明,从吸附在Si表面的SiH_2物质中释放出H_2的过程最有可能决定淀积速率。     

金属薄膜的S枪磁控溅射淀积

本文描述了磁控溅射系统以及S枪的放电特性,测试了基板静止与转动两种情况下膜厚均匀性分布,测量了Ag、Cu、Al三种金属的沉积速率和膜的光学常数及反射率R(λ=632.8nm),对膜的粘附力用破坏性的试验方法进行了测试,并与热蒸发的膜的粘附力作了比较。